アニール炉の製品一覧

  • 分類:アニール炉

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電池の基本概念から、利用目的・実現方法による分類までを体系化。複雑な電池選定の第一歩を、初心者目線で分かりやすくまとめました

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静電式により高い捕集率を実現。大型から小型まで豊富なラインアップを展開。水溶性オイルミストにも対応

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トロリーライン対応 通過型乾燥炉 ドライテック

塗装用乾燥機「ドライテック」は、トロリーライン対応可能です。 山形乾燥炉など、古くからトロリーラインに対応している「ドライテック」は、バッチ式乾燥機もトロリーラインに対応可能です。 立ち上がりが早いドライテックは、生産性が良く、しかも、燃費効率も良い熱交換器を内蔵。 拡張性に富んだパネル構造の天井内部に、トロリーラインを設計。自動式、手動式に対応可能です。

Max1000℃、MFC最大3系統、APC圧力制御、4"、又は6"基板対応、 高真空アニール装置(<5 × 10-7 mbar)

  • アニール炉
  • 加熱装置
  • 電気炉

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4元マルチスパッタ装置 【MiniLab-S070】

Φ2inchカソード x 4搭載 同時成膜:3元同時成膜(RF150W or DC780W)+ HiPIMS(PulseDC 5KW) x 1 プラズマリレーSWでHMI画面より自在に4カソードへの電源分配・配置設定の変更が可能 MFC x 3系統(Ar, O2, N2)反応性スパッタリング RIEエッチングステージRF150W(メインチャンバー) + <30Wソフトエッチング(LLチャンバー) 基板加熱:Max500℃, 800℃, 又は1000℃(C/C、又はSiCコート) 基板回転・上下昇降(ステッピングモーター自動制御) APC自動制御:アップストリーム(MFC流量調整)又はダウンストリーム(排気側バルブ自動開度調整) デポレート・膜厚レート制御 寸法:1,120(W) x 800(D) ●抵抗加熱蒸着・有機材料蒸着・EB蒸着・PECVDなどの混在仕様も構成可能です。

トレイ搬送にも対応可能!優れた基板温度分布およびガスフロー方式を実現

  • スクリーンショット 2021-06-23 092529.png
  • アニール炉
  • 加熱装置

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基板加熱温度最高1000℃!基板表面加熱プロセス特有の元素抜けを軽減!

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  • 加熱装置
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R&D~量産まで使用可能!3~6インチウェーハ対応の自動搬送搭載縦型炉

  • アニール炉

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炉内は横3.5m、縦3.5m、奥行7.0m。大型ワークの熱処理が可能!

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  • 加熱装置
  • 工業炉
  • アニール炉

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半導体・電子デバイス・燃料電池・ディスプレイなどの研究開発用各種実験装置、薄膜実験装置を紹介。

  • スパッタリング装置
  • 蒸着装置
  • アニール炉

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4元マルチスパッタ装置 【MiniLab-S070】

Φ2inchカソード x 4搭載 同時成膜:3元同時成膜(RF150W or DC780W)+ HiPIMS(PulseDC 5KW) x 1 プラズマリレーSWでHMI画面より自在に4カソードへの電源分配・配置設定の変更が可能 MFC x 3系統(Ar, O2, N2)反応性スパッタリング RIEエッチングステージRF150W(メインチャンバー) + <30Wソフトエッチング(LLチャンバー) 基板加熱:Max500℃, 800℃, 又は1000℃(C/C、又はSiCコート) 基板回転・上下昇降(ステッピングモーター自動制御) APC自動制御:アップストリーム(MFC流量調整)又はダウンストリーム(排気側バルブ自動開度調整) デポレート・膜厚レート制御 寸法:1,120(W) x 800(D) ●抵抗加熱蒸着・有機材料蒸着・EB蒸着・PECVDなどの混在仕様も構成可能です。

Φ6〜8inch超高温ウエハーアニール装置 研究開発から小規模生産まで多目的に幅広く対応するハイパフォーマンス機

  • アニール炉
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4元マルチスパッタ装置 【MiniLab-S070】

