D-processの製品・サービス一覧

W2W接合を得意とする当社では、C2W加工サービスを行っております。 W2Wにおけるアライメントのズレや、ワイヤボンディング等 従来技術に対しての高効率化、省電力化などに対応。 HBM、FO-WLPにおける高精度で低コストな3次元実装を実現します。 【特長】 ■高精度アライメントによるC2WTB対応 ■パラレルC2Wによる高効率積層化 ■C2WからW2W接合展開による効率化加工 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

• 加工受託

当社では『接合前CMP受託加工』を承っております。 接合前CMPの加工実績の一例として、半導体及び化合物半導体で使われる材料 Si、Cu、W、Ta、TaN、SiO2、TEOS、GaAs、SiC、GaN、InP 同種接合及びこれら相互の異種材料接合が可能です。 CMP受託加工でお客様のウェーハを処理する以前に、多数の自社実験から 裏付けされた確かな技術でお客様のニーズにお応え致します。 【加工実績一例】 ■単結晶酸化物 ・LiNbO3、LiTaO3、Al2O3(サファイア)など ■多結晶材料 ・Poly-Si,SiC,Al2O3/YAGなど ■金属 ・Au、Pt、Ag、Cu、Ti、TiN、Ni、W、Al、Sn、Pb、Znなど ■セラミクッス ・アルミナ、フェライト、ジルコニア ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

• 加工受託

当社では『TSV CMP受託加工』を承っております。 通常の半導体用Cu CMPに用いられるCu slurryに対して 10倍近くの加工速度を確保しているスラリーを用いたCMPプロセスを 適用しているため短時間に処理を終えることができます。 当社のCMP受託加工では、超高速Cu CMPの確立により 超高精度且つ低価格を実現しております。 【特長】 ■加工時間を短縮 ■加工精度の向上にも寄与 ■超高速Cu CMPプロセス ■ディッシングを極限まで低減 ■超高精度且つ低価格を実現 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

• 加工受託

当カタログは、CMP及びウェハ直接接合試作・量産、それに伴う プロセスの移管を行うD-processの総合カタログです。 CMP受託加工をはじめ、ウエーハ接合受託加工やシード層形成・ めっき受託加工などについて詳しく掲載しております。 【掲載内容（抜粋）】 ■CMP受託加工 ■ウエーハ接合受託加工 ■シード層形成・めっき受託加工 ■その他プロセス受託加工 ■バックグラインディング（薄片化）・ラッピング/ダイアモンドポリッシング ■エッジ処理・ダイシング ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

• 加工受託