神港精機の製品・サービス一覧

信頼性の高い標準型のハードウェアと豊富な実績に支えられ、神港精機は1967年に1号機を世に送り出して以来、多くの分野で活躍しています。柔軟で先進的なソフトウェアにより常に最先端を切り開く最新型の装置の装置を提供しています。

『ウェハプロセス用真空蒸着装置』は、6インチまでのウェハへの 電極膜形成に対応したバッチタイプ蒸着装置です。 ディスクリートIC、化合物IC、MEMSデバイスの量産用途に 豊富な実績を持っています。膜厚均一性に優れた成膜機構と高速排気を 実現するオイルフリー排気系により高品質の電極膜を安定して形成が可能。 量産用途の蒸着装置として高い稼働率を誇ります。 【特長】 ■信頼性の高い基本構成 ■豊富なオプション機構　 ・蒸発源、多連式電子銃（10kw）、抵抗加熱蒸発源、多元同時蒸着機構 ・高温加熱（最高550℃）＝3面プラネタリードーム　 ・基板クリーニング、イオンガン、ＲＦボンバード機構 ・基板ドーム、3面プラネタリードーム、公転ドーム、高温加熱用公転ドーム ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

『研究開発用真空蒸着装置』は、 大学・公的研究機関や基礎実験用に適した小型蒸着装置シリーズです。 コンパクトな筐体に電子蒸発源を標準装備した前扉型と全手動で抵抗加熱源を 基本構成とした簡易実験型の2機種をラインアップしています。 両機種（前扉型・簡易実験型）とも目的・コストに合わせて柔軟な 仕様対応が可能。デモ機を常設し、サンプルテスト対応いたします。 【特長】 ■実績豊富なハードと柔軟なコスト対応 ■目的に合わせた豊富なオプション機構(高温加熱・基板冷却・多元同時蒸着・ 　有機物用蒸発源　リフトオフプロセス対応） ■プラズマ電極・RFコイルなどのイオン化機構・プラズマ電極追加対応 ■サンプルテストからハードのカスタマイズ、納入後のフォローまで 　一貫した顧客対応 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

『リフトオフプロセス対応真空蒸着装置』は、 化合物半導体やSAWデバイスなど光デバイスや高周波・通信デバイスに 多用されるリフトプロセスに対応した専用蒸着装置です。 蒸発源に電子銃と抵抗加熱電極を装備しており、高融電極膜や貴金属を含む 厚膜の形成が可能。 基板への蒸発粒子の入射角の垂直性に優れており、成膜時の基板の温度上昇を 防ぐ各種機構（基板水冷機構、電子銃用反射電子トラップ、輻射光防止対策） により低温蒸着が可能です。 【特長】 ■蒸着粒子の基板への入射角の垂直性（90°±3°at6インチウェハ） ■基板水冷機構による低温蒸着（70℃以下＝実績値） ■大口径排気系による高速排気とクリーンなバックグラウンドによる緻密な膜質 ■豊富なオプション類による柔軟なハード＆ソフト対応（枚葉式＝CtoC化 　ロードロック化　複合プロセス化＝ロードロック化＋他プロセス室接合） ■デモ機を常設し、サンプルテスト対応可能 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

当社では、真空・酸素雰囲気(常圧)・還元雰囲気(常圧)の雰囲気での 処理が選択できる急昇降温型の「横型アニール装置」を取り扱っています。 6インチまでの各種基板(ウェハ、セラミック、ガラス、実装基板)の処理に 対応しており、薄膜やウェハのアニール、ナノ金属ペーストの焼成、 有機材のキュアなど多くの用途に実績を持っています。 御評価をご希望の方はサンプルテストをお受けしております。 仕様詳細や対応可能なテスト内容などにつきましてはお問い合わせください。 【特長】 ■各種雰囲気(真空、N2、O2、H2)での均一な加熱処理(～900℃) ■加熱炉体の移動による急速冷却 ■石英チューブによるクリーン雰囲気中処理 ■幅広い用途への対応 ※詳しくは、お気軽にお問い合わせ下さい。

