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現行品および製造中止(EOL)品を含む15億個以上の製品在庫
テキサス・インスツルメンツのアナログおよびミックスド・シグナル製品は業界で高く評価されており、ロチェスターの製品在庫のなかでも最も大きな割合を占めています。 アンプ、データコンバータ、センサ、RFワイヤレス、およびパワーマネジメント製品を幅広く取り揃えており、様々な機能とパッケージを提供しています。 ロチェスターで保有するテキサス・インスツルメンツの製品在庫は、現行品および製造中止品を含み、メーカー認定そして製品履歴の追跡が可能です。 詳しくはぜひカタログをダウンロード、もしくはお気軽にお問合せください！ ★ご使用中の半導体製品の在庫入手でお困りではありませんか？ ロチェスターでは、アナログ・デバイセズ、インフィニオン、オンセミ、ルネサス エレクトロニクス、NXPなどの主要メーカーから認定を受け、メーカー正規品在庫を販売しています。
【もう入手不可で悩まない！】EOL対策の決定版！半導体複製のDO-254対応ガイドを無料進呈中
航空・防衛分野で使用される半導体は、製造中止（EOL：End of Life）リスク に直面することが少なくありません。 特にDO-254適合が求められる製品では、代替品の選定や再設計の負担が大きく、開発の遅延やコスト増加につながります。 本資料では、DO-254準拠の設計・検証手法 に加え、製造中止リスクに対応する戦略を詳しく解説。 長期供給を見据えた設計・検証プロセスの最適化についても紹介しています。 【資料の内容】 ■DO-254とは？ 半導体設計における適用範囲 ■DO-254適合と製造中止リスクの関係 ■設計・検証段階でできるEOL対策 ■代替品選定とリスク回避のポイント 製造中止リスクを低減し、DO-254適合を実現するための実践ガイドは カタログダウンロードボタンからスグにダウンロードいただけます。
長期にわたる軍事・防衛アプリケーションのニーズをサポート/製造中止品(EOL品)の再生産
ロチェスターエレクトロニクスはDLA Land and MaritimeからMIL-PRF-38535の認定を受けたQMLメーカーです。軍事および航空宇宙用途向けにクラスQおよびクラスVの半導体製品を提供しています。 また、QML製品ラインに加えて、当社は商業用および工業用製品も幅広く提供しています。顧客の管理された図面に合わせたカスタムフローを提供することができます。 詳しくはぜひカタログをダウンロード、もしくはお気軽にお問合せください！ ★ご使用中の半導体製品の在庫入手でお困りではありませんか？ ロチェスターでは、アナログ・デバイセズ、インフィニオン、オンセミ、ルネサス エレクトロニクス、NXPなどの主要メーカーから認定を受け、メーカー正規品在庫を販売しています。
製造中止品および現行品の継続供給サポート/製造中止品(EOL品)の再生産
ロチェスターには、オンセミのアナログおよびミックスド・シグナル製品の在庫として、 260万個以上、2万種類を超える製品群を保有。それらの多くは、オンセミが提供しているパワーマネジメントおよびパワーディスクリート製品で構成された、メーカー認定で製品履歴および製品保証された製品です。 ★ご使用中の半導体製品の在庫入手でお困りではありませんか？ ロチェスターでは、アナログ・デバイセズ、インフィニオン、オンセミ、ルネサス エレクトロニクス、NXPなどの主要半導体メーカーから認定を受けた正規販売代理店として、メーカー正規品在庫を保有し販売しています。 製造中止製品(EOL品)も再生産ソリューションにより継続的にご使用いただけます。 ※オリジナル半導体メーカー認定のソリューションについて、ぜひ「PDFダウンロード」よりご覧ください。 また下記リンクからも詳細ご確認をいただけます。
“再生産”と“エミュレーション”の違いをご存じですか？/製造中止品(EOL品)の再生産
ロチェスターエレクトロニクスは、民間航空、軍事、産業用制御、および医療機器のライフサイクルの要求に対応する再生産品を提供しています。 オリジナル半導体メーカーに認定された再生産および移管された半導体製品のリーダーとして、ロチェスターの再生産品のポートフォリオには、マイクロプロセッサ、DSP、マイクロコントローラ、ミックスド・シグナル、フルデジタル、またはアナログ設計が含まれています。 航空業界の顧客は、ロチェスターと提携をすることで、マイナーチェンジを簡素化する製品の再生産、またはクローンの作成により、コストのかかるDO-254再認証パスを回避しています。 ★ご使用中の半導体製品の在庫入手でお困りではありませんか？ 製造中止製品(EOL品)も再生産ソリューションにより継続的にご使用いただけます。 ※オリジナル半導体メーカー認定のソリューションについて、ぜひ「PDFダウンロード」よりご覧ください。 また下記リンクからも詳細ご確認をいただけます。
