緻密な酸化膜厚膜（～１０μｍ）を高速形成。新開発イオン化機構搭載 ＣＶＤ代替高密度イオンプレーティング装置
緻密で耐プラズマ性の高いイットリア膜やＳｉＣ膜を高速形成。 高密度プラズマによる反応性プロセスによりCVDより低温で溶射法より緻密な膜質を実現。 半導体関連部品にも応用可能なクリーンな成膜プロセスを実現。 PVD法のため装置のメンテナンスも容易で低コスト。 絶縁膜（酸化膜・炭化膜）を高速形成。緻密な厚膜を高速形成。従来型のイオンプレーティング法の弱点を克服。 新たな表面機能を生み出す用途創成型最新ＰＶＤ装置
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基本情報
電子銃による各種材料の安定蒸発と新型イオン化機構による高密度プラズマで反応膜を高速形成。 各種生成膜 硬質耐酸化性膜：ＳｉＣ 耐プラズマ性膜：Ｙ²Ｏ³ 硬質窒化膜 ：ＴｉＮ，ＣｒＮ，ＴｉＣ 硬質酸化膜 ：ＡＩ²Ｏ³ 半導体製造装置部品の表面処理膜から精密金型の耐酸化性コーティングまで新機能表面処理用コーティング装置
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用途／実績例
金型表面処理 非球面レンズ：ＳｉＣ膜 半導体部品 治工具：ＳＩＣ Ｙ²Ｏ³
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企業情報
神港精機は技術主導のメーカーとして、特に真空機器分野において蓄積した数々のノウハウを生かし、ユーザーニーズに沿った革新的な製品を送り出しています。 又、近年はエレクトロニクス・新素材などの最先端分野へ挑戦し特長ある技術の高度化と有機的結合により、真に価値のあるハードウェアとソフトウェアの開発を目指し取り組んでいます。