当社では、フィルムや金属箔などフレキシブルな基板のクリーニング・親水化などの 表面処理に適したRtoR式の「プラズマ処理装置」を取り扱っています。 真空プラズマにより基板や目的に合わせたプロセスガスやプラズマモードが 選択でき、大気圧プラズマでは困難なプロセスに対応しています。 実績豊富な巻取式スパッタリング装置と基本構造を共通化しており、 信頼性の向上とコスト低減を図っています。 薄膜成膜前の表面処理に有効で、有機物の除去や親水化などに 大きな効果が得られます。 【特長】 ■真空プラズマによる効果的な表面処理 ■プラズマモードが選択可能（DC・RF／イオンガン）でプロセスの最適化 ■柔軟なカスタマイズ対応 ※詳しくは、お気軽にお問い合わせ下さい。

水素の還元力を最大限に活用し従来に無い薄膜・基板表面の高品位化を実現 デリケートな化合物デバイスや誘電体基板の熱処理（べーく・アニール）に最適。 実績と経験に支えられた信頼性の高いハード構成で安全性も確保 電極・配線膜の高品質化に、高融点金属膜の抵抗値・応力制御に研磨後のウェハの終端処理に、特殊用途の熱処理に多くの実績を元に初期段階からテストを含めて対応

基板の枚葉搬送を基本としたロードロックタイプスパッタリング装置、上位機種（マルチチャンバタイプ）のプロセスチャンバと搬送機構を共用。 高いレベルの膜質要求に対応、各種ＩＣ（ディスクリートＩＣ、カスタムＩＣ，化合物）の量産・試作。 次世代デバイスの開発（強誘電体膜開発、配向性窒化膜形成）に実績のソフト＆ハード ＵＶ－ＬＥＤ用テンプレート用ＡｌＮ膜、センサー用酸化膜、高均一性電極膜、薄膜ヒーター、強誘電体（ＰＺＴ）膜、その他多くの実績

ＵＶ－ＬＥＤの製造の低コスト化に必要なサファイア基板へのＡｌＮテンプレートをスパッタで作成。１００arc／ｓｅｃ以下のＣ軸配向性を持つＡｌＮ膜を低温（７００℃以下）でスパッタリングで形成。 シンプルかつ安定したプロセスとハイスループット性でＵＶ－ＬＥＤの低コスト化に貢献。 サンプルテストに対応中、高周波デバイスへの展開も開発中。

業界でトップクラスの真空ポンプの排気ユニット。 長年に渡り多数の納入台数を誇る 水封式真空ポンプ/油回転真空ポンプ/ドライポンプと メカニカルブースタの組合せにより 新たな性能と価値を実現。 乾燥・蒸留・脱気などのケミカルプロセス、 脱ガスなどの冶金用途、 硬質膜コーティング装置やＣＶＤ装置、 樹脂成型などの一般工業用途など、 幅広い用途の真空排気の問題を解決！

標準仕様では対応の困難な各種用途・基板に積極対応。 Ｒ＆Ｄ・ディスクリート・化合物・ＭＥＭＳ・パッケージ・実装工程・マスク・小型ＦＰＤ　多くの基板に専用機構を用意。 基板のトレイ搬送も標準対応、大気側の基板ハンドリングで異種基板の同一装置での成膜・処理を実現。 各用途専用カソード（ワイドエロージョン・強磁性体・酸化物・リアクティブ用）に加え特殊基板機構（高温加熱・磁場印加・冷却等）で幅広い用途に対応。社内デモ機によるプロセステストを基に専用装置を個別設計。

精密レンズ金型のコーティングに必要な耐熱性の高い耐摩耗膜のに形成に最適。レンズ金型のコーティングに適したＰｔやＲｕなどの貴金属合金を多元同時スパッタで小径カソードで効率的に形成。またナノ多層構造の積層膜により耐熱性と硬度に優れた膜も形成可能。 精密レンズ金型のような基板を高速に加熱できる特殊基板台と専用ロードロック機構でスループット向上を実現。

