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ハロゲンフリーで同期型アプリケーションに最適化！産業機器向けのパワーMOSFETをご紹介
『OptiMOS 6 ISC012N04LM6 40V』は、ロジックレベルのゲート駆動を必要とする アプリケーションのベンチマークとなるソリューションを提供します。 オン抵抗とメリットの数値が改善されたため、高効率な設計ができ、 熱設計も容易。並列接続の必要性を減らし、システムコストの削減にも つながります。 インフィニオンの先端の薄型ウェハー技術で、大幅な性能向上が可能です。 【特長】 ■Nチャネル：エンハンスメントモード ■超低オン抵抗 RDS(on) ■優れた熱抵抗 ■175℃定格 ■100%アバランシェ試験済み ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
コンパクトでありながら優れた熱性能！車載60VMOSFETファミリーをご紹介
『IAUZ40N06S5L050/IAUC41N06S5N102』は、低いRDS(on)、QG、ゲート容量で 先端の性能を提供する車載60VMOSFETファミリーのOptiMOS 5新製品です。 既存の製品ファミリーに加えて、業界標準の小型パッケージのS3O8(3x3mm2)と SingleSS08(5x6mm2)の2つが加わりました。 異なるボードネットに対して統一されたプラットフォーム コンセプトを 目指す場合、お客様の開発コストを削減することができます。 【特長】 ■スイッチング動作の最適化 ■高負荷対応の銅製クリップ ■最大41Aまでの電流負荷 ■コンパクトでありながら優れた熱性能 ■EMC性能の改善 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
SuperSO8パッケージとPQFNパッケージ(3.3×3.3)！高い電力密度を実現
「OptiMOS 6 100V」は、高スイッチング周波数アプリケーションの 新しい業界標準となる先進のパワーMOSFET技術です。 インフィニオンの先端の薄ウェーハテクノロジーは、OptiMOS 5 テクノロジーに比べて、大幅に性能を向上。 オン抵抗(RDS(on))と性能指数(FOM-RDS(on)x Qg and Qgd)の改善により 効率が向上し、熱設計が容易になり、並列数を減らすことで、 システムコストの削減につながります。 【特長】 ■RDS(on)を最大で20％低減 ■FOM Qgが30％向上、FOM Qgdが40％向上 ■Qrrを低減 ■高いスイッチング周波数に好適 ■175℃のジャンクション温度に対応 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
マイクロコントローラーユニット(MCU)とのインターフェースが容易！
『OptiMOS Pチャネル パワーMOSFET』は、コスパの良いパッケージと、 先進的で信頼性の高い成熟したシリコン技術を用いることで、 価格性能比が業界ですぐれた高性能製品を提供します。 中低電力アプリケーションにおける設計の複雑さを解消。 高速スイッチングと高いアバランシェ耐量のため、高品質で 要求の厳しいアプリケーションに適しています。 【特長】 ■異なる4種類のパッケージで提供 ■幅広いR DS(on) ■ノーマルレベルとロジックレベルに対応 ■様々なアプリケーション向けに最適化 ■販売パートナーからの幅広い供給 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
ソースダウン構造のPQFNパッケージ(3.3×3.3)に搭載！高い放熱性能
当社の「OptiMOS パワーMOSFET PQFN 3.3×3.3」をご紹介いたします。 PQFN パッケージ(3.3×3.3)に搭載された新製品のラインアップは、 25Vから100Vまで。 ソースダウン技術は、シリコンダイを部品内部で上下逆にすることで、 デバイスやシステムレベルでの利点を提供しています。 【特長】 ■既存技術に比べて、RDS(on)が最大で30％と大幅に削減 ■既存のPQFNパッケージ技術に比べて、RthJCも改善 ■スタンダートとセンターゲートと実装面積の異なる2種類で提供 ■最適化された新しいレイアウトの可能性 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
ThinPAK8×8に封止！最高クラスのRDS(on)とパッケージの組み合わせ
