半導体製造装置の製品一覧
- 分類：半導体製造装置
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【重量物の取り扱いによる作業負担を軽減！】お客様の課題を解決した導入事例5選を収録！ワークに応じた無料相談、テストも受付中！
- その他搬送機械
モジュラー組込式の為必要な成膜方法に応じ都度フレキシブルに専用機の組立が可能。様々な研究用途に対応可能な小型薄膜実験装置。
- スパッタリング装置
- 蒸着装置
- エッチング装置
4元マルチスパッタ装置 【MiniLab-S070】
Φ2inchカソード x 4搭載 同時成膜：3元同時成膜（RF150W or DC780W）+ HiPIMS（PulseDC 5KW） x 1 プラズマリレーSWでHMI画面より自在に4カソードへの電源分配・配置設定の変更が可能 MFC x 3系統（Ar, O2, N2）反応性スパッタリング RIEエッチングステージRF150W（メインチャンバー） + <30Wソフトエッチング（LLチャンバー） 基板加熱：Max500℃, 800℃, 又は1000℃（C/C、又はSiCコート） 基板回転・上下昇降（ステッピングモーター自動制御） APC自動制御：アップストリーム（MFC流量調整）又はダウンストリーム（排気側バルブ自動開度調整） デポレート・膜厚レート制御 寸法：1,120(W) x 800(D) ●抵抗加熱蒸着・有機材料蒸着・EB蒸着・PECVDなどの混在仕様も構成可能です。
コンパクト、70ℓ容積チャンバーにスパッタ・蒸着・EB・アニールなどの薄膜モジュールを組込み、様々な用途に対応するマルチ薄膜装置
- スパッタリング装置
- 蒸着装置
- CVD装置
4元マルチスパッタ装置 【MiniLab-S070】
Φ2inchカソード x 4搭載 同時成膜：3元同時成膜（RF150W or DC780W）+ HiPIMS（PulseDC 5KW） x 1 プラズマリレーSWでHMI画面より自在に4カソードへの電源分配・配置設定の変更が可能 MFC x 3系統（Ar, O2, N2）反応性スパッタリング RIEエッチングステージRF150W（メインチャンバー） + <30Wソフトエッチング（LLチャンバー） 基板加熱：Max500℃, 800℃, 又は1000℃（C/C、又はSiCコート） 基板回転・上下昇降（ステッピングモーター自動制御） APC自動制御：アップストリーム（MFC流量調整）又はダウンストリーム（排気側バルブ自動開度調整） デポレート・膜厚レート制御 寸法：1,120(W) x 800(D) ●抵抗加熱蒸着・有機材料蒸着・EB蒸着・PECVDなどの混在仕様も構成可能です。
蒸着・スパッタ・EB・アニールなどの薄膜モジュールをご要望の構成で組み立てることができるセミカスタムメイド薄膜実験装置
- 蒸着装置
- スパッタリング装置
- アニール炉
4元マルチスパッタ装置 【MiniLab-S070】
Φ2inchカソード x 4搭載 同時成膜：3元同時成膜（RF150W or DC780W）+ HiPIMS（PulseDC 5KW） x 1 プラズマリレーSWでHMI画面より自在に4カソードへの電源分配・配置設定の変更が可能 MFC x 3系統（Ar, O2, N2）反応性スパッタリング RIEエッチングステージRF150W（メインチャンバー） + <30Wソフトエッチング（LLチャンバー） 基板加熱：Max500℃, 800℃, 又は1000℃（C/C、又はSiCコート） 基板回転・上下昇降（ステッピングモーター自動制御） APC自動制御：アップストリーム（MFC流量調整）又はダウンストリーム（排気側バルブ自動開度調整） デポレート・膜厚レート制御 寸法：1,120(W) x 800(D) ●抵抗加熱蒸着・有機材料蒸着・EB蒸着・PECVDなどの混在仕様も構成可能です。
蒸着・スパッタ・EB・アニールなどの薄膜モジュールをご要望の構成で組み立てることができるセミカスタムメイド薄膜実験装置
- 蒸着装置
- スパッタリング装置
- エッチング装置
4元マルチスパッタ装置 【MiniLab-S070】
Φ2inchカソード x 4搭載 同時成膜：3元同時成膜（RF150W or DC780W）+ HiPIMS（PulseDC 5KW） x 1 プラズマリレーSWでHMI画面より自在に4カソードへの電源分配・配置設定の変更が可能 MFC x 3系統（Ar, O2, N2）反応性スパッタリング RIEエッチングステージRF150W（メインチャンバー） + <30Wソフトエッチング（LLチャンバー） 基板加熱：Max500℃, 800℃, 又は1000℃（C/C、又はSiCコート） 基板回転・上下昇降（ステッピングモーター自動制御） APC自動制御：アップストリーム（MFC流量調整）又はダウンストリーム（排気側バルブ自動開度調整） デポレート・膜厚レート制御 寸法：1,120(W) x 800(D) ●抵抗加熱蒸着・有機材料蒸着・EB蒸着・PECVDなどの混在仕様も構成可能です。
