CAEの製品一覧

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【重量物の取り扱いによる作業負担を軽減!】お客様の課題を解決した導入事例5選を収録!ワークに応じた無料相談、テストも受付中!

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JIS・ISO規格の解説資料進呈。豊富な製品シリーズから好適な安全柵をご提案!デモキット無料貸出。

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  • その他安全・衛生用品

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様々なアプローチにより不具合解析・分析を行った事例を掲載しています!

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分子構造から解析する、アイテスの技術力を図や表とともにわかりやすく解説!

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液晶中の微量金属元素分析

信頼性試験前後のパネルを用いてICP測定を行い、定量化を行った事例を ご紹介します。 LCDの液晶分子はパネル内で配向しており、電圧により液晶の配向状態が 変わる事で表示が制御されます。金属元素のようなイオン性物質がパネル 内部に存在すると液晶が正しく駆動せず表示不良が発生。 イオン性物質は、製造時の混入や長期使用で増加することが知られており、 定量化して把握する事がパネル品質として重要です。 金属イオンは、ICP分析を用いることで定量分析を行うことが可能であり、 前処理方法や検出感度の違いにより、ICP-AES/MSを使い分けて行います。 【解析内容】 ■ICP-AES分析による金属元素含有量の比較 ■ICP-MS分析による金属元素含有量の比較 詳しくは下記関連製品・カタログよりご覧いただけます。

ネジ(Cu2Zn)について、EBSDによる解析例をご紹介致します。

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SACはんだとNiパッド界⾯の化合物の解析例

Sn-Ag-Cu系はんだとNiPパッド界⾯に形成される化合物の解析例をご紹介 いたします。 NiPパッドとSn-Ag-Cu系はんだの界面には(Ni,Cu)3Sn4や(Cu,Ni)6Sn5等 の化合物が成⻑しており、EDXによる面分析では化合物中にNiやCu、Snの 分布が⾒られます。 EBSD法は試料の持つ結晶構造の情報を基に解析する手法です。 EDXによる元素分析と合わせて解析することで組成を推定することができ、 Ni3Sn4やCu6Sn5の結晶データを代用して解析することが可能な場合があります。

グラフに現れた特長を可視化!結晶サイズの分布や、結晶方位の配向性を確認できます

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SACはんだとNiパッド界⾯の化合物の解析例

Sn-Ag-Cu系はんだとNiPパッド界⾯に形成される化合物の解析例をご紹介 いたします。 NiPパッドとSn-Ag-Cu系はんだの界面には(Ni,Cu)3Sn4や(Cu,Ni)6Sn5等 の化合物が成⻑しており、EDXによる面分析では化合物中にNiやCu、Snの 分布が⾒られます。 EBSD法は試料の持つ結晶構造の情報を基に解析する手法です。 EDXによる元素分析と合わせて解析することで組成を推定することができ、 Ni3Sn4やCu6Sn5の結晶データを代用して解析することが可能な場合があります。

EBSD法により、結晶状態や残留応力の推測が可能!BGAの解析例をご紹介します

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SACはんだとNiパッド界⾯の化合物の解析例

Sn-Ag-Cu系はんだとNiPパッド界⾯に形成される化合物の解析例をご紹介 いたします。 NiPパッドとSn-Ag-Cu系はんだの界面には(Ni,Cu)3Sn4や(Cu,Ni)6Sn5等 の化合物が成⻑しており、EDXによる面分析では化合物中にNiやCu、Snの 分布が⾒られます。 EBSD法は試料の持つ結晶構造の情報を基に解析する手法です。 EDXによる元素分析と合わせて解析することで組成を推定することができ、 Ni3Sn4やCu6Sn5の結晶データを代用して解析することが可能な場合があります。

はんだ接合部における金属間化合物の結晶解析例をご紹介いたします

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SACはんだとNiパッド界⾯の化合物の解析例

Sn-Ag-Cu系はんだとNiPパッド界⾯に形成される化合物の解析例をご紹介 いたします。 NiPパッドとSn-Ag-Cu系はんだの界面には(Ni,Cu)3Sn4や(Cu,Ni)6Sn5等 の化合物が成⻑しており、EDXによる面分析では化合物中にNiやCu、Snの 分布が⾒られます。 EBSD法は試料の持つ結晶構造の情報を基に解析する手法です。 EDXによる元素分析と合わせて解析することで組成を推定することができ、 Ni3Sn4やCu6Sn5の結晶データを代用して解析することが可能な場合があります。