当社の「CoolMOS CFD7 650V パワーMOSFET 」をご紹介いたします。 高速ボディダイオードを内蔵したスーパージャンクションMOSFETで、 大電力の共振トポロジーに好適な製品。 スイッチング性能の向上と優れた熱特性により、LLCや位相シフトフル ブリッジ(ZVS)回路などの共振スイッチングトポロジーにおいて、 最高クラスの効率を実現します。 【特長】 ■超高速ボディダイオード＆超低Qrr ■絶縁破壊電圧650V ■最高クラスのRDS(on)とパッケージの組み合わせ ■著しく低減されたスイッチング損失 ■RDS(on)の温度依存性が低い ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
電力密度の向上に役立ちます！対象アプリケーションに完璧に適合
当社の「CoolMOS P7 パワーMOSFET ThinPAK 5×6」をご紹介いたします。 アダプターと充電器、照明、オーディオSMPS、スマートメーター、AUX、 産業用電源などのフライバックベースの低消費電力SMPSアプリケーション 向けに開発。 5×6mm2という非常に小さなフットプリントと、高さ1mmという非常に低い プロファイルが特長です。 【特長】 ■高性能技術 ・低いスイッチング損失(Eoss) ・高効率 ・優れた温度特性 ■高速スイッチングが可能 ■保護用ツェナーダイオード内蔵 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
パワーシステムにおけるエネルギー変換効率を強化。次世代型の炭化ケイ素（SiC）MOSFETトレンチ技術を採用
SiCパワー半導体製品『CoolSiC MOSFET G2』は、次世代型のトレンチ技術をベースに 低損失化を実現したインフィニオンの最新世代となる第2世代SiC MOSFETです。 電力密度や蓄積電荷といったMOSFETの主要性能数値を、 品質と信頼性のレベルを損なわずに前世代より最大20％向上。 全体的なエネルギー効率を高めており、脱炭素化に一層寄与します。 太陽光発電インバーターをはじめ、蓄電システム、電気自動車（EV）充電、 モーター駆動、産業用電源など、様々なアプリケーションで活用可能です。 【特長】 ■当社従来比で主要性能数値を最大20％向上 ■高速スイッチング能力も最大30％以上向上 ■負荷に応じて最大5～30％低い電力損失で動作 ■定格650V、1200Vの製品を多数ラインアップ ※「CoolSiC MOSFET 650V G2」と「CoolSiC MOSFET 1200V G2」の アプリケーションノートを“PDFダウンロード”よりご覧いただけます。 お問い合わせもお気軽にどうぞ。
20/0 VGSで動作！オン抵抗(Ron)・熱抵抗の低減を実現します
インフィニオンは、TO247-4パッケージのSiC 1200Vディスクリートにより、 「車載用CoolSiC MOSFET」のラインアップを拡充しました。 ケルビンソースピンを追加したことで、最高クラスのスイッチング性能、 寄生ターンオンに対する堅牢性、RDSonおよびRth(j-c)の向上を実現し、 OBCおよびDCDCアプリケーション向けの理想的な選択肢となっています。 ご用命の際は当社へお気軽にご連絡ください。 【特長】 ■高いターンオン電圧 VGS(on)＝ 20 V ■0 Vターンオフ ゲート電圧 ■低いCrss/Ciss比、高いゲートソース間閾値電圧(VGS(th)) ■ゲート電荷(QGtot)を低減 ■高電圧沿面距離要求に好適 ■はんだブリッジのリスクを低減する薄型リード ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
同クラスで最も低いRDS(on)とWide SOAを備えたマーケットリーダー！
インフィニオンの「OptiMOSリニアFETファミリー」に、3つの新しいPQFN (5 x 6mm)(SuperSO8)製品と1つの新しいPQFN(3.3 x 3.3 mm)(S3O8)製品が 加わりました。 いずれの製品もきわめて低いRDS(on)、25℃および125℃での広い安全動作領域 (SOA)を実現しています。OptiMOS Linear FETは、オン抵抗とリニアモード性能 のトレードオフを解決する画期的なアプローチです。 ご用命の際は当社へお気軽にご連絡ください。 【特長】 ■広い安全動作領域(SOA) ■低RDS(on) ■高い最大パルス電流と連続パルス電流 ■小型、低背パッケージ ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