Φ2inchカソード x 4搭載 同時成膜:3元同時成膜(RF150W or DC780W)+ HiPIMS(PulseDC 5KW) x 1 プラズマリレーSWでHMI画面より自在に4カソードへの電源分配・配置設定の変更が可能 MFC x 3系統(Ar, O2, N2)反応性スパッタリング RIEエッチングステージRF150W(メインチャンバー) + <30Wソフトエッチング(LLチャンバー) 基板加熱:Max500℃, 800℃, 又は1000℃(C/C、又はSiCコート) 基板回転・上下昇降(ステッピングモーター自動制御) APC自動制御:アップストリーム(MFC流量調整)又はダウンストリーム(排気側バルブ自動開度調整) デポレート・膜厚レート制御 寸法:1,120(W) x 800(D) ●抵抗加熱蒸着・有機材料蒸着・EB蒸着・PECVDなどの混在仕様も構成可能です。

Φ6〜8inch超高温ウエハーアニール装置 研究開発から小規模生産まで多目的に幅広く対応するハイパフォーマンス機

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4元マルチスパッタ装置 【MiniLab-S070】

Φ2inchカソード x 4搭載 同時成膜:3元同時成膜(RF150W or DC780W)+ HiPIMS(PulseDC 5KW) x 1 プラズマリレーSWでHMI画面より自在に4カソードへの電源分配・配置設定の変更が可能 MFC x 3系統(Ar, O2, N2)反応性スパッタリング RIEエッチングステージRF150W(メインチャンバー) + <30Wソフトエッチング(LLチャンバー) 基板加熱:Max500℃, 800℃, 又は1000℃(C/C、又はSiCコート) 基板回転・上下昇降(ステッピングモーター自動制御) APC自動制御:アップストリーム(MFC流量調整)又はダウンストリーム(排気側バルブ自動開度調整) デポレート・膜厚レート制御 寸法:1,120(W) x 800(D) ●抵抗加熱蒸着・有機材料蒸着・EB蒸着・PECVDなどの混在仕様も構成可能です。

コンパクト・省スペース・省エネルギー! 高性能 R&D用超高温実験炉

  • アニール炉

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4元マルチスパッタ装置 【MiniLab-S070】

Φ2inchカソード x 4搭載 同時成膜:3元同時成膜(RF150W or DC780W)+ HiPIMS(PulseDC 5KW) x 1 プラズマリレーSWでHMI画面より自在に4カソードへの電源分配・配置設定の変更が可能 MFC x 3系統(Ar, O2, N2)反応性スパッタリング RIEエッチングステージRF150W(メインチャンバー) + <30Wソフトエッチング(LLチャンバー) 基板加熱:Max500℃, 800℃, 又は1000℃(C/C、又はSiCコート) 基板回転・上下昇降(ステッピングモーター自動制御) APC自動制御:アップストリーム(MFC流量調整)又はダウンストリーム(排気側バルブ自動開度調整) デポレート・膜厚レート制御 寸法:1,120(W) x 800(D) ●抵抗加熱蒸着・有機材料蒸着・EB蒸着・PECVDなどの混在仕様も構成可能です。

CVD, PVD(蒸着, スパッタ等)均熱性・再現性に優れた高真空 超高温 ウエハー・小片チップ加熱用 プレートヒーター

  • その他半導体製造装置
  • アニール炉
  • CVD装置

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4元マルチスパッタ装置 【MiniLab-S070】

Φ2inchカソード x 4搭載 同時成膜:3元同時成膜(RF150W or DC780W)+ HiPIMS(PulseDC 5KW) x 1 プラズマリレーSWでHMI画面より自在に4カソードへの電源分配・配置設定の変更が可能 MFC x 3系統(Ar, O2, N2)反応性スパッタリング RIEエッチングステージRF150W(メインチャンバー) + <30Wソフトエッチング(LLチャンバー) 基板加熱:Max500℃, 800℃, 又は1000℃(C/C、又はSiCコート) 基板回転・上下昇降(ステッピングモーター自動制御) APC自動制御:アップストリーム(MFC流量調整)又はダウンストリーム(排気側バルブ自動開度調整) デポレート・膜厚レート制御 寸法:1,120(W) x 800(D) ●抵抗加熱蒸着・有機材料蒸着・EB蒸着・PECVDなどの混在仕様も構成可能です。