小型、省スペース! 研究開発に最適 蒸着・スパッタ・アニール等目的に合わせてフレキシブルに構成
- 蒸着装置
- スパッタリング装置
- アニール炉
4元マルチスパッタ装置 【MiniLab-S070】
Φ2inchカソード x 4搭載 同時成膜：3元同時成膜（RF150W or DC780W）+ HiPIMS（PulseDC 5KW） x 1 プラズマリレーSWでHMI画面より自在に4カソードへの電源分配・配置設定の変更が可能 MFC x 3系統（Ar, O2, N2）反応性スパッタリング RIEエッチングステージRF150W（メインチャンバー） + <30Wソフトエッチング（LLチャンバー） 基板加熱：Max500℃, 800℃, 又は1000℃（C/C、又はSiCコート） 基板回転・上下昇降（ステッピングモーター自動制御） APC自動制御：アップストリーム（MFC流量調整）又はダウンストリーム（排気側バルブ自動開度調整） デポレート・膜厚レート制御 寸法：1,120(W) x 800(D) ●抵抗加熱蒸着・有機材料蒸着・EB蒸着・PECVDなどの混在仕様も構成可能です。
小型、省スペース! 研究開発に最適 蒸着・スパッタ・アニール等目的に合わせてフレキシブルに構成
- 蒸着装置
- スパッタリング装置
- エッチング装置
4元マルチスパッタ装置 【MiniLab-S070】
Φ2inchカソード x 4搭載 同時成膜：3元同時成膜（RF150W or DC780W）+ HiPIMS（PulseDC 5KW） x 1 プラズマリレーSWでHMI画面より自在に4カソードへの電源分配・配置設定の変更が可能 MFC x 3系統（Ar, O2, N2）反応性スパッタリング RIEエッチングステージRF150W（メインチャンバー） + <30Wソフトエッチング（LLチャンバー） 基板加熱：Max500℃, 800℃, 又は1000℃（C/C、又はSiCコート） 基板回転・上下昇降（ステッピングモーター自動制御） APC自動制御：アップストリーム（MFC流量調整）又はダウンストリーム（排気側バルブ自動開度調整） デポレート・膜厚レート制御 寸法：1,120(W) x 800(D) ●抵抗加熱蒸着・有機材料蒸着・EB蒸着・PECVDなどの混在仕様も構成可能です。
モジュラー組込式の為必要な成膜方法に応じ都度フレキシブルに専用機の組立が可能。様々な研究用途に対応可能な小型薄膜実験装置。
- スパッタリング装置
- 蒸着装置
- アニール炉
4元マルチスパッタ装置 【MiniLab-S070】
Φ2inchカソード x 4搭載 同時成膜：3元同時成膜（RF150W or DC780W）+ HiPIMS（PulseDC 5KW） x 1 プラズマリレーSWでHMI画面より自在に4カソードへの電源分配・配置設定の変更が可能 MFC x 3系統（Ar, O2, N2）反応性スパッタリング RIEエッチングステージRF150W（メインチャンバー） + <30Wソフトエッチング（LLチャンバー） 基板加熱：Max500℃, 800℃, 又は1000℃（C/C、又はSiCコート） 基板回転・上下昇降（ステッピングモーター自動制御） APC自動制御：アップストリーム（MFC流量調整）又はダウンストリーム（排気側バルブ自動開度調整） デポレート・膜厚レート制御 寸法：1,120(W) x 800(D) ●抵抗加熱蒸着・有機材料蒸着・EB蒸着・PECVDなどの混在仕様も構成可能です。
グローブボックス収納可能 PVDフレキシブル薄膜実験装置 高さ570mmトールチャンバー採用 蒸着時の均一性向上に寄与
- 蒸着装置
- スパッタリング装置
- エッチング装置
4元マルチスパッタ装置 【MiniLab-S070】
Φ2inchカソード x 4搭載 同時成膜：3元同時成膜（RF150W or DC780W）+ HiPIMS（PulseDC 5KW） x 1 プラズマリレーSWでHMI画面より自在に4カソードへの電源分配・配置設定の変更が可能 MFC x 3系統（Ar, O2, N2）反応性スパッタリング RIEエッチングステージRF150W（メインチャンバー） + <30Wソフトエッチング（LLチャンバー） 基板加熱：Max500℃, 800℃, 又は1000℃（C/C、又はSiCコート） 基板回転・上下昇降（ステッピングモーター自動制御） APC自動制御：アップストリーム（MFC流量調整）又はダウンストリーム（排気側バルブ自動開度調整） デポレート・膜厚レート制御 寸法：1,120(W) x 800(D) ●抵抗加熱蒸着・有機材料蒸着・EB蒸着・PECVDなどの混在仕様も構成可能です。
