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プラズマ解析領域全体におけるイオンのエネルギー分布、角度分布等を計算！
『イオンモンテカルロ・シミュレーション・モジュール（IMCSM）』は、 プラズマ解析領域全体にわたり、イオンのエネルギー分布、また境界セル での入射エネルギー／角度分布を計算します。 現在のPHMは、装置内のプラズマ分布等を計算しますが、計算モデル上、 イオンのエネルギーは一様としています。しかし、基板／ターゲット表面の イオンエネルギーを求めたい場合が多いと考えられます。 当製品は、PHMの計算結果（空間分布物理量）を用いて、プラズマ解析領域 全体、および基板／ターゲット表面のイオンエネルギー分布等を計算します。 【特長】 ■PHMの計算結果（空間分布物理量）を用いる ■プラズマ解析領域全体、および基板／ターゲット表面の イオンエネルギー分布等を計算する ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
DSMC法を用いて中性粒子の密度、温度、圧力分布等を計算するソフトウェアをご紹介！
『RGS3D』は、DSMC法（粒子モデル）を用い、様々な真空装置内の希薄気体の 流れ場を解析するためのモジュールです。 気体を連続体であると見なして取り扱う、ナビエ・ストークス方程式の 適用限界を超えるKn（クヌーセン数；流れの希薄度を評価する無次元数、 Kn＝平均自由行程長/流れの代表長さ）が、Kn > 0.01の場合の流れ場の 解析を得意としています。 また、Kn > 1となる場合は、高速なモンテカルロ法の選択が可能です。 【特長】 ■一般的な希薄気体条件下での電荷を持たない中性粒子の挙動を解析する ■新衝突計算法を指定することにより粘性流領域の解析も可能 ■任意形状の構造物、空間メッシュ分割による解析が可能 ■どのような混合ガスでも精度の良い解析ができる ■壁との衝突が支配的な場合は、高速なモンテカルロ法の選択が可能 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
より真実味のある入力データでスパッタリング解析をおこなうことが可能です！
『スパッタリング・シミュレーション・モジュール（SPUTSM）』は、 PIC-MCCMの計算結果（ターゲットへの入射イオンのフラックス、エネルギー、 入射角）を参照し、SASAMALを用いて、スパッタリング粒子の放出フラックス や角度分布、エネルギーを計算するモジュールです。 粒子法を取り入れたプラズマ解析をおこなうPIC-MCCMで計算できる入射 イオンのデータを入力データとして用いることができ、より真実味のある 入力データでスパッタリング解析をおこなうことが可能。 また、入力方法もデータフォルダーの指定をするだけで簡単に取り込めます。 【特長】 ■スパッタリング粒子の放出フラックスや角度分布、エネルギーを計算する ■粒子法を取り入れたプラズマ解析をおこなうPIC-MCCMで計算できる 入射イオンのデータを入力データとして用いることができる ■より真実味のある入力データでスパッタリング解析をおこなうことが可能 ■入力方法もデータフォルダーの指定をするだけで簡単に取り込める ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
計算の精度が高い！装置内のプラズマ密度が、比較的低い場合のプラズマ解析を得意とするモジュール
『プラズマPICモンテカルロ衝突モジュール（PIC-MCCM）』は、プラズマ CVD装置、プラズマエッチング装置、スパッタリング装置、機能性薄膜の 製造装置といった装置内の、非平衡低温プラズマの挙動を解析ができる モジュールです。 装置内のプラズマ密度が、比較的低い（10^16[#/m3]；10^10[#/cc]程度以下） 場合のプラズマ解析を得意としており、電磁場中での電子ビーム、イオン ビームの軌道解析などといった荷電粒子挙動解析も可能です。 【特長】 ■物理モデルが比較的簡単である ■シミュレーションの際に持ち込まれている物理モデルの仮定や近似が少ない ■計算の精度が高い ■SMCMとのカップリングにより、バッファガス・ラジカル種の影響も 考慮にいれた連成シミュレーションを行うことが可能 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
新衝突計算法を指定することにより、平均自由行程以上のセルサイズでの計算が可能です！
