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【その他特長】 ■バリの抑制が可能 ■装置側への反力を抑制、負担を大幅軽減 ■攪拌部以外への押し圧力/排出圧力を抑制、近傍の変形量を大幅軽減 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
【特徴】 ・DLC形成：イオン化率が従来のスパッタリング手法による形成時より高い ●4面対向ターゲットで拘束されたプラズマ内において電子、反跳アルゴン、C fluxが 互いに衝突を繰り返すことでArイオン化及びCfluxのイオン化が促進される。 C＋はイオン衝突により高エネルギーでイオン化が促進するためDLC膜において C-C結合が容易に形成することが可能。 ●「透過率」「硬度」「表面の粗さ」が向上。
【実績と実例】 対応材質（弊社実績） ◆アルミニウム〈Al合金,Al材全般〉 ◆銅〈C1020,C1100,銅合金〉 ◆マグネシウム〈AZ31,AZ61,AZ91〉 ◆真鍮 ◆銀 ◆金 ◆ADC材 ◆鉄 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
【接合実績】 ■バリレス接合 ■ショルダーレス、他軸接合、その他材料 ■薄板接合 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
Max. Sub. Size : 200mm x 300mm x t0.2mm Number of substrate per tray:2 Tray size:350mm×1000mm×20tmm Effective deposition width:620mm ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
Max. Sub. Size : 200mm x 200mm x t1mm Effective deposition width:200mm Number of substrate per tray:1 Deposition methods: Sputter up tray ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
【その他の特長】 ■アーク発生時、ワイヤを溶融プールに向かって送給し短絡を検知したらすぐにワイヤを引き戻すプロセスで、 溶融プールを冷却し入熱を大幅に削減することができる ■ワイヤの引き戻しが溶滴の引き離しを促進 ■短絡時に電流は最小限にコントロールされることによりスパッタを 極限まで低減した溶滴移行が可能 ■ワーク表面がどの様な形状でも、いかなる溶接速度であっても、アーク長が検知されワイヤ供給が調節されるため、 さまざまな位置、姿勢でも安定した溶接が可能 ■0.3mmまでの薄板溶接が可能、高い溶接スピード：50％アップ（パルスアーク溶接比較） ■入熱量：約90％ダウン、ひずみ低減（TIG・パルスアーク溶接比較） ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
【石英加工品】 ■半導体関連製品 ・プレート ・フランジ ・リング ・チューブ ■液晶/有機EL関連製品 ・マスク基板 ・石英管 ・石英るつぼ ・ポート ■光ファイバー製造 ・石英スリーブ ・光ファイバー製造部品 ・ファイバー石英棒 ・石英加工品 ■その他石英加工 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
接合実績 ●銅(C1020・C1100) ●アルミニウム(A5052／A6063／A5071／A5083／A1050) ●マグネシウム(AZ31／AZ61) ●Fe ●真ちゅう ●金 ●銀、その他合金
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