<30W ローパワー・エッチング制御精度10mW ダメージレス・繊細なエッチング処理を実現
【nanoETCH(ナノエッチ)】Model. ETCH5A <30W(制御精度10mA)低出力RFエッチングによる、精細でダメージレスなエッチング処理を実現。 2010年グラフェン発見でノーベル賞受賞者率いる マンチェスター大学グラフェン研究グループとの共同開発製品。
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基本情報
【特徴・主なアプリケーション】 • 2D(遷移金属カルゴゲナイド, 材料転写後のグラフェン剥離):表面改質クリーニング • PMMA, PPA等のポリマーレジスト除去 • テフロン基板などのダメージを受けやすい基板での表面改質、エッチング • h-BNサイドウオールエッチング(*『フッ化ガス供給モジュール』オプション, SF6ガス系統要) • SiO2エッチング(*『フッ化ガス供給モジュール』オプション, CHF3ガス系統要) 【仕様】 ◉ 対応基板:〜Φ6inch ◉ 7"タッチパネル簡単操作 PLC自動シーケンス ◉ APC自動圧力制御 ◉ ガス最大3系統(Ar, O2標準付属) *N2、又はフッ化ガス系増設 ◉ PCソフトウエア付属:自動エッチングレシピ作成・保存・保存、データロギング 【寸法・ユーティリティ】 寸法:750(W) x 500(D) x 400(H)mm 電源:200V 単相 15A プロセスガス:0.17Mpa 99.99%推奨 ベントガス:34-41kpa 冷却水:1L/min, 400kpa, 18-20℃ 圧縮空気:413-550Kpa
価格情報
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納期
用途/実績例
グラフェン・TMDC等の2Dアプリケーション PPA・PPMA等のレジスト除去 テフロン基板などへのダメージレスエッチング、など。
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企業情報
【Endless possibility_thermal engineering...】 当社は半導体・電子機器基礎研究用真空薄膜装置、CVD基板加熱用超高温ヒーター、実験炉、温度計測機器などを販売しております。 いつの時代でも欠かす事のできない「熱」に対する尽きぬ需要、基礎技術開発分野での様々なご要求にお応えすべく、最新の機器を紹介し、日本の研究開発に貢献してまいりたいと考えます。