性能と信頼性を両立させるために最適化された先端のトレンチ半導体プロセスで作られています！
TO247-4パッケージ搭載1200 V/30 mΩの当製品は、先端のトレンチ半導体 プロセスで製造されており、低ゲート電荷およびデバイス容量レベル、内部整流 ボディダイオードの逆回復損失ゼロ、低スイッチング損失、スレッショルド フリーのオン特性などの利点をもたらし、性能と信頼性を両立するよう 最適化されています。 DC-DCコンバーターまたはDC-ACインバーターなどのハードおよび共振 スイッチングトポロジー、双方向トポロジーに好適です。 「TO-247 4ピン パッケージ」は、ゲート回路の寄生ソースインダクタンス 効果を低減し、より高速なスイッチングと効率の向上を実現します。 【特長】 ■最高クラスの低スイッチング損失および導通損失 ■高閾値電圧、Vth ＞ 4V ■0 Vのターンオフゲート電圧による簡単でシンプルなゲート駆動 ■幅広いゲートソース電圧範囲 ■転流用に本格使用可能な定格の堅牢で低損失のボディダイオード ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
低周波かつ大電流のスイッチングアプリケーション向けに最適化！
当社で取り扱う「Nチャンネル パワーMOSFET 600V-温度センサー搭載」 について、ご紹介いたします。 温度センサーを搭載した当製品は、容易な実装と共にジャンクション 温度の検出精度とロバスト性を向上。 ソリッドステートリレー、サーキットブレーカー設計、SMPSの ライン整流に好適です。 【特長】 ■高パルス電流対応 ■最適化された価格性能 ■低周波スイッチングアプリケーション向けに最適化 ■ソースの寄生インダクタンスを低減 ■シームレスな診断機能 ■大電流対応 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
インフィニオンの先進のトレンチMOSFET技術を代表する製品！
当社で取り扱う「Nチャンネル パワーMOSFET OptiMOS 6 200V」について、 ご紹介いたします。 高電力密度、高効率、高信頼性のニーズに対応。本技術は、RDS(on)を 大幅に低減し、その結果、導通損失を低減します。 ゲート閾値電圧のばらつきが少なく、トランスコンダクタンスが低減されて いるため、並列接続に優れたデバイスです。 【特長】 ■広い安全動作領域(SOA) ■鉛フリーめっき、RoHS対応 ■200Vでクラス最高レベルの性能 ■ソフトダイオード、低Qrr、高リニア容量の組み合わせ ■並列接続時の電流共有の改善 ■豊富なパッケージ展開 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
業界標準のSuperSO8パッケージで、4.5Vで非常に低いRDS(on)とQgが特長！
当社で取り扱う「Nチャネル パワーMOSFET 150V」について、 ご紹介いたします。 OptiMOS 5 150V同様の優れた性能に加え、わずか4.5VのVGSで動作する 性能を搭載。 小型で軽量なUSB-PD EPR充電器およびアダプタアプリケーションで 好適な熱管理を実現します。 【特長】 ■競争力のあるRDS(on)レベル ■きわめて低いスイッチング損失 ■VGS＝4.5Vに完全に最適化 ■5V供給の同期整流器(SR)に対応 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
産業用認証とTj_max＝175°Cにより優れたパワーハンドリングと堅牢性を実現！
当社で取り扱う「Nチャンネル パワーMOSFET OptiMOS 6 120V」について、 ご紹介いたします。 ハードスイッチとソフトスイッチの両アプリケーション、また、 高スイッチング周波数および低スイッチング周波数に適しており、 ノーマルレベルとロジックレベルが利用可能。 産業用電源、ソーラーなどさまざまなアプリケーションで使用できます。 【特長】 ■スイッチング損失、導通損失において好適なバランスを実現 ■150V耐圧不要時にRDS(on)やFOMを低減 ■パッケージの幅広い選択肢 ・FR4基板およびIMS基板向け面実装 ・上面冷却 ・スルーホール ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
インフィニオンの新しい車載用MOSFETテクノロジー！
