今日、吸着技術は気体分離など工業プロセスにも応用されています。 吸着には図に示すような形態があり、不明瞭なのは、化学吸着と 物理吸着の違いです。 一般的にあるガス分子を材料に吸着させ、その吸着温度ないしは室温にて 排気できないような強い結合（水素結合・酸塩基結合）を持つものを 化学吸着と呼びます。 それに対し、物理吸着は吸着力が主にファンデルワールス力によるもので、 真空排気をすることにより脱着が可能です。 現在、物理吸着・化学吸着という表現をやめ可逆吸着・不可逆吸着と 呼ぶことも推奨されています。 ※詳しくは関連リンクをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

材料を一定温度にし、圧力と吸着量の変化を測定したグラフを 「吸着等温線」と呼びます。 一般的に、横軸を平衡圧力を飽和蒸気圧で割った相対圧（P/P0）とし 0～1の値を取ります。 P/P0?1では吸着ガスは試料管内で凝縮することを意味するため、 吸着等温線は飽和蒸気圧よりも低い圧力で固体と吸着分子の相互作用力が 働き吸着・凝縮が始まり、気相よりも高い吸着質密度を測定したものです。 また、定容量法では一般的に、吸着量をV/ml（STP）g-1と標準状態 （0 oC、1 atm）における気体の体積で表します。 ※詳しくは関連リンクをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

吸着等温線の測定としては定容量法・重量法・パルス吸着法・流動法 などがあり、比表面積・細孔分布を測定する方法としては主に定容量法が 用いられています。 当社のホームページでは、「定容量法」と「パルス吸着法・流動法」について 詳しくご紹介しておます。 ぜひ、ご覧ください。 ※詳しくは関連リンクをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

フリースペース(死容積)は幾何学的な体積ではなく、吸着量を 計算するための便宜上の体積です。 物理吸着をさせるため、試料管を液体窒素などの冷媒に冷やすと、 2つの温度域ができ、この冷却部分でのガス密度は、冷却する温度および、 測定中の冷媒のレベル変化に影響を受けます。 当社のホームページにて、詳しくご紹介しておりますので、 ぜひご覧ください。 ※詳しくは関連リンクをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

マイクロ孔の解析や表面分析において、超高真空下での吸着等温線測定の 重要性が高くなっています。 現在、ターボ分子ポンプに代表されるように、クリーンな真空を得ることは 技術的に可能ですが、定容量法ガス吸着装置は複数のバルブと配管・ ジョイントを有する為、サンプル部を高真空に到達することは困難です。 図は、電磁弁と空気作動弁の放出ガスの違いを示しています。 当社のホームページにて詳しく紹介していますので、ぜひご覧ください。 ※詳しくは関連リンクをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

粒子が小さくなれば比表面積が増え、当然粒子に細孔があれば 比表面積が増えます。 これはプロセスや反応において重要であり、同じ材料（重量当り、体積当り） でも表面のサイト量や吸着容量が変化することになります。 比表面積を測定することは材料（吸着剤・触媒など）の活性や吸着能力を 知る上で重要なパラメータとなります。 当社のホームページでは、粒子径と表面積の関係などを図でご紹介しています。 ぜひご覧ください。 ※詳しくは関連リンクをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

比表面積は、通常ガス吸着等温線からBET理論（多分子層吸着理論） により解析されます。 BET理論は、固体表面の強い吸着サイトから吸着が始まり、圧力の 上昇に伴い、その次に強い吸着サイトに吸着していきます。 同時に2層目や3層目吸着が起こることをモデルとしています。 当社のホームページでは、図やグラフを用いてご紹介しています。 ぜひ、ご覧ください。 ※詳しくは関連リンクをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

BETの論文にはI型の等温線にBET理論は適用してはならないと 書かれています。 しかし、材料評価の上では比表面積は重要なパラメータであり、 マイクロ孔を持つ材料に対して比表面積はよく計算されています。 では何が問題で、どのようにすればよいのでしょうか？ 当社のホームページでは、図やグラフを用いてご紹介しています。 ぜひ、ご覧ください。 ※詳しくは関連リンクをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

Krを用いて低比表面積を測定できるのか？ 吸着断面積は、Kr(0.202 nm2)、N2(0.162 nm2)とKr分子のほうが 25％も大きく、低比表面積測定に向いていません。 理由は、吸着温度・蒸気圧にあります。 定容量法においてガス吸着量を計算する場合、導入したガス量と 吸着しなかったガス量の差から計算します。 当社のホームページにて、詳しく紹介しています。ぜひご覧ください。 ※詳しくは関連リンクをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

