更新日： 集計期間:2026年02月25日～2026年03月24日
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既存材料で満足できない 少量多品種のデバイスを開発をされている方に寄り添ったカスタム対応を実現
WAVES 株式会社では半導体向け スパッタリングターゲット・蒸着材 を幅広いニーズに対応しております。 弊社は米国の薄膜材料業界で、３０年以上の実績を誇るVEM社と日本で唯一の提携企業です。 VEM社HP：https://www.vem-co.com ＜製品例＞ AlSc Ni系 Ti系 Al系 【特徴】 ・純度が99.9％から99.9999％ ・小ロットから発注可 ・特定の形状で任意のカスタムターゲットをリクエスト可 ・エンハンストターゲット対応可 ・高品質 ・分析証明書とSDS付属
抵抗変化型メモリ（RRAM）、透明導電性薄膜（TCO）、ガスセンサー、スピントロニクスとして使用可能な酸化二ケル材料！
■純度>99.99％ ■理論密度（6.67g/cm³） ■製造方法：焼結法、HP法 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
マイクロチップのゲート回路などにおける、金属配線用の拡散防止剤や接着剤として使用可能なタングステンチタン材料
■純度：99.9％ ■密度（19.3 g/cm³） ■製造方法：粉末冶金法 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
薄膜形成や超伝導材料、耐熱・耐食性用途に用いられる純度99.9％の鉄（Fe）材料！
■純度：99.9％~99.999％ ■理論密度（16.6 g/cm³） ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
薄膜形成やマイクロエレクトロニクス製造、建築ガラスのLow-E膜・液晶パネル・記録メディアなどに利用可能なニッケルクロム！
■純度：99.5％~99.95％ ■密度（8.4 g/cm³） ■製造方法：真空溶錬法 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
半導体製造プロセスや、HDDなどの記録メディア、フラットパネルディスプレイなどの薄膜形成に使用な酸化チタン！
■純度>99.9％ ■密度（4.49 g/cm³） ■製造方法：HIP法 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
タンタル(Ta)ターゲット 純度≧5N
■タンタル(Ta)ターゲットは主に物理蒸着(PVD)と化学蒸着(CVD)プロセスに用いられる ■高耐熱性、優れた耐蝕性 ■高密度(16.6g/cm3) ・高エネルギースパッタリングに適用し、薄膜堆積効率を高める ■良好な導電性 ・抵抗率が低く、半導体及び電子デバイスの応用に適している ■生体適合性 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
高い屈折率を利用して、カメラ用レンズなどの光学製品の小型化や高性能化に貢献！積層セラミックコンデンサの誘電率を高める添加材として
■純度>99.9％ ■密度（4.47 g/cm³） ■製造方法：HIP法 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
集積回路（IC）の製造、半導体・マイクロエレクトロニクス産業に貢献！高品質な薄膜を成膜可能なニッケル・バナジウム材料
■純度：99.5％~99.95％ ■密度（8.4 g/cm³） ■製造方法：真空溶錬法 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
世界最高品質のタングステン･モリブデン スパッタリングターゲット
プランゼー独自のパウダーメタラジー(粉末冶金法)により、タングステン・モリブデンの純度、結晶構造、密度、ターゲットの形状を最適化し、冷却用支材とのボンディングまで、様々な要望に対応します。開発から量産にいたるまで、幅広くサポート致します。
自社工場にて貴金属スパッタリングターゲットを製造。小ロットから対応致します。
