シミュレータのメーカーや取扱い企業、製品情報、参考価格、ランキングをまとめています。
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シミュレータ(熱解析) - メーカー・企業と製品の一覧

更新日: 集計期間:2026年01月14日~2026年02月10日
※当サイトの各ページの閲覧回数を元に算出したランキングです。

シミュレータの製品一覧

1~30 件を表示 / 全 63 件

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電磁界シミュレータ『EMPIRE XCcel(TM)』

1週間以上かかっていた計算作業が1日以内で完了

IMST Gmb社(ドイツ)が開発したDTD方式の電磁界シミュレータ。益々必要性が高まる大規模計算 に最適で、複数日かかる計算作業が一日以内で完了します。高速計算でGPUを使わないためメモリを 増やせば計算規模が拡張します。 【特長】適用分野  1)信号解析 :電流/電圧計算、Impedance計算、S-Parameter計算(Touch-Stone形式)など  2)特性解析:SI、PI、 ESD、TDR、 IR-Dropなどの各種計算  3)電磁ノイズ解析:EMC(EMI、EMS)解析、Smith-Chart計算、Far-Filed計算など  4)アンテナ解析  5)熱伝搬解析  6)SAR(Surface Absorption Rate:電磁被爆)計算 【特長】 ■高速計算:CPUのマルチコア構造を利用した高速電磁界シミュレータ。500億セル/秒を達成 ■大規模計算:メモリ容量に比例して計算規模が拡張。1GBで1000万メッシュを計算 ■シミュレータコスト、マシンコストの肥大化を抑制する価格設定 ※詳しくはPDFをダウンロードして頂くか、お気軽にお問い合わせ下さい。

  • シミュレーター
  • 磁場解析/電磁波解析
  • その他解析
  • シミュレータ

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光、電気、熱の3D解析シミュレータ

多モード光干渉導波路半導体レーザの3次元解析ツール

多モード光干渉導波路(MMI: Multimode Interference)半導体レーザの発光特性、電気特性と熱解析のシミュレーション。物理モデルを紹介。マスク作成から3次元シミュレーションまでシミュレーションの手順を解説。MMIデバイスのデザインにおいて考慮すべき点を説明。

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電磁界シミュレーター『ADS』

信号品質や電源品質のシミュレーションができる電磁界シミュレーター!

『ADS』は、40GHzまでの信号品質シミュレーション(SI解析)が可能な 電磁界シミュレーターです。 解析対象信号周囲の配線(電源、GND、他信号)を解析することで 実機波形により近い解析が行えます。 また、TDR、Sパラメーター検証により配線の伝送特性確認も可能です。 【特長】 ■電源品質シミュレーション(PI解析)  ・半導体ベンダーのPKGモデルを組み込んで電源インピーダンスを検証  ・ジュール熱を考慮したIRドロップ解析が可能 ■ノイズ検証(電流密度分布、放射パターン)の可視化が可能 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。

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  • シミュレータ

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半導体の3次元シミュレータ

半導体デバイスの3次元TCADシミュレーション解析ツール

クロスライトの3次元TCADを構成する製品の特徴を紹介。実際の計算例にPower NPN BJT、Interconnect Metal Debiasing、Power LDMOS、CMOS Image Sensor、FINFETなどのデバイスをピックアップ。プロセスシミュレーターCSpuremによるデバイス作成、デバイスシミュレーターAPSYSによる電気的および光的特性の解析や熱解析を例示。

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ナノワイヤー/ナノチューブLEDの3Dデバイスシミュレータ

GaN基板のナノワイヤまたはナノチューブデバイスの数値解析ツール

デバイスシミュレーター(APSYS)で、GaN基板のナノワイヤ(nanowire)やナノチューブ(nanotube)構造のLEDを効率よく解析。デバイスのモデリングとシミュレーション例を紹介。試験的に15,000メッシュポイント(mesh points)の量子井戸(quantum well)を1個有する単体のナノチューブ(single tube)を計算。典型的なI-V特性計算に、OS:Windows7+CPU:i5のノートPCで約20分のコスト。使用したAPSYSの物理モデルと数値解析機能は、「移動拡散(drift diffusion))モデルを量子力学と合わせ自己無撞着に計算」、「分極電荷を極性・半極性に利用」、「熱モデル」、「EBLドーピング、バンドオフセットや分極電荷によるIQEドロップ」、「FDTDによる抽出計算」など。