Max1000℃、MFC最大3系統、APC圧力制御、4"、又は6"基板対応、 高真空アニール装置(<5 × 10-7 mbar)

  • アニール炉

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4元マルチスパッタ装置 【MiniLab-S070】

Φ2inchカソード x 4搭載 同時成膜:3元同時成膜(RF150W or DC780W)+ HiPIMS(PulseDC 5KW) x 1 プラズマリレーSWでHMI画面より自在に4カソードへの電源分配・配置設定の変更が可能 MFC x 3系統(Ar, O2, N2)反応性スパッタリング RIEエッチングステージRF150W(メインチャンバー) + <30Wソフトエッチング(LLチャンバー) 基板加熱:Max500℃, 800℃, 又は1000℃(C/C、又はSiCコート) 基板回転・上下昇降(ステッピングモーター自動制御) APC自動制御:アップストリーム(MFC流量調整)又はダウンストリーム(排気側バルブ自動開度調整) デポレート・膜厚レート制御 寸法:1,120(W) x 800(D) ●抵抗加熱蒸着・有機材料蒸着・EB蒸着・PECVDなどの混在仕様も構成可能です。

【ホットウオール式熱CVD装置】基礎研究に最適なコンパクトサイズ高性能CVD装置

  • CVD装置
  • アニール炉
  • 加熱装置

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4元マルチスパッタ装置 【MiniLab-S070】

Φ2inchカソード x 4搭載 同時成膜:3元同時成膜(RF150W or DC780W)+ HiPIMS(PulseDC 5KW) x 1 プラズマリレーSWでHMI画面より自在に4カソードへの電源分配・配置設定の変更が可能 MFC x 3系統(Ar, O2, N2)反応性スパッタリング RIEエッチングステージRF150W(メインチャンバー) + <30Wソフトエッチング(LLチャンバー) 基板加熱:Max500℃, 800℃, 又は1000℃(C/C、又はSiCコート) 基板回転・上下昇降(ステッピングモーター自動制御) APC自動制御:アップストリーム(MFC流量調整)又はダウンストリーム(排気側バルブ自動開度調整) デポレート・膜厚レート制御 寸法:1,120(W) x 800(D) ●抵抗加熱蒸着・有機材料蒸着・EB蒸着・PECVDなどの混在仕様も構成可能です。

スパッタカソード・蒸着ソース混在型薄膜実験装置 コンパクトフレームに金属蒸着・有機蒸着・スパッタカソードを設置

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【MiniLab】 蒸着/スパッタ・デュアルチャンバーシステム

2台の薄膜実験装置をロードロック機構で連結。異なる成膜装置(スパッタ - 蒸着、など)をロードロックでシームレスに連結。Moorfield社独自のロードロックシステムにより、左右・後方へのプロセス室への連結も可能(写真下)。 1. MiniLab-E080A(蒸着装置) ・EB蒸着:7ccるつぼ x 6 ・抵抗加熱蒸着 x 2 ・有機蒸着 x 2 2. MiniLab-S070A(スパッタリング装置) ・Φ2"マグネトロンカソード x 4元同時スパッタ ・DC, RF両電源対応 3. Load Lockチャンバー ・プラズマエッチングステージ ロードロック室では「RF/DC基板バイアスステージ」による基板表面のプラズマクリーニング、又、同社独自の『ソフトエッチング』技術による<30W 低出力・ダメージレスプラズマエッチングステージも搭載可能。2D(PMMA等のレジスト除去など)、グラフェン剥離、又、テフロン基板などのダメージを受けやすい繊細なエッチングプロセスも可能。(*メインチャンバーステージへも搭載可能です)

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