・製造メーカー直販により低コスト、短納期での商品提供が可能。 ・小ロットから量産品、実験開発用特殊材料などの加工に対応。 ・高純度、均一組成、高密度、低ガス品質な高品質材料を提供。 ・ISO9001により、徹底した品質管理、製品の安定供給を行います。 ・使用済み材料の再利用、回収精製、買取などのアフターフォロー。
チタンTiターゲット 最高純度≧5N5
■各種類純度対応可能 ■形状： プレーナー ロータリターゲット 非正常形 ■PVD、マグネトロンスパッタリングに使われる ■チタン合金ターゲットも多数取り扱い ■硬度、導電性などの薄膜特性を調整可能 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
太陽電池用・ディスプレイ等で採用実績多数の透明導電用スパッタリングターゲット。99.99％以上の高純度品です。
＊TCO（透明導電膜）ターゲット材 ＊ナノ粒子を用いた緻密なセラミックコート素材 ＊AZO(ZnO(酸化亜鉛)＋Al2O3(酸化アルミニウム))系、 ZnO(酸化亜鉛)系、GZO(ZnO（酸化亜鉛)＋Ga2O3(酸化ガリウム(III))系 がございます。 AZO・ZnOターゲットは理論密度99.5％以上の高密度。 GZOターゲットは99％以上の高密度 ＊ターゲット表面抵抗：5ｘ10－3Ω/Square ＊蒸着中の錯乱粒子が少なく、クラック発生を抑制できます。 当社無機ファイン部HPもご覧ください。
錫(Sn)ターゲット 純度≧4N
■高純度 ・通常純度が99.99％（4N）以上に達し、半導体、光学膜などの材料純度に対する要求が高い応用を満たすことができる ■良好な導電性 ・錫(Sn)は優れた導電性を有し、ITO薄膜の製造などの透明導電膜に適している ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
ハフニュウム(Hf)ターゲット 純度≧4N5 Zr≦0.1wt％
■高純度Hfターゲット、半導体業界使用実績あり GDMS純度測定値付き ■厳しい管制の状況で、法律に従って許可書対応して輸入を行う ■民用であれば供給可能 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
創業60年、確かな技術
弊社では電子機器、半導体等電子部品薄膜用のスパッタリングターゲット等、合金の工業製品の製造(溶解・圧延・加工)も行っております。 細かな対応も可能であり、 研究用や試作用など小ロットからの製造も承っております。 角ターゲット、チップ、その他形状ご依頼に応じて作成いたします。お気軽にお問合せください。
各種製法による多種類のターゲット材に対応！バッキングプレートも製造可能です
スパッタリング法はイオン化した分子・原子を加速して材料に衝突させ、 飛ばされた材料を基板上に薄膜として堆積させる方法で、その材料は ターゲットと呼ばれます。 ターゲ ットの形状は装置によって決まり、矩形状・円筒状などがあります。 一般には材料をバッキングプレートに貼り付けたボンディング型ターゲッ トが 使われますが、特に円筒ターゲ ットについてはボンディング品のほか、 溶射型、一体型などがあります。 当社では、ターゲット材毎に好適なタイプを提供しております。 【形状(製法)】 ■円筒(ボンディング) ■円筒(一体型) ■円筒(溶射) ■平面(ボンディング) ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
ニッケル(Ni)ターゲット 純度≧4N5
■高純度 半導体業界使用実績も多数あります。 ■緻密性 密度が高い、均一性がいい ■ニッケル合金も種類多く対応可能 NiCr、NiTi、NiCu、NiCuTi ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
半導体薄膜形成に。高純度Hfターゲットで高品質な薄膜を。
半導体業界では、デバイスの高性能化に伴い、薄膜の品質が重要視されています。特に、Hf（ハフニウム）ターゲットを用いた薄膜形成においては、ターゲット材の純度と均一性が、薄膜の特性を大きく左右します。不純物の混入や結晶粒径のばらつきは、薄膜の信頼性低下につながる可能性があります。当社の高純度Hfターゲットは、高品質な薄膜形成をサポートします。 【活用シーン】 ・半導体製造における薄膜形成 ・スパッタリングによるHf薄膜の作製 ・高性能デバイス製造 【導入の効果】 ・高品質な薄膜の実現 ・デバイス性能の向上 ・歩留まりの改善
高純度タンタル(Ta)ターゲットで、薄膜形成の品質と効率を向上