ライフサイクルの長いシステムにおける半導体製品のリスクを軽減/製造中止品(EOL品)の再生産
ロチェスターエレクトロニクスは、重要な半導体製品の継続供給のニーズをサポートしています。AS6496 に準拠した正規販売代理店およびメーカー認定の製造メーカーとして、当社は民生用、産業用、オートモーティブ用、そしてミリタリーグレードの半導体製品について、オリジナル半導体メーカーが製品を製造中止とした後も継続供給サポートを行っています。当社の完成品在庫は、すべてオリジナル半導体メーカーより直接移管されています。 ★ご使用中の半導体製品の在庫入手でお困りではありませんか？ ロチェスターでは、アナログ・デバイセズ、インフィニオン、オンセミ、ルネサス エレクトロニクス、NXPなどの主要半導体メーカーから認定を受けた正規販売代理店として、メーカー正規品在庫を保有し販売しています。 製造中止製品(EOL品)も再生産ソリューションにより継続的にご使用いただけます。 ※オリジナル半導体メーカー認定のソリューションについて、ぜひ「PDFダウンロード」よりご覧ください。 また下記リンクからも詳細ご確認をいただけます。
半導体製品の調達において認定された供給元が重要な理由/製造中止品(EOL品)の再生産
製造中止品(EOL)や古い半導体製品を調達する際には、透明性が非常に重要になります。確信をもってお伝えできるのは、ロチェスターエレクトロニクスは、メーカーに認定された正規販売代理店であり、オリジナル半導体メーカーに保証された製品とサポートを受けて、製造中止品および現行品を提供しています。 ★ご使用中の半導体製品の在庫入手でお困りではありませんか？ ロチェスターでは、アナログ・デバイセズ、インフィニオン、オンセミ、ルネサス エレクトロニクス、NXPなどの主要半導体メーカーから認定を受けた正規販売代理店として、メーカー正規品在庫を保有し販売しています。 製造中止品(EOL品)も再生産ソリューションにより継続的にご使用いただけます。 ※オリジナル半導体メーカー認定のソリューションについて、ぜひ「PDFダウンロード」よりご覧ください。
多種多様なアプリケーションに対応！高周波、低周波、両方のスイッチング周波数に好適
当社が取り扱う、産業機器向けのパワーMOSFET『StrongIRFET 2』を ご紹介します。 幅広いアプリケーションに対応するインフィニオンのMOSFET技術で、 低周波と高周波の両方のスイッチング周波数に好適。 この新しいシリーズは、定評のあるStrongIRFET MOSFETを補完し、 より高性能な選択肢を提供します。 【特長】 ■販売パートナーからの幅広い供給 ■優れた価格/性能比 ■高周波、低周波、両方のスイッチング周波数に好適 ■高い電流定格 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
ハロゲンフリーで同期型アプリケーションに最適化！産業機器向けのパワーMOSFETをご紹介
『OptiMOS 6 ISC012N04LM6 40V』は、ロジックレベルのゲート駆動を必要とする アプリケーションのベンチマークとなるソリューションを提供します。 オン抵抗とメリットの数値が改善されたため、高効率な設計ができ、 熱設計も容易。並列接続の必要性を減らし、システムコストの削減にも つながります。 インフィニオンの先端の薄型ウェハー技術で、大幅な性能向上が可能です。 【特長】 ■Nチャネル：エンハンスメントモード ■超低オン抵抗 RDS(on) ■優れた熱抵抗 ■175℃定格 ■100%アバランシェ試験済み ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
コンパクトでありながら優れた熱性能！車載60VMOSFETファミリーをご紹介
『IAUZ40N06S5L050/IAUC41N06S5N102』は、低いRDS(on)、QG、ゲート容量で 先端の性能を提供する車載60VMOSFETファミリーのOptiMOS 5新製品です。 既存の製品ファミリーに加えて、業界標準の小型パッケージのS3O8(3x3mm2)と SingleSS08(5x6mm2)の2つが加わりました。 異なるボードネットに対して統一されたプラットフォーム コンセプトを 目指す場合、お客様の開発コストを削減することができます。 【特長】 ■スイッチング動作の最適化 ■高負荷対応の銅製クリップ ■最大41Aまでの電流負荷 ■コンパクトでありながら優れた熱性能 ■EMC性能の改善 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