実績豊富な真空半田付装置の基本構成を応用。半田付用の熱板加熱で高速熱処理。 高密度実装基板・プリント板の成膜前の脱ガス・乾燥。セラミックス材料の乾燥など多用途に最適。 太陽電池セルの低温べ―クや薄膜のアニールにも有効でインライン化にも対応。

ケミカルプロセスに多大な実績を持つ真空ポンプ（水封式真空ポンプとメカニカルブースタ）をユニット化。 ＣＶＤ装置のプロセス特性・ガス種・排気量に合わせてポンプ材質と周辺機器を最適化。 主排気ポンプの水封式真空ポンプを封液循環式とし、循環式封液にアルカリ性溶液を使用し、塩素系ガスの排気と中和を両立。後段のガス処理装置の負荷を大きく削減。 特に表面処理用の熱ＣＶＤ装置の塩素系ガスの排気系に有効で工具や金型・半導体用治具の生産に多数使用中。 Ｓｉエピタキシャル成長時やエッチング時のの塩素系ガスの排気にも応用可能。 主ポンプのの水封式真空ポンプもALLステンレス製を採用し耐食性にも優れた専用真空排気システム

Ｓｉプロセスに実績豊富なアニール装置を化合物半導体プロセス用にカスタマイズ。 ＧａＡｓ用のホットプレートタイプに比べ高温（９００～１０００℃）まで対応。 窒化膜半導体の電極の合金化に実績。 急速昇降温型の加熱炉を装備し、均一な加熱と最適な温度プロファイルで電極膜のアニールを制御。 生産量・プロセスにあわせて最適な装置構成を提案可能な実績豊富なウェハプロセス用熱処理装置。

新開発アークフィラメント型イオンプレーティング法により従来に無かったＰＶＤ法による」ＳｉＣ成膜を実現。 ４００℃以下の低温で緻密で耐摩耗性・耐酸化性に優れたＳｉＣ膜を形成可能とした新成膜技術を採用。 個体シリコンを出発材料としたイオンプレーティング法のためシンプルで環境負荷の少ないクリーンなプロセスを実現。 膜厚や膜質の制御性も高くＣＶＤに比べ、排ガス処理・メンテナンス性・設置面積・ランニングコストの全てに優れた新成膜装置

化合物半導体のエピタキシャル層や研磨後のＳｉウェハのアニールなど特殊な用途に対応した専用アニール装置。 高真空排気後に大気圧まで水素のみで雰囲気置換を実施、高純度還元雰囲気中で高温（１０００℃）均一加熱

面実装タイプの受動電子部品（抵抗器・コンデンサ）などの側面電極をドライプロセスで形成。 廃液処理不要なクリーンプロセス。部品の端面のみに強い密着力で電極被膜を形成。Ｓｎ、Ｎｉ等の金属膜をハイスループットで形成。（酸化膜形成にも対応） 実績豊富なハードと独自の成膜プロセスで小型電子部品の生産プロセスのドライ化・低コスト化、安定生産に貢献いたします。

従来に無い水素フリーDLC膜（膜中水素含有量１％以下）を量産装置で実現 成膜プロセスに水素を使用しない高密度プラズマスパッタ技術を採用、新方式PVD装置（ADMS＝アーク放電式マグネトロンスパッタリング装置） 水素フリーの緻密なDLC膜は従来の水素含有DLC膜に比べＭｏ添加の潤滑油中の摺動特性を１／１５以下に低減（１⇒０．０６） 最新成膜プロセスで導電性カーボン薄膜の形成にも対応。バイオ用途から新エネルギーまで幅広い分野で用途を開拓しています。 新開発アーク放電式マグネトロンカソードによる低電圧・低圧力プラズマは成膜だけでなく基板表面のイオン窒化やエッチングにも応用されており、成膜前処理、下地硬化からコーティングまで高品質一貫処理。 本装置（アーク放電式マグネトロンスパッタリング装置）の水素フリーDLC膜（ADMSーCN膜）は今までのDLC（硬質膜形成）にとどまらない新たなドライプロセスとしてプラズマ表面処理技術新たな可能性を大きく拡げています。