主な測定・評価項目 主な測定・評価項目 ・測定Max感度 : C=2x10-5pF for S/N=1 （温度・周波数スキャンに可変時） ・トラップ濃度：Nt＜10-5INd-Na) ・I-V/C-Vプロット ・捕獲断面積測定 ・電界依存性測定 ・トラップ深さ測定 ・Mos測定

【その他の特長】 ■簡単に深さ方向のプロファイル、トラップの分布状態、元素及び欠陥の特定ができる ■不良及び結晶欠陥の解析に有効 ■測定結果をライブラリーにある汚染物質のDLTS信号の羅列と比較することで、 　容易に汚染物質の特定が可能 ■高感度アナログ／デジタルロックイン平均法を採用したユニークなシステム ■オペレーターフレンドリーなソフトを装備 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

ライフタイム測定装置 WT-2000は、u-PCD法でのマッピング測定が可能であり、太陽電池、半導体のマーケットに非常に多くの実績があります。 シリコン・ブロック/ウェハーのライフタイム測定をし、マッピング表示が可能です。 ※ シリコンウェハー/ブロックのインライン全自動測定装置もございます。