ソーラーシミュレータ HAL-320W
太陽光スペクトルの1800nmまで近似したライトガイド照射式の疑似太陽光源です。
AM1.5G基準太陽光の分光放射照度に、350~1800nmの範囲で近似したライトガイド照射式の疑似太陽光源です。 太陽電池・人工光合成などの研究開発に最適です。
- 企業:朝日分光株式会社
- 価格:100万円 ~ 500万円
更新日: 集計期間:2026年01月07日~2026年02月03日
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太陽光スペクトルの1800nmまで近似したライトガイド照射式の疑似太陽光源です。
AM1.5G基準太陽光の分光放射照度に、350~1800nmの範囲で近似したライトガイド照射式の疑似太陽光源です。 太陽電池・人工光合成などの研究開発に最適です。
自動テストに最適なLVDT/RVDT、レゾルバのシミュレーション!
モジュール41-670は、LVDT(線形可変差動変圧器)、RVDT(回転可変差動変圧器)、またはレゾルバのいずれかを使用してモーションや位置を測定するDUT(テスト対象デバイス)の実行に使用できる信号を生成するアクティブ回路を備えています。 41-670は、最大4つのバンクで利用可能で、各バンクは、共有励起信号を利用して、単一の5線式または6線式VDTまたはレゾルバ、またはデュアル4線式の出力をシミュレートし、モジュールは5または6線の最大4チャネル、または4線の8チャネルをシミュレートできます。 ピカリング社のPXIモジュールは、LANやUSBで接続できるLXIシャーシに搭載することができ、 パソコンからの制御も無料ソフトのGSFPや様々言語のAPIで簡単に制御ができます。
照射範囲と距離は50mm×50mmと200mm!ユーザー設定可能なスペクトル制御
『VK-SS-50』は、LED光源を活用したソーラーシミュレーターです。 370nmから1030nmのスペクトルにわたって22の個別の波長で 複数のLEDを独立して駆動。 BluetoothでPCと通信し、全22個のLEDを個別に切り替えて 照射光スペクトルを調整できます。 【特長】 ■0.0001~1.0太陽までの可変出力調整 ■内蔵の強度測定による自動校正 ■20,000時間以上のLED寿命 ■電動サンプルマウントステージ ■30mm×30mm 出力ビームサイズ ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
電気/電子回路や制御系のシミュレーションができます!
電子回路シミュレータCircuitViewer5は、当社で一番人気のあるシミュレータです。 使い易く・回路設計(作成)に最適なシミュレータです。 1.回路を作りながらシミュレーションができる、 インタラクティブ・リアルタイムな電子回路シミュレータです。 2.日本語表記なので、マニュアルがなくても、 誰もが容易に使えるシミュレータです。 3.部品メニューから、部品を選び部品定数(R/L/C/hFE/gmなど)を 設定するだけですぐに使えます。 4.部品定数を自由に設定できるので、回路作成が容易にできます。 5.部品ライブラリ(2SC1815など)ではなく、部品定数を 自由に設定できるので、 部品定数と回路の数式などを 関連付けることができ、回路設計・学習に最適に使えます。 ※詳しくはPDFをダウンロードして頂くか、お問い合わせください。
エレクトロニクス・メカトロニクス・ディジタル信号処理の研究に好適なシミュレータ!
電子回路&ディジタル信号処理シミュレータInterSim5は、 電子回路シミュレータであるCircuitViewer5の全機能を持ち、且つ ディジタル信号処理の様々なアルゴリズムを電子回路と同じように構成して 同時にシミュレーションできるCircuitViewer5の上位互換シミュレータです。 電子回路、制御、ディジタル信号処理のシミュレーションができるので エレクトロニクス、メカトロニクス、ディジタル信号処理の3分野に 最適なシミュレータです。 ※詳しくはカタログをダウンロード、もしくはお問い合わせください。
低価格で使いやすく、リアルタイムな電子回路シミュレータ
『CircuitViewer』は、電気・電子の幅広い設計開発や教育に最適な電子回路 シミュレータです。 各部品の定数を自由・簡単に設定でき、電気・電子のほとんどの回路設計や シミュレーションが可能です。 豊富な部品をサポートしているので、基礎から応用まで、幅広い回路設計が 行える製品です。 【特長】 ■豊富なシミュレーション機能(計測器)をサポート ■環境にあった使い方で大きな改善 ■設計用・研修用データ製作やセミナーなど豊富なサポート ※詳しくはカタログをご覧頂くか、お気軽にお問い合わせ下さい。
ブロック図を書くだけで素早く容易に周波数特性を解析
『DspAnalyzer』は、ブロック図を書く事により、ディジタル信号 処理技術による様々な信号処理アルゴリズムを、時間軸の動作解析と 周波数軸での周波数特性解析を素早く容易に行う事ができる ディジタル信号処理シミュレータです。 豊富な部品をサポートしており、基礎から応用まで信号処理設計を 行う事ができる製品です。 【特長】 ■各部品の定数を自由に・簡単に設定可能 ■豊富なシミュレーション機能(設計機)をサポート ■使い易いリアルタイム・インタラクティブシミュレータ ※詳しくはカタログをご覧頂くか、お気軽にお問い合わせ下さい。