Cu板における圧縮前後での変化を観察!圧縮前後の結晶粒径の半化を比較できます

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SACはんだとNiパッド界⾯の化合物の解析例

Sn-Ag-Cu系はんだとNiPパッド界⾯に形成される化合物の解析例をご紹介 いたします。 NiPパッドとSn-Ag-Cu系はんだの界面には(Ni,Cu)3Sn4や(Cu,Ni)6Sn5等 の化合物が成⻑しており、EDXによる面分析では化合物中にNiやCu、Snの 分布が⾒られます。 EBSD法は試料の持つ結晶構造の情報を基に解析する手法です。 EDXによる元素分析と合わせて解析することで組成を推定することができ、 Ni3Sn4やCu6Sn5の結晶データを代用して解析することが可能な場合があります。

EBSDパターン(菊池パターン)、金ワイヤーボンド接合部の解析例をご紹介します

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Sn-Ag-Cu系はんだとNiPパッド界⾯に形成される化合物の解析例をご紹介 いたします。 NiPパッドとSn-Ag-Cu系はんだの界面には(Ni,Cu)3Sn4や(Cu,Ni)6Sn5等 の化合物が成⻑しており、EDXによる面分析では化合物中にNiやCu、Snの 分布が⾒られます。 EBSD法は試料の持つ結晶構造の情報を基に解析する手法です。 EDXによる元素分析と合わせて解析することで組成を推定することができ、 Ni3Sn4やCu6Sn5の結晶データを代用して解析することが可能な場合があります。

不良モードに適した様々な手法を組み合わせることで、不良ノードの特定から物理解析までを一貫して対応

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SiCデバイスの前加工→リーク箇所特定→物理解析/成分分析までスルー対応!

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Talos F200E導入のお知らせ

当社では、透過型電子顕微鏡システム FEI製「Talos F200E」を導入します。 従来機と比べTEM・STEMの分解能が向上し、4本の検出器でEDS分析が可能に なるなど性能が大幅に強化されます。 また、ドリフト補正をしながら複数のフレームを積算する、ドリフト補正 フレーム積算(DCFI)なども搭載しております。

SiCパワーデバイスでも、特定箇所の断面作製、拡散層の形状観察、さらに配線構造、結晶構造解析まで一貫対応が可能です!

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LCD部品、製品の品質状態を確認!液晶パネルの各構造を当社の持つ分析手法と知見で解析致します!

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COG実装の導電粒⼦形状観察

COG実装の導電粒⼦形状観察についてご紹介します。 ICと液晶パネルはACF(異⽅性導電フィルム)を⽤いたCOG⽅式により実装。 核に樹脂ボールを使⽤し、その表面に導電のための⾦属層(ニッケルや⾦など) が成膜されており、接続時に粒⼦が適度に変形し、ICとパネルを電気的に接続。 粒⼦の変形具合や接続状態を確認するため、断面観察を⾏ったところ、 粒⼦変形量は「中」であり、適度な変形具合であることがわかりました。 平面⽅向と断面⽅向から導電粒⼦の変形具合を確認することで表⽰不良との関連性 を探ることができます。パネル関連の不具合調査はお気軽にご連絡ください。

故障箇所→拡散層評価を含めた物理解析/化学分析までスルー対応いたします!

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素材ポリアミドイミドやIR装置による分析結果、データ解析などをを分かりやすく掲載!

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化学分析 おまかせサービス

当社で取り扱う『化学分析 おまかせサービス』をご紹介いたします。 製品上の異物やシミなどの成分分析を⾏う際、有機分析が適しているのか、 無機分析が適しているのか、また、有機・無機分析の中でもどの分析が好適 なのか、分析手法の選定についてお困りのお客様へ、一括サービスを提供。 分析装置はそれぞれ測定できる対象が異なるため、情報をもとに、 目的に合った手法を選ぶ必要があります。

金属酸化物などの無機化合物の分析も可能です!

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当社で取り扱う『化学分析 おまかせサービス』をご紹介いたします。 製品上の異物やシミなどの成分分析を⾏う際、有機分析が適しているのか、 無機分析が適しているのか、また、有機・無機分析の中でもどの分析が好適 なのか、分析手法の選定についてお困りのお客様へ、一括サービスを提供。 分析装置はそれぞれ測定できる対象が異なるため、情報をもとに、 目的に合った手法を選ぶ必要があります。

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