これまで、細孔径は画像の通り定義されていました。 2015年IUPACが改訂され、これまでの細分化をなくし、 NANOPORE（～100 NM）として定義しています。 ※詳しくは関連リンクをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

粉体や機能性材料の細孔分布の代表的な測定方法としては、 ガス吸着法と水銀ポロシメータがあります。 「ガス吸着法」は、主に低温（液体窒素や液体アルゴン）におけるN2や Arガス吸着等温線から解析され、分子サイズ～数百 nmの細孔径測定が可能。 「水銀ポロシメータ」は、材料に濡れにくい水銀を加圧し、試料に圧入する 量から細孔分布を求める方法です。 また、近年フィルターや分離膜の透過孔のみを測定する方法として、 「ガス透過法」や「バブルポイント法」もあります。 当社のホームページにて詳しく紹介していますので、ぜひご覧ください。 ※詳しくは関連リンクをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

細孔内では、ガス分子にはその周りの細孔壁からの引力が働き、 平面より低い圧力で細孔内凝縮が始まります。 この凝縮圧力は細孔径に関係します。 当社のホームページでは、吸着等温線と細孔径の関係を 図や表を用いて詳しくご紹介しています。 ぜひご覧ください。 ※詳しくは関連リンクをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

マイクロ孔の解析理論としては、t-plot、 HK、 SF、 DR-plot、 NLDFT、 GCMC法 などがあります。 t-plot、 DR-plotは、細孔容積や内・外部比表面積を算出するのに用いられ、 HK、 SF、 NLDFT、 GCMCは、マイクロ孔分布を算出するのに有効な方法です。 マイクロ孔解析理論は、細孔壁と吸着分子の距離が短いため、平面吸着や メソ孔に対する吸着理論の様に簡単ではありません。細孔形状は、シリンダーや スリット型の細孔と仮定され、細孔壁は原子や吸着質パラメータを選択する 必要があります。 当社のホームページにて詳しく紹介しています。ぜひご覧ください。 ※詳しくは関連リンクをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

メソ孔の解析理論としては、BJH、 CI、 DH法(シリンダー型)や Innes法(スリット型)があります。 これらは毛管凝縮理論(ケルビン式)に基づき計算され、一般的に メソ孔(2 nm)以上の細孔径に適用されます。 当社のホームページにて、詳しく紹介しております。さらに、 相対圧と細孔半径の関係を表で掲載しています。ぜひご覧ください。 ※詳しくは関連リンクをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

「非局在化密度汎関数法」および「コンピューターシミュレーション法」は、 多孔性材料の細孔分布の新しい評価方法として近年発達してきました。 この理論により多くの材料や吸着質の吸着が説明され、マイクロ孔や メソ孔の細孔分布解析に利用されるようになりました。この新しい 細孔分布評価方法は、従来メソ孔とマイクロ孔で使い分けていた理論を、 単一の理論での全領域の細孔分布の解析を可能としました。 また従来、信頼性に欠けていたマイクロ孔領域の細孔分布の精度を向上。 これらの理論の特長は、古典的細孔分布解析理論では細孔内吸着相が 液体状態であると仮定（Kelvin理論）していたものを、固体表面からの 吸着密度の周期的な変化を解析したことです。 当社のホームページでは、図を用いて詳しくご紹介しています。 ぜひご覧ください。 ※詳しくは関連リンクをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

過去から現在においても、ガス吸着からの細孔分布は、吸着あるいは 脱着側の等温線のどちらを使用するべきかの論議があります。 この吸脱着ヒステリシスは、異なる径の細孔が連結していることによる 段階的な脱着機構（パーコレーション）によるものと考えられており、 脱着側からの細孔分布解析は注意が必要です。 一般的には、吸着側等温線から解析する細孔分布において、問題が少なく 真値に近いといわれています。 当社のホームページでは、図や表を用いて詳しくご紹介しています。 ぜひご覧ください。 ※詳しくは関連リンクをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

細孔分布を表現する方法にはいくつかの種類があります。 異なる分布を示しますが、すべて正しく物理的な意味があります。 ここでシリンダー型の細孔モデルを仮定。半径がrで長さがLの 細孔があります。 当社のホームページでは、この細孔の側面積と体積を表す式や 細孔分布の縦軸の表現を数学的に解いています。 また、実際にBAM-PM-103基準試料の窒素吸着等温線の吸着側から、 BJH法にて解析した例をグラフで掲載し、詳しくご紹介しています。 ぜひご覧ください。 ※詳しくは関連リンクをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。