オンウェハーの多様なアプリケーション対応 ・デバイスモデリング: DC-IV, DC-CV, パルスドIV,ESD, 1/fノイズ測定 ・RF/ミリ波高周波測定: ～110 GHz、110 GHz以上 ・WLR: 正確なストレスおよび測定条件が設定可能 WaferWalletオプション ・手動でウェハーを出し入れするために考えられた人間工学的に基づく設計、5つの独立したトレー ・同型ウェハー5枚まで複数温度範囲にてフルオート測定が可能 ・独自の技術により低温/高温にてもウェハーの出し入れが可能 ShielDEnvironment ・1/fノイズ測定に最適な高性能EMI / RFI / 遮光環境を実現 ・fAレベルまでの超低雑音IV測定が可能 ・測定の操作性、オートメーションにプログラマブル顕微鏡移動機構 ・広温度範囲に対応(-60～300℃、測定構成にも柔軟に対応 ・被測定物を簡単に前面よりロード可能 ・一体型アクティブ防振機構 ・Safety Test Management機能により露点を自動制御(オプション) ・チラーのプローバー内組み込みにより小型設計を実現

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オンウェハーの多様なアプリケーションに対応 ・デバイスモデリング: DC-IV, DC-CV, パルスドIV ・RFおよびミリ波 : 26～110 GHz帯/110 GHz以上 ・WLR: 高温/低温/ストレス試験 ・故障解析: プローブ・カード/内部ノードテスト MPI独自ShielDEnvironmentチャンバー ・優れたEMI/RFIシールド、遮光環境により理想的な1/fノイズ測定結果を導き出します ・fAレベルの微小電流測定が可能 ・広温度範囲(60℃～300℃)対応 ・ウェハーを簡単に前面よりロード可能。自動測定用の側部よりのローダー(プリアライメント) ・Vertical Control Environment (VCE)技術によりプローブ先端を側面から観察することが可能になり、安全なオペレーションが可能 ・一体型アクティブ防振機構 ・Safety Test Management (STM?)機能によりすべての温度においてウェハーのロード/アンロードを可能に、また露点を自動制御(オプション)

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オンウェハーの多様なアプリケーションに対応 ・デバイスモデリング: DC-IV, DC-CV, パルスドIV ・RFおよびミリ波 : 26～110 GHz帯/110 GHz以上 ・WLR: 高温/低温/ストレス試験 ・故障解析: プローブ・カード/内部ノードテスト MPI独自ShielDEnvironmentチャンバー ・優れたEMI/RFIシールド、遮光環境により理想的な1/fノイズ測定結果を導き出します ・fAレベルの微小電流測定が可能 ・広温度範囲(60℃～300℃)対応 人間工学に基づいた設計 / オプション ・ウェハーを簡単に前面よりロード可能。自動測定用の側部よりのローダー(プリアライメント) ・Vertical Control Environment (VCE) 技術によりプローブ先端を側面から観察することが可能になり、安全なオペレーションが可能 ・一体型アクティブ防振機構 ・Safety Test Management (STM)機能によりすべての温度においてウェハーのロード/アンロードを可能に、また露点を自動制御(オプション)

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高電圧、大電流アプリケーション用途に開発された一台 ・10kV/600Aまでのオンウェハーでのハイパワーデバイス測定 ・接触抵抗の低い金メッキチャックを採用。最薄50 μmまでの薄形ウェハーを吸着できるよう真空穴を改良 ・Taikoウェハー搭載可能(オプション) ・高電圧/大電流測定用専用プローブ ・アーク放電防止技術 独自ShielDEnvironmentチャンバー、安全設計 ・優れたEMI/RFIシールド、遮光環境 ・fAレベルの微小電流測定が可能 ・広温度範囲(-60℃～300℃)対応 ・ウェハーを簡単に前面よりロード可能。自動測定用側部よりのローダー(プリアライメント) ・安全基準にそったインターロック機構及びライトカーテンによる安全な測定環境 ・一体型アクティブ防振機構 ・早く、安全に、便利に測定を可能にする完全一体型プローバー・コントローラ ・Safety Test Management (STM?)機能によりすべての温度においてウェハーのロード/アンロードを可能に、また露点を自動制御(オプション)

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TS150は独自のエア・ベアリング・ステージ、プラテン・リフト、高さ調整機構により非常に操作性の良い150mmマニュアル・プローバーとなっております。 測定のご用途に合わせてさまざまなチャック、顕微鏡、ポジショナより構成をご選定いただけます。 日本における代理店: ベクターセミコン株式会社 東京都荒川区西日暮里2-43-2 TEL 03-5604-1701 FAX 03-5604-1707

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主な仕様 ・特性インピーダンス: 50Ω ・周波数帯域: DC～26GHz ・挿入損失(GSG): <0.5dB ・反射損失(GSG): >14dB ・DC電流: ≤1A ・DC電圧: ≤100V ・RF電力@10GHz: ≤5W

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主な仕様 ・針先材質: ニッケル合金 ・本体材質: アルミ合金 ・コンタクト圧@50umOT: 20g ・プローブ寿命(TD): >1,000,000 ・G-S間アライメント誤差: ±3um (構成/ピッチによる） ・プラナリティ誤差: ±3um (構成/ピッチによる） ・コンタクト面の幅: <20um ・抵抗(金パッド): <3mΩ ・使用温度範囲: -60~175℃

• プローブ

主な仕様 ・特性インピーダンス: 50Ω ・周波数帯域: DC～26GHz ・挿入損失(GSG): <0.4dB ・反射損失(GSG): >16dB ・DC電流: ≤2A ・DC電圧: ≤250V ・RF電力@10GHz: ≤10W ・動作温度範囲: -60~200℃

• プローブ

主な仕様 ・特性インピーダンス: 50Ω ・周波数帯域: DC～110GHz ・挿入損失(GSG): <1.2dB ・反射損失(GSG): >14dB ・DC電流: ≤1A ・DC電圧: ≤100V ・RF電力@10GHz: ≤5W

• プローブ

主な仕様 ・特性インピーダンス: 50Ω ・周波数帯域: DC～67GHz ・挿入損失(GSG): <0.6dB ・反射損失(GSG): >16dB ・DC電流: ≤1A ・DC電圧: ≤100V ・RF電力@10GHz: ≤5W

• プローブ

主な仕様 ・特性インピーダンス: 50Ω ・周波数帯域: DC～50GHz ・挿入損失(GSG): <0.6dB ・反射損失(GSG): >17dB ・DC電流: ≤1A ・DC電圧: ≤100V ・RF電力@10GHz: ≤5W

• プローブ

主な仕様 ・特性インピーダンス: 50Ω ・周波数帯域: DC～40GHz ・挿入損失(GSG): <0.6dB ・反射損失(GSG): >18dB ・DC電流: ≤1A ・DC電圧: ≤100V ・RF電力@10GHz: ≤5W

• プローブ

主な仕様 ・特性インピーダンス: 50Ω ・周波数帯域: DC～26GHz ・挿入損失(GSG): <0.4dB ・反射損失(GSG): >16dB ・DC電流: ≤1A ・DC電圧: ≤100V ・RF電力@10GHz: ≤5W

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