更新日： 集計期間:2025年08月20日～2025年09月16日
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複数点同一解析を用いた nk 未知の極薄膜の測定
従来法では困難であった極薄膜領域下(100nm以下)でのnk解析ですが、複数点解析機能により、精度良くnk解析が可能です。（特許取得済 第5721586号） 最小二乗法でフィッティングをして膜厚値（ｄ）を解析するには材料のnkが必要です。nkが未知の場合、d とnkの両方を可変パラメータとして解析します。 しかしながら、ｄ が100nm以下の極薄膜の場合、ｄ とnkとを分離することができず、そのため精度が低下して正確な ｄ が求められないことがあります。 このような場合、ｄ の異なるサンプルを複数測定し、nkが同一であると仮定して同時解析（複数点同一解析）をします。これにより精度よくnkを求め、正確な ｄ を求めることが可能です。
ゼータ電位・粒子径・分子量測定システムを用いて研磨パッドの表面ゼータ電位測定
半導体ウェーハの研磨工程におけるCMPスラリーは、ウェーハ、スラリー、研磨パッドの組み合わせとして使用されパッド表面の粗さによってスラリーを保持し、ウェーハ表面の被膜が研磨されます。パッド表面の目詰まりは、スクラッチなどの欠陥に寄与し、パッド表面の特性は、研磨性能に寄与すると考えられています。そこで研磨パッドおよびスラリーのゼータ電位を測定し、静電相互作用や吸着特性を検討することは有効であると考えられます。 今回、発泡ポリウレタンの研磨パッドを測定サンプルとし、各pHにおける表面ゼータ電位を行いました。 研磨パッドの表面ゼータ電位測定の詳細については、カタログダウンロードより技術資料をダウンロードをしてください。
風評被害防止のために各種測定方法により放射線の測定に対応してまいります
東日本大震災による福島第一原発事故を受け、放射性物質測定の需要が高まっています。内藤環境管理株式会社では風評被害防止のために各種測定方法により放射線の測定に対応してまいります。測定内容としては、「NaI（TI）シンチレーションスペクトロメータによる放射能の測定」「ゲルマニウム半導体検出器を用いたガンマ線スペクトロメトリーによる核種分析」「GM計数管式サーベイメータによる放射線量の測定」などに対応しております。 詳しくはお問い合わせ、またはカタログをご覧ください。
Transient Thermal Resistance Measurement
・JESD51-14に基づいてパワーデバイス、放熱基板などの過渡熱抵抗値(Rthjc)を測定します。 ・パワーデバイスであれば実機のまま試験可能です。放熱基板等を試験する場合には発熱源として 各種半導体チップを実装する必要があります。 ・試験用デバイスの試作も対応しており、部材単体のご提供でも評価が可能です。
フィラー、セラミックス、絶縁薄膜、半導体薄膜等、薄膜・微小領域の熱伝導評価に！！
この装置は、世界最小クラスの分解能を誇る、革新的な熱物性測定装置です。 サンプルの熱物性を点、線、面の各レベルで詳細に測定することが可能で、従来の装置では難しかったミクロンオーダーの熱物性値分布も正確に捉えます。 さらに、この装置は非接触測定でありながら、高分解能を実現しており、従来技術では不可能だった領域を新たに開拓しました。世界初の技術を搭載し、熱浸透率の測定に加え、好条件下では熱伝導率も直接測定可能です。 この装置は、研究開発において精密な熱物性解析を必要とする場面で、他に類を見ない性能を発揮します。 〇測定原理について〇 この装置の測定原理はサーモリフレクタンス法と言う手法になります。 材料の表面温度を高精度で測定する手法の一つで、特に微小領域や薄膜材料の熱特性を調べるために使われます。 この方法は、材料の表面温度変化に伴う反射率の変化を検出し、その変化から温度を測定する技術です。 得られる結果は熱浸透率と言うパラメーターです。 熱浸透率とは物質と物質が接しているときに熱をどれだけ奪い取るかを示す物理量です。 比熱と密度により、熱伝導率や熱拡散率と相互に変換できます。
加工のみならず、検査まで可能！高精度加工や測定の課題を解決いたします
株式会社林田技研では、「三次元座標測定」を承っております。 東京精密製の三次元座標測定器を保有しており、加工のみならず、 検査まで可能。 金属加工、半導体、航空宇宙業界などで高精度加工や測定にお困りの方、 思うように精度が出ずお困りの方や外注先がなかなか見つからない方の 課題を解決いたします。 【製品概要】 ■加工対応サイズ：概ねφ500程度まで ■数量：単品小ロット(1個～100個程度まで) ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