台上試験装置 ロードシミュレータ
全車両の疲労耐久試験に用いられる台上試験装置で、実験室内でホイール・スピンドルを通じて車両のサスペンションに加わる荷重とモーメントを再現します。
世界をリードする研究者、建設会社のための岩石・コンクリート試験、振動台関連、土木関連試験のための専門知識と革新的な技術
付加価値の高い最新デジタル制御技術を採用し高コストパフォーマンスを実現
McLaren Applied TechnologiesとMTSのコラボレーションによる次世代ドライビングシミュレータ
MTS ビークル ダイナミック シミュレータ(VDS) は、McLaren Applied Technologies により設計された次世代のドライビングシミュレータです。この革新的なツールは、自動車メーカーや関連サプライヤーおよびモータースポーツチームに、新しい形の車両開発を提供します。 VDS は、フォーミュラワンの開発、車両モデリングとシミュレーション技術のイノベーションから生まれました。 VDSは「Driver-In-the-Loop」のアプローチを採用し、エンジニアによるコンポーネントや車両性能の主観評価を、実試作の完成前に実現します。 VDS は、高性能が実証されているMcLaren 開発の電動モーション プラットフォームと、rFproグラフィックスに組み合わされた制御アルゴリズムによる、低レイテンシな環境下で、テストドライバーは非常にリアルな走行試験を行うことが可能です。
路面形状や凹凸を高い精度で再現!耐久試験評価も可能な、動作効率を大幅に向上した新モデル
当社の「ePostシステム」は、あらゆる路面条件を再現できる 車両試験(BSR、NVH試験)に最適な、ロードシミュレータです。新モデルは耐久試験まで対応します。 路面形状や凹凸を高精度で再現でき、信頼性の高い車体構造試験が行えます。 この『アイアンコア』モデルでは、従来のエアコア アクチュエータ(リニア電磁式・空気式)に代わりアイアンコア アクチュエータ(リニア電磁式・水冷式)を採用しています。 油圧シミュレータに比べて、運用・保守費用の大幅削減が可能です。 【特長】 ■騒音・きしみ音・ガタ音(BSR)NVH試験、および耐久試験にも対応 ■クリーンなシステムで環境に配慮した試験環境を実現 ■既存の装置に設置可能 ■-40℃から70℃までの環境槽内に設置可能 ■幅広い範囲の車両サイズに対応する3つのモデルを用意 ※詳しくはお問い合わせ下さい。
新たにクロスライト社のFDFDが加わり、FDTDより計算がかなり速く高共振構造も正確に解くことが可能、解析の応用例が広がりました
<主な特徴> ■共振器方向の効果が重要なデバイスの設計・解析に適しています ■モード結合理論と多層膜光学理論によりDFB,DBR,VCSELのような回折格子を 含むレーザダイオードが計算可能 <多様な物理モデルや機能> ■ウェーブガイド・グレーティングの結合係数(1次、2次のグレーティング) ■縦方向のキャリア密度分布、主・副縦モードについての光学利得と光強度 ■2次グレーティングDFBレーザーについての表面放出モード分布の計算 ■異なる縦モードに対する出力と周波数変化 ■サイドモード比、線幅、線幅と出力の積、有効α、2次調和歪み、 表面放出出力(2次グレーティングDFB) ■異なるレーザー面と任意のバイアス条件でのモード出力スペクトル ■異なるバイアス条件と時間におけるモード出力スペクトル ■任意のバイアス条件におけるAM/FM微小信号変調応答、FM/RINノイズスペクトル ■2次調和歪みスペクトル ■その他機能や詳細については、カタログダウンロード もしくはお問い合わせ下さい。 ■試用版のご希望は下記のお問い合わせからご連絡ください
量子井戸でオージェ再結合に起因するリークの解析ツール
LEDの効率の低下に関する様々なモデルをAPSYSは提供可能。(分極電荷(polarization charge)起因の量子井戸と障壁のポテンシャルひずみ。量子障壁(quantum barrier)とEBL(electron blocking layer)を越えるコールドキャリアリーク。ホットキャリア(hot carrier)起因の非局所輸送(non-local transport)。熱電子放出経由の非局所ホットオージェ電子リーク(Auger-thermionic model)。オージェ再結合率に依存する量子井戸からの非局所直接離脱(Auger-direct model)。オージェ再結合率に依存する量子障壁からのホットキャリア非局所放出(Auger-indirect model)。)
プロセス/デバイスシミュレーション統合環境(TCAD)でのLED 3D解析ツール