SuperSO8パッケージとPQFNパッケージ(3.3×3.3)！高い電力密度を実現
「OptiMOS 6 100V」は、高スイッチング周波数アプリケーションの 新しい業界標準となる先進のパワーMOSFET技術です。 インフィニオンの先端の薄ウェーハテクノロジーは、OptiMOS 5 テクノロジーに比べて、大幅に性能を向上。 オン抵抗(RDS(on))と性能指数(FOM-RDS(on)x Qg and Qgd)の改善により 効率が向上し、熱設計が容易になり、並列数を減らすことで、 システムコストの削減につながります。 【特長】 ■RDS(on)を最大で20％低減 ■FOM Qgが30％向上、FOM Qgdが40％向上 ■Qrrを低減 ■高いスイッチング周波数に好適 ■175℃のジャンクション温度に対応 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
マイクロコントローラーユニット(MCU)とのインターフェースが容易！
『OptiMOS Pチャネル パワーMOSFET』は、コスパの良いパッケージと、 先進的で信頼性の高い成熟したシリコン技術を用いることで、 価格性能比が業界ですぐれた高性能製品を提供します。 中低電力アプリケーションにおける設計の複雑さを解消。 高速スイッチングと高いアバランシェ耐量のため、高品質で 要求の厳しいアプリケーションに適しています。 【特長】 ■異なる4種類のパッケージで提供 ■幅広いR DS(on) ■ノーマルレベルとロジックレベルに対応 ■様々なアプリケーション向けに最適化 ■販売パートナーからの幅広い供給 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
ソースダウン構造のPQFNパッケージ(3.3×3.3)に搭載！高い放熱性能
当社の「OptiMOS パワーMOSFET PQFN 3.3×3.3」をご紹介いたします。 PQFN パッケージ(3.3×3.3)に搭載された新製品のラインアップは、 25Vから100Vまで。 ソースダウン技術は、シリコンダイを部品内部で上下逆にすることで、 デバイスやシステムレベルでの利点を提供しています。 【特長】 ■既存技術に比べて、RDS(on)が最大で30％と大幅に削減 ■既存のPQFNパッケージ技術に比べて、RthJCも改善 ■スタンダートとセンターゲートと実装面積の異なる2種類で提供 ■最適化された新しいレイアウトの可能性 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
ThinPAK8×8に封止！最高クラスのRDS(on)とパッケージの組み合わせ
当社の「CoolMOS CFD7 650V パワーMOSFET 」をご紹介いたします。 高速ボディダイオードを内蔵したスーパージャンクションMOSFETで、 大電力の共振トポロジーに好適な製品。 スイッチング性能の向上と優れた熱特性により、LLCや位相シフトフル ブリッジ(ZVS)回路などの共振スイッチングトポロジーにおいて、 最高クラスの効率を実現します。 【特長】 ■超高速ボディダイオード＆超低Qrr ■絶縁破壊電圧650V ■最高クラスのRDS(on)とパッケージの組み合わせ ■著しく低減されたスイッチング損失 ■RDS(on)の温度依存性が低い ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
電力密度の向上に役立ちます！対象アプリケーションに完璧に適合
当社の「CoolMOS P7 パワーMOSFET ThinPAK 5×6」をご紹介いたします。 アダプターと充電器、照明、オーディオSMPS、スマートメーター、AUX、 産業用電源などのフライバックベースの低消費電力SMPSアプリケーション 向けに開発。 5×6mm2という非常に小さなフットプリントと、高さ1mmという非常に低い プロファイルが特長です。 【特長】 ■高性能技術 ・低いスイッチング損失(Eoss) ・高効率 ・優れた温度特性 ■高速スイッチングが可能 ■保護用ツェナーダイオード内蔵 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
パワーシステムにおけるエネルギー変換効率を強化。次世代型の炭化ケイ素（SiC）MOSFETトレンチ技術を採用