当社で取り扱う「車載向けパワーMOSFET OptiMOS 7 40V」について、 ご紹介いたします。 従来のOptiMOS 6に比べ、Ronが25％向上し、業界最小レベルのオン抵抗で 最高レベルの電力密度とエネルギー効率を提供。 当社の堅牢で定評あるパッケージラインアップで製品展開し、非常に 効率的な車載設計を実現する上面放熱パッケージにまで拡張されています。 【特長】 ■きわめて低いドレイン-ソース間オン抵抗(＝RDS(on)) ■高いアバランシェ耐量 ■高い安全動作範囲(SOA)耐性 ■高速スイッチング(ターンオン/オフ) ■リードレスパッケージ(Cuクリップ) ■先進の薄型ウェハーCuテクノロジー、および先進の内製300mmウェハー ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
部品点数の削減、システムコストパフォーマンスを最大化！きわめて高い信頼性
TOLTパッケージの『CoolSiC Generation2 650V』は、最高クラスの スイッチング性能を活かし、さらに上面放熱の様々な利点も備えている MOSFETパワー半導体です。 今回、CoolSiCおよびCoolMOSですでに利用可能なQDPAKを加えて、完全な ディスクリート上面放熱ソリューションが実装可能になったことにより、 さらに優れた放熱性を備え、システムコストの削減と簡素化、 アセンブリコストの低減を実現します。 【主な特長】 ■優れた性能指数(FOM) ■高い堅牢性と総合的な品質 ■広い駆動電圧範囲 ■ユニポーラ駆動に対応 VGS(off)＝0 ■すべての8x8FET製品とピン互換 ■.XT相互接合技術によるパッケージの改善 ■熱サイクル(TCoB)4倍向上 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
将来の車載設計向けの高い電力効率と0.39mΩの超低Ronを実現！
『車載用 Nチャンネル パワーMOSFET 40V』は、インフィニオンの 新しい車載用MOSFETハイパワーMOSFETパッケージファミリー製品です。 また、従来のOptiMOS 6に比べて、Ronが25％向上。OptiMOS 7は、 業界最小クラスのオン抵抗で、パッケージ抵抗がきわめて低い高効率 sTOLL 7×8mm2リードレスパッケージで、最高クラスの電力密度と エネルギー効率を実現。 また、広い安全動作領域(SOA)で、リードレスパッケージ(銅クリップ) の 堅牢な車載用パッケージ設計です。 【主な特長】 ■7×8mm2というパッケージサイズに、0.39mΩのきわめて 低いドレイン-ソース間オン抵抗 (RDS(on)) ■最大電流耐量280A ■高いアバランシェ耐量 ■広い安全動作領域(SOA) ■高速スイッチング(ターンオン/オフ) ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
電力密度が高いため、コンパクトなボードで高出力設計が可能です！
『産機＆民生用 Nチャンネル パワーMOSFET 40V』には、当社の MOSFET技術が、超低寄生のコンパクトパッケージと組み合わされています。 これにより、さまざまな電源パッケージにおいて、業界で最小クラスの RDS(on)および最大クラスの電力密度を実現し、スイッチング/導通損失 および電流耐量を大幅に改善。 また、低パッケージ抵抗で高い電流処理能力を備えたMOSFETが求められる バッテリー駆動、バッテリー保護、およびバッテリーフォーメーションの アプリケーションの幅広い分野に対応し、低/高スイッチング周波数共に好適です。 【主な特長】 ■コンパクトなパッケージサイズ(8×6mm)で高い電流耐量を実現 ■業界でも低いRDS(on)とFOM ■超低パッケージ寄生容量(抵抗およびインダクタンス)の リードレスパッケージ ■PQFN 5×6とフットプリント互換 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
使いやすさ、スイッチング効率、優れた熱性能を備えた、バランスの取れた技術です
