『scia Mill 150/200』は、マイクロウエーブECRソース(218mm径)の イオンビームミリング装置です。 プロセスは、イオンビームエッチング/ミリング(IBE/IBM)、 反応性イオンビームエッチング(RIBE)、ケミカルアシストイオンビーム エッチング(CAIBE)となっております。 ご用命の際は、当社へお気軽にご相談ください。 【特長】 ■最大150又は200mmウエハ基板対応 ■マイクロウエーブECRソース(218mm径) ■RFタイプソース(350mm径) ■エッチング角度及びステージ傾斜・回転機構 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

『scia Trim 200』は、高精度・高スループットによる 膜厚エッチング制御のイオンビームトリミング装置です。 最大200mmウエハ基板対応しており、歩留改善。 また、プロセスはイオンビームトリミング(IBT)となっております。 ご用命の際は、お気軽にご相談ください。 【特長】 ■最大200mmウエハ基板対応 ■歩留改善 ■高精度・高スループットによる膜厚エッチング制御 ■メカニカルクランプ又は静電チャック対応 ■サブナノメーターエッチング機構 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

『scia Magna 200』は、回転式単体マグネトロンの マグネトロンスパッタ装置です。 アプリケーションは、TC-SAW向け温度補償膜(SiO2)、AlN等圧電膜、 光学用高・低屈折膜、絶縁膜(Si3N4, SiO2, Al2O3)です。 また、プロセスはマグネトロンスパッタとなっております。 ご用命の際は、当社へお気軽にご相談ください。 【特長】 ■最大200mm径基板 ■回転式単体マグネトロン(最大径300mm) ■共焦式4マグネトロン ■ダブルリングマグネトロン(Fraunhofer FEP) ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

『scia Coat 200/500』は、最大200mmウエハ基板又は 300mm×500mm基板対応の製品です。 プロセスは、イオンビームスパッタリング(IBS)、 イオンビームエッチング(IBE)、デュアルイオンビーム スパッタリング(DIBS)となっております。 ご用命の際は、お気軽にご相談ください。 【特長】 ■最大200mmウエハ基板又は300mm×500mm基板対応 ■最大5(220mm径)又は4(300mm径)ターゲット搭載 ■RFソース(120mm～350mm) ■リニアマイクロウエーブECRソース(2×380mm長) ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

『scia Cube 300/450/750』は、300×300mm、450×450mm、 750×750mm基板対応のマイクロウエーブPECVD/エッチング装置です。 プロセスは、マイクロウエーブPECVD、反応性イオンエッチング(RIE)と なっております。 ご用命の際は、当社へお気軽にご相談ください。 【特長】 ■300×300mm、450×450mm、750×750mm基板対応 ■基板バイアス機構 ■基板冷却加熱機構(-10～850℃) ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。