プロセスシミュレーター(CSuprem)とデバイスシミュレーター(APSYS)を統合したTCADで多重量子井戸(MQW)構造LEDの解析を紹介。ポテンシャル、電流密度、温度とキャリア分布をシミュレートし結果を3Dで表示。デバイス断面構造の設定にはGUIインターフェイスを持ったLayerBuilder(標準付属)を使用。電極などレイアウトパターンは、GDSフォーマット対応の、MaskEdior(標準付属)で作成。これらの情報をもとに、CSupremで3Dメッシュとドーピングプロファイルを生成。デバイスシミュレーター(APSYS)で、電気的な特性(IQEなど)と熱的特性をシミュレーション。また、オプション機能のオプトウィザード(Optowizard)を用いて、光線追跡(raytracing)またはFDTDによる光抽出が可能。
RCLEDデバイスを例にクロスライトのデバイスモデリングと解析
RCLEDの様々なタイプの解析例を紹介。(InGaAs/AlGaAs RCLEDを例に実験結果と比較。VCSELと似た構造をもちGaAs/AlGaAs材料の多重量子井戸(MQW)のRCLED。離調DBR(detuned DBR)を持つRCLED。長い共振器をもつRCLED)デバイスシミュレーターAPSYSはオールインワンの解析とデザインアプローチを可能にする。
InGaN/GaN量子ドットLEDのデバイス解析ツール
LEDデバイスを例に量子ドット(quantum dots)のモデルを解説。量子ドットサイズごとの発光スペクトル(EL spectrum)をシミュレーション。また、実験結果とも比較。量子輸送の有無によるI-V特性をシミュレーション、結果を比較。また、実験結果とも比較。量子効率の解析、比較。量子ドットの密度の違いによる量子効率や発光スペクトルを比較。また、量子ドット(quantum dots)と量子井戸(quantum wells)のLEDデバイスの特性を比較。
青色発光ダイオードにおける分極電荷の効果とデバイス構造最適化のための解析ツール
様々な物理モデル。(ウルツ鉱材料に応じた多重量子井戸(Multiple Quantum Wells)モデルに基づくk.p.理論。表面分極電荷(polarization surface charge)/自己無撞着モデル(self-consistent model)。量子井戸(quantum wells)または量子ドット(quantum dots)のための多体(Manybody)利得(gain)/自然放出(spontaneous emission)理論。非平衡量子輸送モデル(Non-equilibrium quantum transport model)。)InGaN/GaN MQWの青色LEDの特性における分極電荷の効果の有無を比較。(バンド図(band diagram)、ELスペクトル(EL spectrum)、I-V特性(I-V curve)、内部量子効率(IQE: internal quantum efficiency))また、構造の最適化を検討。(インジウム(In: indium)組成の依存性、量子井戸(quantum well)数の依存性、量子井戸(well)/障壁層(barrier)の厚さ依存)
表面構造を持ったInGaN/GaN MQW LEDの3D解析ツール
プロセスシミュレータCSupremで3D構造デバイスを構築。APSYSとFDTDの組合せによる表面構造(textured surface)のモデリング手順を紹介。電気特性と光学特性をAPSYSと3D光線追跡を用いて計算。(FDTDデータで3D光線追跡を行い光パワーを抽出)クロスライトソフトウェアのいくつかのモジュールを組合わせることで表面構造を持つLEDを正確に計算可能。
量子ドットデバイスの3次元解析ツール
量子ドット(quantum dots)デバイスのモデリングは、微視的なモデルを構築・解析しその結果を巨視的なモデルに取りこむ手順を経る。微視モデルは様々な矩形や円柱状の3次元量子ドットが可能。ひずみ効果(strain effect)も考慮。GaN基板のウルツ鉱構造(wurtzite structure)も亜鉛鉱型結晶構造(zincblende structure)と同様に適用可能。巨視的なモデルにおけるバンド図(band diagram)、PLの計算果と実験の結果比較、光利得スペクトル(optical gain spectrum)、広がりなしのスペクトル(spectrum without broadening)、温度依存、利得スペクトル(gain spectra)、レーザ発光の振舞い(lasing behaviour)を例示。
垂直共振器面発光レーザの解析ツール
PICS3D内臓のVCSELモジュールにおける自己無撞着モデルの概要。基本的なVCSELモデリングを解説。また、次のような特徴を紹介。自動VCSEL共振器デザインモジュール(VCSEL cavity design module)、光ポンプVCSEL(optically pumped VCSEL)、多横モードの計算(multi-lateral models calculation)、EIM(effective index method)を用いた多モード共振波長(resonating wavelength of multimode)、非対称(non-symmetric)VCSEL、矩形(rectangular shape)VCSEL、多モード過渡解析(Multimode transient simulation)、垂直外部共振器面発光レーザ(VECSEL: vertical external cavity surface emitting laser)。