『産業＆車載用 SiC MOSFETパワーディスクリート 750V』は、最高 クラスのシステム性能と信頼性を実現する堅牢性の高いSiC MOSFETです。 性能、信頼性、堅牢性、ゲート駆動の柔軟性における優位性を発揮し、 最高クラスの効率と電力密度を実現する簡素化されたコスト効率の高い システム設計を実現。 革新的な上面放熱パッケージは、当製品の強みをさらに強化し、 高密度化、最適化された電源ループ設計、システムおよびアセンブリ コストの削減を実現します。 【主な特長】 ■きわめて堅牢な750 Vテクノロジー ■最高クラスのRDS(on) x Qfr ■優れたRon x QossおよびRon x QG ■低Crss/Cissと高Vgsthを両立 ■100％アバランシェ耐量出荷テスト対応 ■最高クラスの熱特性を実現する.XTダイ接合技術 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
"非絶縁型"や"高速タイプ"などのモジュール製品を多数掲載した総合カタログです
当カタログは、 パワー半導体及びスタックアッセンブリの製造・販売を 行っている日本インターナショナルPS株式会社の総合カタログです。 「モジュール製品」では"圧接構造"や"非絶縁型"、"高速タイプ"などを ラインアップしております。また、「モジュール製品」や「ハイパワー製品」 の外形図も掲載。 さらに、早見表もございますので製品の選定にご活用ください。 【掲載内容(抜粋)】 ■品名の付け方 ■記号と用語 ■定格・特性表 ■外形図 ■アッセンブリー ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
アズサイエンスおすすめ
分野にお使いいただける、日本電子株式会社商品を3つご紹介いたします。 〇JSM-IT200 InTouchScope 走査電子顕微鏡 シンプルに、使いやすくしたコストパフォーマンス重視の製品です。初心者に優しい試料交換ナビで、試料セットから視野探し、SEM画像の観察開始まで容易に行うことができます。 〇JEM-ARM200F NEOARM 原子分解能分析電子顕微鏡 日本電子独自の技術で開発された冷陰極電界放出形電子銃（Cold-FEG）と高次の収差まで補正可能な新型球面収差補正装置（ASCOR）を標準搭載し、200 kVの高加速電圧だけでなく30 kVの低加速電圧においても原子分解能での観察を実現しました。高速かつ正確な収差補正を自動的に行うシステムも搭載しております。 〇JEM-F200 多機能電子顕微鏡 空間分解能と分析性能を向上させるとともに、多目的な使い方における操作性を考慮した新しい操作システムを搭載し、電子顕微鏡の初心者から熟練者まで思わず使いたくなるようなスマートな外観を備え、省エネルギー化とCO2削減をコンセプトとして開発された電界放出形透過電子顕微鏡です。
大きく変化するエレクトロニクス業界の中で、グローバルな販売網及び購買網を活かし、お客様のニーズに対応可能です！
パンデミックや米中貿易戦争など、世界的な部品不足の原因はさまざまです。 しかし、電子部品の購入に関わるすべての人にとって、不足市場がもたらす ビジネスへの脅威はもう一つあります。それは、オンライン部品詐欺です。 当資料では、“電子部品のオンライン詐欺とは？”や、 “偽造部品とはどう違うのですか？”“私たちにできることは？”などを掲載しています。 【掲載内容】 ■拡大するオンライン部品詐欺の問題 ■電子部品のオンライン詐欺とは？ ■偽造部品とはどう違うのですか？ ■私たちにできることは？ ■このような詐欺サイトはどのように特定できるのですか？ また、当社ではヨーロッパ全土に販売網を有し、きめ細やかなサービスを提供しております。 特に産業機器、放送映像、医療機器、計測機器製造のお客様には、最小ロットにてにて対応可能。 大きく変化するエレクトロニクス業界の中で、グローバルな販売網及び購買網を活かし 様々なシチュエーションでお客様のニーズに対応していきます。 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
電子部品をグローバルに供給し、お客様のサプライチェーンの問題を防ぎます！世界中から必要な部品を調達することが可能
半導体は、マイクロチップ、トランジスタ、太陽電池、LEDディスプレイなど、 電子回路の中で広く使われている部品の一つです。 マイクロチップの用途は多岐にわたるため、半導体の不足は世界中の さまざまな産業に影響を与えています。 では、何が原因で半導体が不足しているのでしょうか？ 当資料では、“不足の原因”や“半導体不足にどう対処するか”を掲載しています。 【掲載内容】 ■不足の原因 ■新技術の急成長 ■アメリカと中国の貿易戦争が続く ■半導体不足にどう対処するか また、当社ではヨーロッパ全土に販売網を有し、きめ細やかなサービスを提供しております。 特に産業機器、放送映像、医療機器、計測機器製造のお客様には、最小ロットにてにて対応可能。 大きく変化するエレクトロニクス業界の中で、グローバルな販売網及び購買網を活かし 様々なシチュエーションでお客様のニーズに対応していきます。 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
