【特徴】 ○３次元流路対応 ○内部流路のめっき処理を実現 →耐腐食性が向上し、モジュールとしての長寿命化が可能 ○外形サイズ/流路デザインのカスタム対応 ○シームレス(接合部無し)を実現 →高圧条件での使用が可能 →液漏れやガス漏れが一切無し ○ダイヤモンドターニング加工対応による､高精度仕上げ 一デバイス搭載面の平面性や端面シャーブエッジ加工が可能 ●その他機能や詳細については、カタログをダウンロードもしくはお問い合わせ下さい。

【特徴】 ○120W級LD搭載可能 ○熱膨張係数(CTE)8ppm/℃を実現 　→サブマウントを不要とし、LD素子の直接実装が可能 ○LDモジュールの長寿命化が可能 　・LD接合エリアのCTEをコントロール 　・内部流路をAuめっき処理し、耐腐食性を向上 ○LD接合エリアへのAuSn蒸着処理 ○レーザ技術の研究で知られる独Fraunhofer研究所(ILT)と共同開発 ●その他機能や詳細については、カタログをダウンロードもしくはお問い合わせ下さい。

【材料】 ■本体：Cu(OFHC)/CuW10 ■リード：Kv、Cu、Mo ■絶縁：Al203(92-96%) 【メタライゼーション】 ■全面：Ni 1.0-5.0μm/Au 0.1-0.3μm 【その他オプション】 ■AuSnはんだ蒸着 ■ダイヤモンドターニング仕上げ(Cuタイプのみ) ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

【オプション】 ■継ぎ手部のタップ加工が可能 ■ダイヤモンドターニング加工による高精度仕上げ 　・デバイス搭載面の平面性や端面シャープエッジ加工が可能 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

【特性】 ■材料特性：絶縁性 ■熱伝導率(W/m･K)：190～250※ ■熱膨張率(ppm)：6 ～10※ ■電気抵抗率(Ω･m)：　- ■最大使用電圧(V)：<200 ■比誘電率(@1MHz)：9 ■誘電体損失(Tanδ)：5×10-4 ※設計によりコントロールが可能 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

【材料】 ■組成：W90/Cu10 ■熱伝導率：170W/m･K ■熱膨張率：6.5ppm/℃ 【精度】 ■面粗さ：Ra<0.4 ■反　り：5.0μm以下 ■エッジR：20.0μm以下 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

【加工製品例】 ■マイクロチャンネルクーラー ■マウント/キャリア ■高耐圧型シームレスマイクロチャネル ■Cu-AlN-Cuサブマウント ■CuWサブマウント ■ガラス貫通配線基板(TGV) ■キャビティガラス/キャップガラス　ほか ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

【製品例】 ■マイクロチャンネルクーラー ■CuWサブマウント ■絶縁型Cu-AlN-Cuサブマウント ■高耐圧型シームレスマイクロチャンネル ■マウント/キャリア ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

【その他取扱製品】 ■その他の製品 　・シリコン製品 　・各種材料　加工製品 ■開発製品 　・3D配線基板 　・HY製品 　・Si+Glass一体基板 　・TGV（CuめっきVia） ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。