蒸着・スパッタ・EB等ご要望によりフレキシブルに構成可能。 高さ570mmトールチャンバー採用 蒸着時の均一性向上に寄与
- 蒸着装置
4元マルチスパッタ装置 【MiniLab-S070】
Φ2inchカソード x 4搭載 同時成膜：3元同時成膜（RF150W or DC780W）+ HiPIMS（PulseDC 5KW） x 1 プラズマリレーSWでHMI画面より自在に4カソードへの電源分配・配置設定の変更が可能 MFC x 3系統（Ar, O2, N2）反応性スパッタリング RIEエッチングステージRF150W（メインチャンバー） + <30Wソフトエッチング（LLチャンバー） 基板加熱：Max500℃, 800℃, 又は1000℃（C/C、又はSiCコート） 基板回転・上下昇降（ステッピングモーター自動制御） APC自動制御：アップストリーム（MFC流量調整）又はダウンストリーム（排気側バルブ自動開度調整） デポレート・膜厚レート制御 寸法：1,120(W) x 800(D) ●抵抗加熱蒸着・有機材料蒸着・EB蒸着・PECVDなどの混在仕様も構成可能です。
高機能マルチスパッタリング装置 6元マルチスパッタ（Φ4inch用） 4元マルチスパッタ（Φ6, 8inch用）
- スパッタリング装置
- 蒸着装置
- エッチング装置
4元マルチスパッタ装置 【MiniLab-S070】
Φ2inchカソード x 4搭載 同時成膜：3元同時成膜（RF150W or DC780W）+ HiPIMS（PulseDC 5KW） x 1 プラズマリレーSWでHMI画面より自在に4カソードへの電源分配・配置設定の変更が可能 MFC x 3系統（Ar, O2, N2）反応性スパッタリング RIEエッチングステージRF150W（メインチャンバー） + <30Wソフトエッチング（LLチャンバー） 基板加熱：Max500℃, 800℃, 又は1000℃（C/C、又はSiCコート） 基板回転・上下昇降（ステッピングモーター自動制御） APC自動制御：アップストリーム（MFC流量調整）又はダウンストリーム（排気側バルブ自動開度調整） デポレート・膜厚レート制御 寸法：1,120(W) x 800(D) ●抵抗加熱蒸着・有機材料蒸着・EB蒸着・PECVDなどの混在仕様も構成可能です。
2台の薄膜実験装置をロードロック機構で連結。異なる成膜装置（スパッタ、蒸着、など）をロードロックでシームレスに連結
- スパッタリング装置
- 蒸着装置
- エッチング装置
4元マルチスパッタ装置 【MiniLab-S070】
Φ2inchカソード x 4搭載 同時成膜：3元同時成膜（RF150W or DC780W）+ HiPIMS（PulseDC 5KW） x 1 プラズマリレーSWでHMI画面より自在に4カソードへの電源分配・配置設定の変更が可能 MFC x 3系統（Ar, O2, N2）反応性スパッタリング RIEエッチングステージRF150W（メインチャンバー） + <30Wソフトエッチング（LLチャンバー） 基板加熱：Max500℃, 800℃, 又は1000℃（C/C、又はSiCコート） 基板回転・上下昇降（ステッピングモーター自動制御） APC自動制御：アップストリーム（MFC流量調整）又はダウンストリーム（排気側バルブ自動開度調整） デポレート・膜厚レート制御 寸法：1,120(W) x 800(D) ●抵抗加熱蒸着・有機材料蒸着・EB蒸着・PECVDなどの混在仕様も構成可能です。
小型・省スペース! 有機薄膜開発に好適 蒸着・スパッタ・アニール等全ての作業をグローブボックス内でシームレスに行う事ができます。
- 蒸着装置
4元マルチスパッタ装置 【MiniLab-S070】
Φ2inchカソード x 4搭載 同時成膜：3元同時成膜（RF150W or DC780W）+ HiPIMS（PulseDC 5KW） x 1 プラズマリレーSWでHMI画面より自在に4カソードへの電源分配・配置設定の変更が可能 MFC x 3系統（Ar, O2, N2）反応性スパッタリング RIEエッチングステージRF150W（メインチャンバー） + <30Wソフトエッチング（LLチャンバー） 基板加熱：Max500℃, 800℃, 又は1000℃（C/C、又はSiCコート） 基板回転・上下昇降（ステッピングモーター自動制御） APC自動制御：アップストリーム（MFC流量調整）又はダウンストリーム（排気側バルブ自動開度調整） デポレート・膜厚レート制御 寸法：1,120(W) x 800(D) ●抵抗加熱蒸着・有機材料蒸着・EB蒸着・PECVDなどの混在仕様も構成可能です。
