『SI 500』は、ICPパワーによるイオン密度の制御のICP-RIEです。 独自のPTSA200ICPソースによる10＾12[イオン/cm3]の 高いプラズマ密度により高エッチレートを実現。 また、バイアスパワーによるイオンエネルギーの制御で 低ダメージエッチングとなっております。 【特長】 ■ICPパワーによるイオン密度の制御 ■バイアスパワーによるイオンエネルギーの制御 ■ICPソースと基板電極間の間隔調整によるラジカル供給の最適化 ■低ダメージエッチング ■高選択性エッチング ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

『SI 500 D』は、ICPパワーによるイオン密度の制御のICPECVDです。 独自のPTSA200ICPソースによる10＾12[イオン/cm3]の高いプラズマ密度により 低温成膜、低ダメージ、高コンフォマリティーを実現 ご用命の際は、当社へお気軽にご相談ください。 【特長】 ■ICPパワーによるイオン密度の制御 ■オプションのバイアスパワーによるイオンエネルギーの制御 ■リアクター圧力、分離されたガス供給ラインとICPソースと基板電極間の 　間隔調整によるプロセスの最適化 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

『SLI 670』は、波長が670/980nmのプラズマ装置用 エンドポイントモニターです。 プラズマ装置の上部の窓からレーザービームを照射し サンプルからの反射光を測定し膜厚を測定します。 ご用命の際は、当社へお気軽にご相談ください。 【特長】 ■波長：670/980nm ■スポットサイズ：100μm ■モーター駆動ステージ ■反射率、干渉モード ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

『3ICP＋2cassetteモジュール』は、さまざまなモジュールを 搭載可能なクラスターツールです。 ICPRIEモジュールの「SI 500-1M」をはじめ、RIEモジュールの 「SI 500 RIE-1M」や、PECVDモジュールの「SI 500 PPD-1M」、 ALDモジュール「SI ALD-1M」などを搭載可能 ご用命の際は、当社へお気軽にご相談ください。 【搭載可能モジュール】 ■SI 500-1M：ICPRIE モジュール ■SI 500 D-1M：ICPECVD モジュール ■SI 500 RIE-1M：RIE モジュール ■SI 500 PPD-1M：PECVD モジュール ■SI ALD-1M：ALD モジュール ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。