『中性粒子DSMCモジュール（DSMCM）』は、多数のサンプル粒子を配置し、 それらの粒子の衝突を物理モデルに従って確率的に引き起こして挙動を 追跡していくといったDSMC法（粒子モデル）を用い、いろいろな真空装置内の 希薄気体の流れ場を解析するためのモジュールです。 エッチング装置、薄膜製造装置、スパッタリング装置内の電荷を持たない 中性粒子（バッファガス、ラジカル種、スパッタリング粒子）の挙動を 解析することが可能。 また、新衝突計算法を指定することにより粘性流領域(Kn<0.01)の解析もできます。 【特長】 ■原理的には自由分子流から常圧の気体の流れ場までを解析できる ■計算量の問題から、低圧の流れ場に適用するのが有効 ■新衝突計算法(U-system)を指定することにより、平均自由行程以上の セルサイズでの計算が可能 ■PIC-MCCMやPHMとカップリングすることにより、ラジカル種やスパッタリング 粒子の挙動も（テスト粒子モンテカルロ法を用いて）高速に計算することが可能 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
イオン注入、あるいはスパッタリング現象そのものに関する計算を行うことが可能！
『動的モンテカルロシミュレーションソフトウェア（SASAMAL）』は、 2体衝突近似に基づくモンテカルロ法によるシミュレーションコードです。 アモルファスターゲットに高エネルギーのイオンが入射した際の スパッタリング率、スパッタリング原子の放出角度分布・エネルギー分布、 入射粒子の後方散乱する割合・角度分布・エネルギー分布、イオンの ターゲットへの侵入深さ（Depth Profile）を計算。 各種材料のスパッタリング率の、イオンの入射エネルギー依存性や 入射角度依存性の評価、イオン注入による材料の表面改質プロセスの 評価などに利用できます。 【特長】 ■当製品単体のみを用いた場合でも、イオン注入、あるいはスパッタリング 現象そのものに関する計算を行うことが可能 ■PIC-MCCMやDSMCM と組み合わせて用いた場合、広い範囲の装置パラメータの 影響を調べることも可能 ■装置のガス圧とスパッタリング率の関係なども評価することができる ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
圧縮性と粘性を考慮した流れの計算が可能！ガス成分の種類ごとに密度と流量の空間分布が求まります
『中性粒子連続体モジュール（NMEM）』は、複数種の原子・分子 （電荷を持たない粒子）からなる混合気体の流れ場を計算します。 中性粒子種各成分の拡散を考慮した流体の基礎方程式を解くことにより、 各成分の流量と密度を計算。 この基礎方程式は気体を連続体とみなしたもののため、Kn（クヌーセン数； 流れの希薄度を評価する無次元数Kn＝平均自由行程長／流れの代表長さ）が およそKn<0.01の場合に対して適用できます。 【特長】 ■ガス成分の種類ごとに密度と流量（フラックス）の空間分布が求まる ■圧縮性と粘性を考慮した流れの計算ができる ■プラズマとカップリングした計算が可能（PHMまたはPIC-MCCMとのカップリング） ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
PVD、プラズマCVD、そしてエッチングなどどのような反応にも対応可能です！
『表面形状・シミュレーション・モジュール（FPSM2D）』は、 粒子モンテカルロ法により、基板表面での様々な反応を考慮し、 基板、堆積膜の経時変化を計算するモジュールです。 PVD、プラズマCVD、そしてエッチングなどどのような反応にも対応可能。 入射粒子情報（粒子フラックス、入射エネルギー・角度分布）はPEGASUS 気相モジュール、PEGASUS表面科学系モジュールからの出力を使用するか、 もしくは当製品が備えている入力方法で使用者が指定します。 【特長】 ■粒子モンテカルロ法を用い、セル法により固体層占有率、表面被覆率を 考慮し形状を表現 ■セル法特有のシャープな境界面は用いず、固体層占有率による勾配から 入射角を決定し、入射角依存の鏡面反射確率、反応確率に適用 ■ガス種、反応式、錯体、ポリマーなどの数に制限はない ■2次元直交メッシュで定義されるが、初期形状は任意形状で与えることが可能 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