フォトニック結晶半導体レーザの3次元解析ツール
クロスライトの3次元TCADはフォトニック結晶半導体レーザ(PhCLD)解析のためのFDTDおよび電気-光シミュレーション環境を統合。クロスライトの3次元TCADは電気的ポンピングPhCLDをデザイン、最適化するためのツール。ユーザーフレンドリーで実用的なGUIはオリジナルのGDSIIレイアウトから最終的にレーザー発光特性のシミュレーションまでをカバー。
InP基板上に多重量子井戸をもつマッハツェンダー型光変調器の物理モデルによる解析ツール
マッハツェンダー型光変調器のシミュレーションには微視的な量子井戸モデルから導波路とシステムに関連する回路モデルまで必要。クロスライトはマッハツェンダー型光変調器の設計に対して統合された最先端のソリューションを提供する。資料では、さまざまな物理的数理的モデルを紹介し、実際のモデリングの例を解説。
タイプII型量子井戸構造を持つ光受光素子の解析ツール
適用可能なモデルと機能を紹介。(タイプ-II型量子井戸(Type-II MQW)の組を150対インプットコマンドでくくるテクニック。複合多重量子井戸(Complex MQW)光利得(optical gain)モデルからタイプ-II型量子井戸の光利得/光吸収スペクトルを求める。タイプ-II型量子井戸のバンドアライメント(band alignments)によって吸収スペクトルをデザイン。量子力学に基づいたミニバンド(mini-band)モデルの効果)
アバランシェフォトダイオードの解析ツール
APD(Avalanche Photodiodes)のシミュレーションで利用されるAPSYSの物理モデルを紹介。(ドリフト拡散(drift-diffusion)と流体力学(hydrodynamic)モデル。衝突電離(impact ionization)と過剰雑音(excess noise)要因。共振状態(Resonant condition))また、APDデバイスのモデリングと解析結果について紹介。(InP/InGaAs SAGCM APDのモデリング。InGaAs/AlGaAs RCE SAGCM APDのモデリング。GaAs/AlGaAs PIN APDのホットキャリア(hot carrier)モデル)
GaN HEMTのデバイス解析ツール
APSYSの電界効果トランジスタ(FET)デバイス解析に利用する物理モデルを説明。量子バリスティック電流輸送(Quantum ballistic current transport)モデルの紹介。APSYSによるGaN HEMTの非平衡グリーン関数法(NEGF: Non-Equilibrium Green's Function)と移動拡散方程式によるシミュレーション結果を比較。I-V特性の形状においてNEGFによる結果は実験結果に類似。
HEMTシミュレーションにおける解析ツール
「GaN/AlGaN HEMTにおける圧電分極(Piezoelectric charge)、核形成層(nucleation layer)と半絶縁トラップ(semi-insulating traps)」、「GaN/AlGaN HEMTにおけるホットキャリアトラップ(Hot Carrier Trapping)」、「InGaAs HEMTにおけるインパクトイオン化効果」の各課題を具体的なデバイスでシミュレーション、結果を解説。
SiC MESFETの3次元デバイス解析ツール
MaskEditorによるマスクパターン設計、CSupremによるプロセスシミュレーション、APSYSによるデバイスシミュレーンまでのフローで設定のポイントを紹介。また計算結果をグラフィカルにプロットし解析のポイントや特性を例示。
ハイボルテージMOSFETの2/3次元デバイス解析ツール
ハイボルテージ(High Voltage) MOSFETを題材に2次元/3次元シミュレーションを紹介。内容:プロセスシミュレーターCSupremとデバイスシミュレーターAPSYSのモデルを概観、プロセスシミュレーションについて解説、300V LDMOSのブレークダウン(Breakdown)の解析、フローティングゲート(floating gates)の3次元シミュレーション、ハイブリッドIGBT(hybrid IGBT)の3次元シミュレーション。
半導体デバイス設計とクロスライトソフトウェアのTCADを利用例
クロスライトの各製品の詳細を事例をもとに紹介。クロスライトのAuto TCADを解説。
ガン・ダイオードのモデリングと解析のためのツール
ガン・ダイオード(Gunn Diode)のデバイスモデリング、シミュレーション解析結果を解説。ガン・ダイオードの自励発振をデモンストレーション。摂動を伴った過渡シミュレーションが効果を観察する鍵。不均質なキャリア/電場のプロファイルが自励発振のもととなる鍵。過渡的な移動拡散は確率的なノイズ起因のモデルでないため、摂動はユーザーによって定義されるべき。