半導体産業向け！プロセス分析計 / オンライン分析計で現像液中の水酸化テトラメチルアンモニウム(TMAH)をモニタリング！
- 分析機器・装置
- ウエハー
- 半導体検査/試験装置
半導体製造向け過酸化水素トリメチルアミンと標準陽イオンの測定をイオンクロマトグラフィー法で測定
- イオンクロマトグラフ
- 半導体検査/試験装置
- 分析機器・装置
定番の免震装置「ISO-Base」後付・再構成・再使用が可能！IT装置の地震保護が驚くほど簡単になりました
- その他半導体製造装置
2011年2月2日（水）〜4日（金）第32回工業技術見本市「テクニカルショウヨコハマ」に出展します。
パシフィコ横浜で開催するテクニカルショウヨコハマに出展いたします。 展示会の出品は、 鍵管理はお任せ！「ICキーターミナル」 入退室管理システム 生産管理システム、生産スケジューラー などを出展します。 この機会に是非、製品をご覧ください。 ご招待券ご希望の場合は、info@biss.co.jp まで「招待券希望」と書いて、お送り先をご連絡ください。イプロスページからでも結構です。 下記は詳細をご覧いただけます。 http://www.ipros.jp/company/254201/products_detail000000040.html
研磨が難しいとされているサンプル研磨を容易にするために、ドクターラップに改良を加えた低周速式の卓上小型の精密研磨機
- ウエハ加工/研磨装置
研磨が難しいとされているサンプル研磨を容易にするために、ドクターラップに改良を加えた低周速式の卓上小型の鏡面研磨機
- ウエハ加工/研磨装置
研磨が難しいとされているサンプル研磨を容易にするために、ドクターラップに改良を加えた低周速式の卓上小型の試料研磨機
- ウエハ加工/研磨装置
研磨が難しいとされているサンプル研磨を容易にするために、ドクターラップに改良を加えた低周速式の卓上小型の平面研磨機
- ウエハ加工/研磨装置
研磨したい材料・目的・研磨方式に応じた研磨機選びのご参考に。加工効率は正しい機種選定によって大きく向上します。
- ウエハ加工/研磨装置
【展示会出展！】BGA基板、リードフレームの表面改質に好適！独自システムの採用により、真空RIEプラズマに近い処理効果を実現！
- アッシング装置
鋳物の試作品の納期でお困りではありませんか？鋳鉄、アルミ鋳物、ステンレス鋳物(ロストワックス鋳造)の「鋳物試作サービス！」
- その他半導体製造装置
タングステン芯線は次世代の半導体生産用 ダイヤモンドマルチワイヤソー の芯線です
- ウエハ加工/研磨装置
極細タングステン芯ダイヤモンドワイヤは、次世代の半導体生産用材料です
- ウエハ加工/研磨装置
大豆・小豆・黒豆の表面を光沢仕上げ！ 非水洗で栄養を守る大豆研磨機・除塵機・豆クリーナー
- その他食品機械
- ウエハ加工/研磨装置
毒性ガス漏洩の緊急時に無害化します。（高圧ガス保安法一般則第55条第1項 対応可）
- CVD装置
- プラズマ表面処理装置
- ガス回収/処理装置
大気放出できない装置から排出される有害排気ガスを安全に除害処理します。現地での排気ガス成分分析による処理剤設計もします。
- CVD装置
- プラズマ表面処理装置
- ガス回収/処理装置
2021年12月15日(水)～17日(金)】SEMICON Japan 2021 Hybridへ出展します
株式会社巴商会は、2021年12月15日(水)～12月17日(金)に東京ビックサイトで 開催されます『SEMICON Japan 2021 Hybrid』に出展いたします。 安全・安心・安定を提供し、お客様や社会の発展に貢献することを今年の テーマとし、ガスの供給から除害まで、国内から海外まで、省エネ製品を 含め、幅広いサービスおよび設備をご紹介予定です。 【主な出展品目（予定）】 ■有機金属化合物 - Dockweiler Chemicals社製品 ■有機金属化合物 - Nouryon社製品 ■容器元弁遮断装置「VS / AVS」 ■ガス供給システム「Smartシリーズ、TMシリーズ」 ■排ガス処理装置「MAKシリーズ」、新製品（参考出展） ■横浜研究所 ■感染症対策製品 皆様のご来場を心よりお待ちいたしております。
製膜スピードＵＰ＆高い密着性！導入コストや維持費も低いＤＬＣコーティング装置
- プラズマ発生装置
- CVD装置
- プラズマ表面処理装置
熱反射×レーザー技術で、LITでは検出が難しかった金属層下の発熱箇所を2μmまで絞り込み、発熱解析の限界を突破します。
- 半導体検査/試験装置
- 欠陥検査装置