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パーティクルシミュレーター『Rocky DEM』

医療、食品、鉱業などでの使用に!様々粉体の挙動を正確に予測する解析ツール

IDAJの『Rocky DEM』は、離散要素法を用いて異なる形状やサイズの粉体の 挙動を正確に予測する、強力なパーティクルシミュレーターです。 多面体として非球形粒子をモデル化することで、高精度な粉体解析を実現。 実物の粒子を3次元スキャナーで読み込んで粉体解析に使用できます。 GPUによるShared Memory並列計算によって、高速な粉体解析を 実現しています。 【特長】 ■実形状粒子による高精度な粉体解析 ■GPUによる高速計算 ■使いやすいユーザーインターフェース ■豊富な結果処理機能 ■Ansysツールと連成解析 ★事例は動画でご覧ください。IDAJ公式Youtube Channel「Rocky DEM」 https://www.youtube.com/watch?v=lytQ472Xuzw&list=PLcvnp-10UZJHpVWjfXvMAlpvVkcZ4ZJg3 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

  • 構造解析
  • 熱流体解析
  • 解析サービス
  • シミュレータ

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ホットオージェ電子のリークのデバイスシミュレータ

量子井戸でオージェ再結合に起因するリークの解析ツール

LEDの効率の低下に関する様々なモデルをAPSYSは提供可能。(分極電荷(polarization charge)起因の量子井戸と障壁のポテンシャルひずみ。量子障壁(quantum barrier)とEBL(electron blocking layer)を越えるコールドキャリアリーク。ホットキャリア(hot carrier)起因の非局所輸送(non-local transport)。熱電子放出経由の非局所ホットオージェ電子リーク(Auger-thermionic model)。オージェ再結合率に依存する量子井戸からの非局所直接離脱(Auger-direct model)。オージェ再結合率に依存する量子障壁からのホットキャリア非局所放出(Auger-indirect model)。)

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SiC MESFETの3次元シミュレータ

SiC MESFETの3次元デバイス解析ツール

MaskEditorによるマスクパターン設計、CSupremによるプロセスシミュレーション、APSYSによるデバイスシミュレーンまでのフローで設定のポイントを紹介。また計算結果をグラフィカルにプロットし解析のポイントや特性を例示。

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蛍光体LED光線追跡シミュレータ

蛍光体をコーティングしたLEDの光線追跡シミュレーション解析ツール

解析手順のテクニックを紹介。光線追跡を解析、得られた結果のプロットを表示。(LED出力の角度配布。黄色/赤色の蛍光体における、吸収されたパワー密度のプロファイル。全ての光出力のスペクトラム。)

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MOSFETの基板電流シミュレータ

MOSFETの基板電流解析ツール

プロセスシミュレーターCSupremでNMOS(N-channel MOSFET)のモデリング例を紹介。CSupremデバイスシミュレータAPSYSによる特性解析を例示。また、鐘型曲線(Bell Bell-shaped curves)の基板電流(substrate current)特性をシミュレーションから得、実験結果と比較。

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フォトニック結晶LEDのデバイスシミュレータ

フォトニック結晶LEDのデバイスモデリングと解析ツール

フォトニック結晶LED(PhCLED)のモデリングのポイントや解析事例を紹介。DBRを持ったフォトニック結晶LEDを題材にしたシミュレーションを検討。(2D/3Dドリフトディフュージョンモデル(drift-diffusion model)。物理シミュレーションによるバンド解析。自然放出(spontaneous emission)と導波モード(guided mode)。エアホール(air hole)の深さの考察など。)また、InGaN フォトニック結晶LEDを題材に多導波モード(guided multimodes)の解析も紹介。これらのシミュレーション結果は、報告されている理論や実験と一致している。

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共振器型LEDのデバイスシミュレータ

RCLEDデバイスを例にクロスライトのデバイスモデリングと解析

RCLEDの様々なタイプの解析例を紹介。(InGaAs/AlGaAs RCLEDを例に実験結果と比較。VCSELと似た構造をもちGaAs/AlGaAs材料の多重量子井戸(MQW)のRCLED。離調DBR(detuned DBR)を持つRCLED。長い共振器をもつRCLED)デバイスシミュレーターAPSYSはオールインワンの解析とデザインアプローチを可能にする。

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非平衡グリーン関数によるSOI FinFETシミュレータ

SOI FinFETの3D解析ツール

SOI FinFETのシミュレーションフローとそこで使われるツールの概要を説明。プロセスシミュレーターCSupreによる3Dプロセスシミュレーション例を紹介。プロセスシミュレーションで作った構造データをもとに、デバイスシミュレーターAPSYSにおいて量子閉じ込めや酸化層の溶け込みや量子バリスティック電流輸送モデルなどのFinFETのモデリングの特徴とその解析例を紹介。