ウェハーの品質と収率の向上！超純水の比抵抗とTOC測定
当資料では、マイクロエレクトロニクス産業向けTOC測定について ご紹介しております。 オンライン比抵抗とTOC分析の重要性やリアルタイムの連続的な比抵抗と TOCのモニタリングなどについて図や画像を用いて詳しくご紹介。 参考になる一冊ですので、ぜひご一読ください。 【掲載内容】 ■オンライン比抵抗とTOC分析の重要性 ■半導体製造における超純水 ■リアルタイムの連続的な比抵抗とTOCのモニタリング ■高度なセンサ技術がプロセスを簡素化 ■まとめ ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、メトラートレドへお気軽にお問い合わせください。
アルミナフィラーや、半導体レーザの電極部といった薄膜微小領域の熱浸透率・熱伝導率が測定できる！
当カタログは、「サーマルマイクロスコープTM3B」の製品カタログです。 マイクロメーターサイズの熱浸透率測定が可能で、フィラーや薄膜の 熱浸透率測定・熱伝導率測定に好適な製品。 特長や測定原理、装置構成なども掲載しております。 ぜひ、ダウンロードしてご覧ください。 【掲載内容】 ■特長 ■測定原理 ■装置構成 ■測定事例 ■仕様 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
最大測定範囲150µm、高精度なナノ変位制御に対応
D-050/D-100は、PI社が提供する2電極静電容量センサーで、最大150µmの測定範囲と0.01nmの分解能を実現。 干渉計より高分解能かつ非接触方式のため、ナノメートルスケールの測定に最適です。 パラレル計測に対応し、多軸制御におけるリアルタイム補正も可能。 直線性は0.01%以下（デジタルコントローラー使用時）、バンド幅は最大10kHz。 クリーン環境、半導体製造、計測機器への組込みに適しています。
比較的低分子量の環状、鎖状シロキサンを含む気体を測定し分離、検出が可能か確認！
低分子シロキサンはシリコーン製品の原料やドライクリーニング用溶媒、 化粧品の添加剤等で広く使用されています。 沸点が高いにもかかわらず揮発性が高い特長を持ち室温においても容易に 気中に拡散し、揮発後の再付着により半導体製造装置のレンズ曇りや 絶縁膜の耐圧低下、接点不良などの悪影響を及ぼすことが知られています。 今回は低分子シロキサンのうち比較的低分子量の環状、鎖状シロキサンを 含む気体を測定し分離、検出が可能か確認しました。詳細は、PDF資料より ご確認いただけます。是非、ご覧ください。 【概要】 ■Sylphによる分析 ・低分子シロキサンのうち環状シロキサン(D3,D4,D5,D6)と鎖状のシロキサン (M2,M3,M4,M5)をアセトン溶媒で希釈し、窒素を封入したガスバッグに注入後、 ガスをSylphに導入し測定 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
測定対象を傷つけない！非接触・高精度、設置 も簡単な真直度測定機
真直度測定機は形状管理を行う測定機です。 上下方向の測定が可能で、測定長さは1000~3000mmまでの機種を揃えています。 断面形状を数値データで管理できるため、効果的な面形状の管理が行えます。 30年以上の販売実績がある接触式に加え、半導体業界からのご要望を受け、非接触式をラインナップしました。 主な特長は以下の通りです。 ・高精度な真直度計測が可能 ・設置が簡単 ・専用ソフトウェアで結果を可視化し、生産ヘのフィードバックが可能 ・上下双方向で測定可能 ・センサや検出物へダメージを与えない（非接触式のみ） ・検出物の硬さの影響を受けにくい（非接触式のみ） テスト機の貸出しと評価のお手伝いをいたします。
バイアルの形状、厚みの自動検査用途に最適 - 高速・高精度光センサ
色収差共焦点センサによるバイアル測定のアプリケーション資料です。 高速・高精度が特長のプレシテックの光センサで、厚み・形状検査の自動化を実現します。 シングルポイント、デュアルポイント、ラインセンサなどのラインナップがあります。 数nmからのZ分解能、最大70kHzの高速測定が可能です。 ※詳しくは資料をご覧ください。お問い合わせもお気軽にどうぞ。