SiCパワー半導体製品『CoolSiC MOSFET G2』は、次世代型のトレンチ技術をベースに 低損失化を実現したインフィニオンの最新世代となる第2世代SiC MOSFETです。 電力密度や蓄積電荷といったMOSFETの主要性能数値を、 品質と信頼性のレベルを損なわずに前世代より最大20％向上。 全体的なエネルギー効率を高めており、脱炭素化に一層寄与します。 太陽光発電インバーターをはじめ、蓄電システム、電気自動車（EV）充電、 モーター駆動、産業用電源など、様々なアプリケーションで活用可能です。 【特長】 ■当社従来比で主要性能数値を最大20％向上 ■高速スイッチング能力も最大30％以上向上 ■負荷に応じて最大5～30％低い電力損失で動作 ■定格650V、1200Vの製品を多数ラインアップ ※「CoolSiC MOSFET 650V G2」と「CoolSiC MOSFET 1200V G2」の アプリケーションノートを“PDFダウンロード”よりご覧いただけます。 お問い合わせもお気軽にどうぞ。
20/0 VGSで動作！オン抵抗(Ron)・熱抵抗の低減を実現します
インフィニオンは、TO247-4パッケージのSiC 1200Vディスクリートにより、 「車載用CoolSiC MOSFET」のラインアップを拡充しました。 ケルビンソースピンを追加したことで、最高クラスのスイッチング性能、 寄生ターンオンに対する堅牢性、RDSonおよびRth(j-c)の向上を実現し、 OBCおよびDCDCアプリケーション向けの理想的な選択肢となっています。 ご用命の際は当社へお気軽にご連絡ください。 【特長】 ■高いターンオン電圧 VGS(on)＝ 20 V ■0 Vターンオフ ゲート電圧 ■低いCrss/Ciss比、高いゲートソース間閾値電圧(VGS(th)) ■ゲート電荷(QGtot)を低減 ■高電圧沿面距離要求に好適 ■はんだブリッジのリスクを低減する薄型リード ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
同クラスで最も低いRDS(on)とWide SOAを備えたマーケットリーダー！
インフィニオンの「OptiMOSリニアFETファミリー」に、3つの新しいPQFN (5 x 6mm)(SuperSO8)製品と1つの新しいPQFN(3.3 x 3.3 mm)(S3O8)製品が 加わりました。 いずれの製品もきわめて低いRDS(on)、25℃および125℃での広い安全動作領域 (SOA)を実現しています。OptiMOS Linear FETは、オン抵抗とリニアモード性能 のトレードオフを解決する画期的なアプローチです。 ご用命の際は当社へお気軽にご連絡ください。 【特長】 ■広い安全動作領域(SOA) ■低RDS(on) ■高い最大パルス電流と連続パルス電流 ■小型、低背パッケージ ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
性能と信頼性を両立させるために最適化された先端のトレンチ半導体プロセスで作られています！
TO247-4パッケージ搭載1200 V/30 mΩの当製品は、先端のトレンチ半導体 プロセスで製造されており、低ゲート電荷およびデバイス容量レベル、内部整流 ボディダイオードの逆回復損失ゼロ、低スイッチング損失、スレッショルド フリーのオン特性などの利点をもたらし、性能と信頼性を両立するよう 最適化されています。 DC-DCコンバーターまたはDC-ACインバーターなどのハードおよび共振 スイッチングトポロジー、双方向トポロジーに好適です。 「TO-247 4ピン パッケージ」は、ゲート回路の寄生ソースインダクタンス 効果を低減し、より高速なスイッチングと効率の向上を実現します。 【特長】 ■最高クラスの低スイッチング損失および導通損失 ■高閾値電圧、Vth ＞ 4V ■0 Vのターンオフゲート電圧による簡単でシンプルなゲート駆動 ■幅広いゲートソース電圧範囲 ■転流用に本格使用可能な定格の堅牢で低損失のボディダイオード ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
低周波かつ大電流のスイッチングアプリケーション向けに最適化！
当社で取り扱う「Nチャンネル パワーMOSFET 600V-温度センサー搭載」 について、ご紹介いたします。 温度センサーを搭載した当製品は、容易な実装と共にジャンクション 温度の検出精度とロバスト性を向上。 ソリッドステートリレー、サーキットブレーカー設計、SMPSの ライン整流に好適です。 【特長】 ■高パルス電流対応 ■最適化された価格性能 ■低周波スイッチングアプリケーション向けに最適化 ■ソースの寄生インダクタンスを低減 ■シームレスな診断機能 ■大電流対応 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
インフィニオンの先進のトレンチMOSFET技術を代表する製品！