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有機金属気相成長法による結晶成長シミュレータ

化合物半導体の有機金属気相成長法の数値シミュレーション解析ツール

有機金属気相成長法(MOCVD)のプロセスシミュレーターPROCOM(プロコム)の事例を紹介。PROCOMは、流体力学(fluid dynamics)や質量(mass transport)および熱輸送(heat transport)、さらに非平衡ガス-ガス(non-equilibrium gas-gas)または非平衡ガス-表面(non-equilibrium gas-surface)化学反応(chemical reactions)を考慮したMOCVDプロセスの包括的なモデルを提供。統合されたGUIツールで幾何学的構造、メッシュおよび化学反応コントロールを取扱い可能。回転ディスクモデル(rotating disk model)は効果的で、MOCVDにおいて回転ディスクを使うことの利点を明らかにした。

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アバランシェフォトダイオードのデバイスシミュレータ

アバランシェフォトダイオードの解析ツール

APD(Avalanche Photodiodes)のシミュレーションで利用されるAPSYSの物理モデルを紹介。(ドリフト拡散(drift-diffusion)と流体力学(hydrodynamic)モデル。衝突電離(impact ionization)と過剰雑音(excess noise)要因。共振状態(Resonant condition))また、APDデバイスのモデリングと解析結果について紹介。(InP/InGaAs SAGCM APDのモデリング。InGaAs/AlGaAs RCE SAGCM APDのモデリング。GaAs/AlGaAs PIN APDのホットキャリア(hot carrier)モデル)

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ナノサイズGaN HEMTのシミュレータ

GaN HEMTのデバイス解析ツール

APSYSの電界効果トランジスタ(FET)デバイス解析に利用する物理モデルを説明。量子バリスティック電流輸送(Quantum ballistic current transport)モデルの紹介。APSYSによるGaN HEMTの非平衡グリーン関数法(NEGF: Non-Equilibrium Green's Function)と移動拡散方程式によるシミュレーション結果を比較。I-V特性の形状においてNEGFによる結果は実験結果に類似。

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高耐圧MOSFETの2/3次元シミュレータ

ハイボルテージMOSFETの2/3次元デバイス解析ツール

ハイボルテージ(High Voltage) MOSFETを題材に2次元/3次元シミュレーションを紹介。内容:プロセスシミュレーターCSupremとデバイスシミュレーターAPSYSのモデルを概観、プロセスシミュレーションについて解説、300V LDMOSのブレークダウン(Breakdown)の解析、フローティングゲート(floating gates)の3次元シミュレーション、ハイブリッドIGBT(hybrid IGBT)の3次元シミュレーション。

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ガン・ダイオードのシミュレータ

ガン・ダイオードのモデリングと解析のためのツール

ガン・ダイオード(Gunn Diode)のデバイスモデリング、シミュレーション解析結果を解説。ガン・ダイオードの自励発振をデモンストレーション。摂動を伴った過渡シミュレーションが効果を観察する鍵。不均質なキャリア/電場のプロファイルが自励発振のもととなる鍵。過渡的な移動拡散は確率的なノイズ起因のモデルでないため、摂動はユーザーによって定義されるべき。

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多体エキシトン効果の解析シミュレータ

デバイスシミュレーションにおける多体効果、エキシトン効果および不均一広がり効果の解析ツール

多体効果(manybody effect)およびエキシトン(exciton effect)と不均一広がり効果(inhomogenous broadening effect)をデバイスシミュレーターに搭載。結果は文献で発表された理論と実験データに合致。クロスライトは新しい利得/吸収スペクトルモデル(gain/absorption spectrum model)を全てのユーザーに推奨。

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感光デバイス解析シミュレータ

APSYSとFDTDを利用した感光デバイスのシミュレーション解析ツール

デバイスシミュレーターAPSYSとFDTD(バリエーション有)でシームレスに作業・デバイスシミュレーションが可能。APSYS-FDTDパッケージに付属されている2Dと3D構造デバイスのFDTDに関する例題を使用してその機能を例示。複雑な3D構造のシミュレーションには64ビットCPUとOSが必要だが、APSYSは既に対応済み。

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有機LEDのシミュレータ

様々なタイプの有機LEDを例に計算のための物理モデルや解析

クロスライトのデバイスシミュレーターAPSYS(アプシス)で様々な有機LED(Organic Light-Emitting Diodes)のシミュレーションを紹介。有機半導体(organic semiconductor)に対する量子移動拡散(quantum drift-diffusion)モデルと解析。3D光線追跡(3D ray-tracing)による光抽出(non-microcavity mode)。フレンケル励起子(Frenkel exciton)を伴ったエレクトロルミネセンス(electroluminescent)スペクトルのモデリング。マイクロ共振器(microcavity)効果を含めた計算。アクティブマトリクス式有機EL(AMOLED)への適用。三重拡散層を使った白色有機EL(WOLED)の解析。低電圧PIN構造の特性をシミュレーションと実験結果の比較。タンデム型有機EL(OLED)の解析。