低電圧MOSFET
アナログパワー社は、パワーマネジメントに特化し、お客様に最適な製品を生産することを目的に、2002年に設立されました。米国（カリフォルニア州サンノゼ）、香港、台湾にオフィスを構え、世界の半導体市場のほとんどをカバーする広範な代理店網を有しています。 業界をリードする製造パートナーを利用することで、アナログパワー社の製品は、市場の大規模かつ多様なベンダーと同じ基準で製造されています。アナログパワー社の社員は顧客志向で、パワー半導体の経験を持つエンジニアの割合が高い。
1995年の設立以来、ゴーフォードセミコンダクターは、米国にオフィスを構えるグローバル企業へと発展してきました。
1995年の設立以来、ゴーフォードセミコンダクターは、米国にオフィスを構えるグローバル企業へと発展してきました。 香港、オーストラリア、シンセンおよび江蘇省にオフィスがあります。 当社は、パワーMOSFET製品の研究開発と販売に常に力を注いでいます。 私達はエネルギー効率、移動性および市場に費用効果が大きいプロダクトを提供する信頼性に焦点を合わせます。
東芝半導体を主力とした半導体製品及び液晶・電子部品等をご提供しています！
当社では、国内外を問わず幅広い部品調達から、静電・放熱対策の提案や 実装対応、さらに材料加工などのカスタム製品の製造まで行う 電子機器・部品ソリューションを提供しています。 東芝半導体を主力に、民生・産業・車載等、幅広い分野に、 東芝セミコン&ストレージ社の絶大な製品力と技術サポート力を存分に活用し 更なる融合を強化するお手伝いをいたします。 【取扱品目】 ■半導体 ■基板実装 ■カスタム部品 ■機構部品 ■液晶 ※詳しくはPDFをダウンロードして頂くか、お気軽にお問い合わせ下さい。
パワーエレクトロニクス半導体・装置を幅広く取り扱っております
当社は、熟練度の高い平型半導体や技術革新の著しいディスクリート＆ モジュール半導体、変圧器、電磁コア、水冷抵抗器など多岐にわたり 取り扱っております。 パワーエレクトロニクス半導体・装置をご要望の際は、 お気軽にご相談ください。 【取扱製品】 ■(英)IXYS UK WESTCODE社製電力半導体 ■(独)IXYS社製ディスクリート＆モジュール半導体 ■三社電気製作所製産業用半導体・電源機器 ■(米)FLUXTROL社製電磁コアー ■(米)HUNTERDON社製水冷型絶縁トランスフォーマー ■(独)SANGL社製水冷型トランスフォーマー ■(英)ARCOL社製抵抗器 ※詳しくはPDFをダウンロードして頂くか、お気軽にお問合せください。
三菱・富士・住友などの日本メーカーの同等製品を、短納期で、対応可能！
機械を扱う製造業ではインバーターが手に入らず、 納期が1年程で困っておられるかと思います。 MTトレーディングでは配電、回転数、駆動の制御ができる 半導体の製造・販売を短納期で行っております。 三菱・富士・住友などの日本メーカーの同等製品を、短納期で対応出来ます。 既に、日本国内ユーザー 数十社に供給させて頂いております。 短納期 (約45日) + 競争力のある価格が、弊社インバーターの特徴です。 ＜運転仕様＞ 上下限周波数設定、周波数ジャンプ運転、外部サーマル入力選択、瞬停再始動運転、 正転・逆転防止、遠隔設定、ブレーキシーケンス、第2機能、多段速運転、 あて止め制御、ドループ制御、回生回避、すべり補正、運転モード選択、 オフラインオートチューニング機能、PID制御、計算機リンク運転 など ※詳しくは関連リンクをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
最大400Aまでの大電流製品を保有！EV車急速充電器やインバータなどに利用可能です
『超高速ソフトリカバリーダイオード(USR)』は、ソフトリカバリーで 低損失＆高効率動作が可能です。 最大400Aまでの大電流製品を保有。 半導体製造装置DC電源をはじめ、EV車急速充電器やインバータ、 その他各種産業用電源装置などにご利用いただけます。 【特長】 ■ソフトリカバリーで低損失＆高効率動作が可能 ■最大400Aまでの大電流製品を保有 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