当社で取り扱う「Nチャンネル パワーMOSFET OptiMOS 6 200V」について、 ご紹介いたします。 高電力密度、高効率、高信頼性のニーズに対応。本技術は、RDS(on)を 大幅に低減し、その結果、導通損失を低減します。 ゲート閾値電圧のばらつきが少なく、トランスコンダクタンスが低減されて いるため、並列接続に優れたデバイスです。 【特長】 ■広い安全動作領域(SOA) ■鉛フリーめっき、RoHS対応 ■200Vでクラス最高レベルの性能 ■ソフトダイオード、低Qrr、高リニア容量の組み合わせ ■並列接続時の電流共有の改善 ■豊富なパッケージ展開 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
業界標準のSuperSO8パッケージで、4.5Vで非常に低いRDS(on)とQgが特長！
当社で取り扱う「Nチャネル パワーMOSFET 150V」について、 ご紹介いたします。 OptiMOS 5 150V同様の優れた性能に加え、わずか4.5VのVGSで動作する 性能を搭載。 小型で軽量なUSB-PD EPR充電器およびアダプタアプリケーションで 好適な熱管理を実現します。 【特長】 ■競争力のあるRDS(on)レベル ■きわめて低いスイッチング損失 ■VGS＝4.5Vに完全に最適化 ■5V供給の同期整流器(SR)に対応 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
産業用認証とTj_max＝175°Cにより優れたパワーハンドリングと堅牢性を実現！
当社で取り扱う「Nチャンネル パワーMOSFET OptiMOS 6 120V」について、 ご紹介いたします。 ハードスイッチとソフトスイッチの両アプリケーション、また、 高スイッチング周波数および低スイッチング周波数に適しており、 ノーマルレベルとロジックレベルが利用可能。 産業用電源、ソーラーなどさまざまなアプリケーションで使用できます。 【特長】 ■スイッチング損失、導通損失において好適なバランスを実現 ■150V耐圧不要時にRDS(on)やFOMを低減 ■パッケージの幅広い選択肢 ・FR4基板およびIMS基板向け面実装 ・上面冷却 ・スルーホール ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
インフィニオンの新しい車載用MOSFETテクノロジー！
当社で取り扱う「車載向けパワーMOSFET OptiMOS 7 40V」について、 ご紹介いたします。 従来のOptiMOS 6に比べ、Ronが25％向上し、業界最小レベルのオン抵抗で 最高レベルの電力密度とエネルギー効率を提供。 当社の堅牢で定評あるパッケージラインアップで製品展開し、非常に 効率的な車載設計を実現する上面放熱パッケージにまで拡張されています。 【特長】 ■きわめて低いドレイン-ソース間オン抵抗(＝RDS(on)) ■高いアバランシェ耐量 ■高い安全動作範囲(SOA)耐性 ■高速スイッチング(ターンオン/オフ) ■リードレスパッケージ(Cuクリップ) ■先進の薄型ウェハーCuテクノロジー、および先進の内製300mmウェハー ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
部品点数の削減、システムコストパフォーマンスを最大化！きわめて高い信頼性
TOLTパッケージの『CoolSiC Generation2 650V』は、最高クラスの スイッチング性能を活かし、さらに上面放熱の様々な利点も備えている MOSFETパワー半導体です。 今回、CoolSiCおよびCoolMOSですでに利用可能なQDPAKを加えて、完全な ディスクリート上面放熱ソリューションが実装可能になったことにより、 さらに優れた放熱性を備え、システムコストの削減と簡素化、 アセンブリコストの低減を実現します。 【主な特長】 ■優れた性能指数(FOM) ■高い堅牢性と総合的な品質 ■広い駆動電圧範囲 ■ユニポーラ駆動に対応 VGS(off)＝0 ■すべての8x8FET製品とピン互換 ■.XT相互接合技術によるパッケージの改善 ■熱サイクル(TCoB)4倍向上 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
将来の車載設計向けの高い電力効率と0.39mΩの超低Ronを実現！
