当社の従来製品「IMD III」を使用して薄ウェハの乾燥処理を 行った場合、ウェハとキャリアを分離した際、隣のウェハ同士が 接触する問題が生じ、乾燥不良の原因となっていました。 『IMD IIID』は、純水引き下げで乾燥処理開始後、ウェハ上部が 純水面から出た直後にウェハ上部を保持。 その後、ウェハとキャリアを分離することにより、ウェハ同士の 接触を防止して、キャリアレス乾燥と同等の乾燥能力を提供できます。 【特長】 ■ウォーターマークレス乾燥 ■純水引き下げ方式によるマランゴニ乾燥 ■従来乾燥法では困難な薄ウェハの乾燥 ■IPA消費量の削減（10～20cc/1バッチ） ■3”～8”ウェハの乾燥が可能 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

• 乾燥機器

『HDW III』は、半導体製造プロセス/太陽電池製造プロセスにおける シリコン基板、液晶製造プロセスにおけるガラス基板等の洗浄で使用される 超純水を、石英ガラス容器内でカーボンヒーターにより非接触でクリーン 加熱する装置です。 PID制御による±1°の安定した温度制御と起動から使用温度まで120秒以内の 昇温が可能。また、幅広い使用流量・温度に対応し、流量変化に対応した 温度調整もできます。 【特長】 ■クリーン加熱 ■高効率で省エネ ■高性能温度調整 ■使用流量に応じた充実したラインアップ ※詳しくはPDFをダウンロードして頂くか、お問い合わせください。

• 加熱装置

『Jet II』は、加熱ガス接液部を高純度石英ガラスにすることにより、 金属イオン、TOC等の溶出を極限まで抑えたクリーン加熱ガスを 発生させることができる高温クリーンガス加熱装置です。 また本装置は、最高900℃の各種クリーンガス及びクリーン過熱水蒸気を 発生させることができます。 【特長】 ■発熱体(SiC)は赤外線ランプ集光加熱器により1000℃まで高速超高温加熱が可能 ■ガス接液部は全て石英ガラスであり、不純物の溶出のないガス加熱が可能 ■金属では腐食するような酸・アルカリ溶液をベーパーにすることが可能 　※薬液種類、濃度にもよる ■最高900℃の加熱ガスを発生させることが可能 ■100℃の水蒸気を最高900℃の過熱水蒸気に再加熱が可能 ※詳しくはPDFをダウンロードして頂くか、お問い合わせください。

• 加熱装置

当社では、長年のIPAベーパー乾燥装置の設計・製造経験並びに多くの事例で 培ったノウハウをつぎ込み、IPAベーパーレスとマランゴニ対流を利用して 鋭意改善を進め開発した「ウォーターマークレス乾燥装置」をご提案いたします。 洗浄後SiウェハをIPA直接置換乾燥により、大気に曝すことなく、 Siウェハ面を「純水⇒IPA」に直接置換することで、水滴の残留しない 表面を得ることが可能です。 【特長】 ■ウォーターマークレス乾燥 ■パーティクル再付着の抑制 ■IPAベーパーレス ■IPA消費量の削減 ■幅広い乾燥物の乾燥が可能 ■顧客ニーズに応えたカスタマイズ設計 ※詳しくはPDFをダウンロードして頂くか、お問い合わせください。

• 乾燥機器

当社では、各種半導体・電子デバイス製造プロセスで共通の問題である 基板表面のウォーターマーク発生の抑止をターゲットに、鋭意改善を進め 開発したIPAベーパー乾燥装置をご提案します。 また、本装置は清浄な乾燥を要求する光学・凹凸部品等において、 乾燥させるのと同時に蒸留されたIPAにより、清浄度の高い仕上げ洗浄を行う 合理的な洗浄・乾燥装置です。 【特長】 ■世界最大クラスのシェア ■安全設計 ■ウォーターマークレス乾燥 ■クリーン乾燥 ■幅広い乾燥物の乾燥が可能　など ※詳しくはPDFをダウンロードして頂くか、お問い合わせください。

• 乾燥機器