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結晶方位の影響を解析するシミュレータ

GaN基板デバイスの光特性に対する結晶方位の影響を解析するツール

結晶方位(crystal orientation)と分極(polarization)について解説。任意の結晶方位での量子井戸(QW)を解析するためのk.p.法(k.p. method)など、結晶方位の影響を探るための物理モデルの紹介。異なる結晶方位での光利得(optical gain)、c-planeとm-planeでの結晶方位の影響の比較、有限要素シミュレーション(finite-element simulation)による半導体レーザーダイオード(LD)性能の比較などInGaN/GaN QWを題材にその結果を例示。

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HEMTシミュレータ

HEMTシミュレーションにおける解析ツール

「GaN/AlGaN HEMTにおける圧電分極(Piezoelectric charge)、核形成層(nucleation layer)と半絶縁トラップ(semi-insulating traps)」、「GaN/AlGaN HEMTにおけるホットキャリアトラップ(Hot Carrier Trapping)」、「InGaAs HEMTにおけるインパクトイオン化効果」の各課題を具体的なデバイスでシミュレーション、結果を解説。

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低電界移動度モデルのシミュレータ

低電界移動度モデルの解析ツール

低電界移動度モデルの概要説明。そのコマンド文法の解説。各機能とパラメータの解説。NMOSを題材にシミュレーションのセットアップについての解説およびその計算結果としてのId-Vd特性およびId-Vg特性のプロットを例示。

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高出力SCOWLレーザのシミュレータ

スラブ結合光導波路レーザの解析ツール

クラマース・クローニヒの方程式を用いた屈折率変化のメカニズムの温度依存や自由電子/プラズマモデルが妥当な結果を与える。LASTIPはLASTIPはSCOWLタイプの高出力レーザーにおいて横モードの振舞いの正確な見積を提供する。長い共振器のようなさらに踏込んだ解析には、軸方向空間ホールバーニング(longitudinal spatial hole burning)と端面光ダメージ効果(facet optical damage effect)を考慮する必要があるためPICS3Dを推奨。

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量子井戸型赤外線センサーのデバイスシミュレータ

量子井戸型赤外線センサーの自己無撞着モデルによる解析ツール

クロスライトのAPSYSはQWIP(Quantum Well Infrared Photodetectors)デバイスの解析に対して総合的な物理モデルを提供可能。そしてモデルの妥当性は実験結果と比較して十分にリーズナブルである。移動拡散理論(drift-diffusion theory)に対する非局所的な量子補正はQWIPの性質における光電流(photo-carrier extraction)を説明するのに必要。

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InGaN/GaN量子ドットLEDシミュレータ

InGaN/GaN量子ドットLEDのデバイス解析ツール

LEDデバイスを例に量子ドット(quantum dots)のモデルを解説。量子ドットサイズごとの発光スペクトル(EL spectrum)をシミュレーション。また、実験結果とも比較。量子輸送の有無によるI-V特性をシミュレーション、結果を比較。また、実験結果とも比較。量子効率の解析、比較。量子ドットの密度の違いによる量子効率や発光スペクトルを比較。また、量子ドット(quantum dots)と量子井戸(quantum wells)のLEDデバイスの特性を比較。

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フォトニック結晶レーザの3Dシミュレータ

フォトニック結晶半導体レーザの3次元解析ツール

クロスライトの3次元TCADはフォトニック結晶半導体レーザ(PhCLD)解析のためのFDTDおよび電気-光シミュレーション環境を統合。クロスライトの3次元TCADは電気的ポンピングPhCLDをデザイン、最適化するためのツール。ユーザーフレンドリーで実用的なGUIはオリジナルのGDSIIレイアウトから最終的にレーザー発光特性のシミュレーションまでをカバー。

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量子ドリフトディフュージョン解析シミュレータ

量子モデルおよび非局在輸送モデルによる解析ツール

従来の移動拡散ソルバー(drift-diffusion solver)に様々な量子モデル(quantum model)および非局在輸送モデル(non-local model)を含むように改良。それらのモデルは、量子および非局在的な物理を含むデバイスをシミュレーションする上で重要。そのようなアプローチでの潜在的な困難として、何らかの妥当性を判断することがユーザーに対して要求される。

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ミックスモードシミュレータ

回路とデバイス混在のシミュレーション

回路(SPICE)とデバイスを混在してシミュレーションを行うクロスライトのミックスモードを紹介。回路とデバイス混在シミュレーションのしくみの概略説明。IGBTデバイスを題材にミックスモードの実行と結果解析の例を紹介。

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