『車載用 Nチャンネル パワーMOSFET 40V』は、インフィニオンの 新しい車載用MOSFETハイパワーMOSFETパッケージファミリー製品です。 また、従来のOptiMOS 6に比べて、Ronが25％向上。OptiMOS 7は、 業界最小クラスのオン抵抗で、パッケージ抵抗がきわめて低い高効率 sTOLL 7×8mm2リードレスパッケージで、最高クラスの電力密度と エネルギー効率を実現。 また、広い安全動作領域(SOA)で、リードレスパッケージ(銅クリップ) の 堅牢な車載用パッケージ設計です。 【主な特長】 ■7×8mm2というパッケージサイズに、0.39mΩのきわめて 低いドレイン-ソース間オン抵抗 (RDS(on)) ■最大電流耐量280A ■高いアバランシェ耐量 ■広い安全動作領域(SOA) ■高速スイッチング(ターンオン/オフ) ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
電力密度が高いため、コンパクトなボードで高出力設計が可能です！
『産機＆民生用 Nチャンネル パワーMOSFET 40V』には、当社の MOSFET技術が、超低寄生のコンパクトパッケージと組み合わされています。 これにより、さまざまな電源パッケージにおいて、業界で最小クラスの RDS(on)および最大クラスの電力密度を実現し、スイッチング/導通損失 および電流耐量を大幅に改善。 また、低パッケージ抵抗で高い電流処理能力を備えたMOSFETが求められる バッテリー駆動、バッテリー保護、およびバッテリーフォーメーションの アプリケーションの幅広い分野に対応し、低/高スイッチング周波数共に好適です。 【主な特長】 ■コンパクトなパッケージサイズ(8×6mm)で高い電流耐量を実現 ■業界でも低いRDS(on)とFOM ■超低パッケージ寄生容量(抵抗およびインダクタンス)の リードレスパッケージ ■PQFN 5×6とフットプリント互換 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
使いやすさ、スイッチング効率、優れた熱性能を備えた、バランスの取れた技術です
『産業＆車載用 SiC MOSFETパワーディスクリート 750V』は、最高 クラスのシステム性能と信頼性を実現する堅牢性の高いSiC MOSFETです。 性能、信頼性、堅牢性、ゲート駆動の柔軟性における優位性を発揮し、 最高クラスの効率と電力密度を実現する簡素化されたコスト効率の高い システム設計を実現。 革新的な上面放熱パッケージは、当製品の強みをさらに強化し、 高密度化、最適化された電源ループ設計、システムおよびアセンブリ コストの削減を実現します。 【主な特長】 ■きわめて堅牢な750 Vテクノロジー ■最高クラスのRDS(on) x Qfr ■優れたRon x QossおよびRon x QG ■低Crss/Cissと高Vgsthを両立 ■100％アバランシェ耐量出荷テスト対応 ■最高クラスの熱特性を実現する.XTダイ接合技術 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
"非絶縁型"や"高速タイプ"などのモジュール製品を多数掲載した総合カタログです
当カタログは、 パワー半導体及びスタックアッセンブリの製造・販売を 行っている日本インターナショナルPS株式会社の総合カタログです。 「モジュール製品」では"圧接構造"や"非絶縁型"、"高速タイプ"などを ラインアップしております。また、「モジュール製品」や「ハイパワー製品」 の外形図も掲載。 さらに、早見表もございますので製品の選定にご活用ください。 【掲載内容(抜粋)】 ■品名の付け方 ■記号と用語 ■定格・特性表 ■外形図 ■アッセンブリー ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
アズサイエンスおすすめ
分野にお使いいただける、日本電子株式会社商品を3つご紹介いたします。 〇JSM-IT200 InTouchScope 走査電子顕微鏡 シンプルに、使いやすくしたコストパフォーマンス重視の製品です。初心者に優しい試料交換ナビで、試料セットから視野探し、SEM画像の観察開始まで容易に行うことができます。 〇JEM-ARM200F NEOARM 原子分解能分析電子顕微鏡 日本電子独自の技術で開発された冷陰極電界放出形電子銃（Cold-FEG）と高次の収差まで補正可能な新型球面収差補正装置（ASCOR）を標準搭載し、200 kVの高加速電圧だけでなく30 kVの低加速電圧においても原子分解能での観察を実現しました。高速かつ正確な収差補正を自動的に行うシステムも搭載しております。 〇JEM-F200 多機能電子顕微鏡 空間分解能と分析性能を向上させるとともに、多目的な使い方における操作性を考慮した新しい操作システムを搭載し、電子顕微鏡の初心者から熟練者まで思わず使いたくなるようなスマートな外観を備え、省エネルギー化とCO2削減をコンセプトとして開発された電界放出形透過電子顕微鏡です。