半導体業界において、薄膜はデバイスの性能を左右する重要な要素です。特に、微細化が進む中で、薄膜の均一性、密着性、耐熱性、耐食性が求められます。不適切な薄膜形成は、デバイスの性能低下や歩留まりの悪化につながる可能性があります。当社のタンタル(Ta)ターゲットは、高品質な薄膜形成を可能にし、半導体デバイスの信頼性向上に貢献します。 【活用シーン】 ・PVD/CVDプロセスにおける薄膜形成 ・半導体デバイスの配線形成 ・高密度記録媒体の製造 【導入の効果】 ・薄膜の均一性向上 ・デバイスの性能向上 ・歩留まりの改善
ニッケル(Ni)ターゲット 純度≧4N5。薄膜形成の品質向上に貢献。
半導体業界において、薄膜はデバイスの性能を左右する重要な要素です。薄膜の品質は、ターゲット材の純度、緻密性、均一性に大きく影響を受けます。不純物の混入や密度ムラは、デバイスの性能低下や歩留まりの悪化につながる可能性があります。当社のニッケル(Ni)ターゲットは、高純度かつ緻密性に優れており、高品質な薄膜形成を可能にします。 【活用シーン】 ・半導体製造における薄膜形成 ・スパッタリングによる金属膜形成 ・NiCr、NiTi、NiCu、NiCuTi合金薄膜形成 【導入の効果】 ・高品質な薄膜の実現 ・デバイス性能の向上 ・歩留まりの改善
高品質ジルコニウム(Zr)ターゲットで、半導体薄膜の品質向上をサポート
半導体業界において、薄膜形成はデバイスの性能を左右する重要な工程です。ジルコニウム(Zr)ターゲットは、高い純度と均一な膜質が求められます。特に、薄膜の密着性や耐食性は、製品の信頼性を大きく左右するため、高品質なターゲット材の選定が不可欠です。当社のジルコニウム(Zr)ターゲットは、高い純度と厳格な品質管理により、これらの課題に対応します。 【活用シーン】 ・スパッタリングによる薄膜形成 ・半導体デバイス製造 ・高品質な薄膜が必要な研究開発 【導入の効果】 ・高品質な薄膜形成によるデバイス性能向上 ・歩留まりの向上 ・信頼性の高い製品の提供
タングステン(W)ターゲット 純度≧5N
ディスプレイ業界では、薄膜形成技術が製品の性能と品質を左右する重要な要素です。特に、ディスプレイの表示性能を向上させるためには、均一で高品質な薄膜の形成が不可欠です。不適切なターゲット材の使用は、薄膜の品質を低下させ、ディスプレイの輝度やコントラストに悪影響を及ぼす可能性があります。当社のタングステン(W)ターゲットは、高純度で均一な薄膜形成を可能にし、ディスプレイの高性能化に貢献します。 【活用シーン】 ・ディスプレイ製造における薄膜形成 ・高精細ディスプレイ、有機ELディスプレイ、液晶ディスプレイ ・スパッタリングによる薄膜形成 【導入の効果】 ・高品質な薄膜形成によるディスプレイ性能向上 ・均一な膜厚と高い密着性 ・歩留まり向上とコスト削減
精密機器の薄膜形成に。高純度タングステン(W)ターゲット
精密機器業界では、製品の高性能化と小型化に伴い、薄膜技術の精度が重要視されています。特に、耐久性や信頼性が求められる精密部品においては、高品質な薄膜の形成が不可欠です。薄膜の品質が低いと、製品の性能低下や寿命の短縮につながる可能性があります。当社のタングステン(W)ターゲットは、高品質なスパッタリング成膜を実現し、精密機器の薄膜形成に最適な素材を提供します。 【活用シーン】 ・センサー ・MEMSデバイス ・光学部品 ・電子部品 【導入の効果】 ・高精度な薄膜形成 ・高い耐久性 ・均一な膜厚 ・多様な材料への対応
既存材料で満足できない 少量多品種のデバイスを開発をされている方に寄り添ったカスタム対応を実現
WAVES 株式会社では半導体向け スパッタリングターゲット・蒸着材 を幅広いニーズに対応しております。 弊社は米国の薄膜材料業界で、３０年以上の実績を誇るVEM社と日本で唯一の提携企業です。 VEM社HP：https://www.vem-co.com ＜製品例＞ Pt系 Au系 Ti系 Cr系 Al系 【特徴】 ・純度99.9％から99.9999％ ・小ロットから発注可 ・特定の形状で任意のカスタムターゲットをリクエスト可 ・エンハンストターゲット対応可 ・高品質 ・分析証明書とSDS付属
ジルコニウム(Zr)ターゲット 純度≧3N5、Hf≦0.2wt%，出荷中
ディスプレイ業界における成膜プロセスでは、高品質な薄膜形成が求められます。特に、ディスプレイの表示性能を左右する薄膜の均一性や密着性は重要です。ジルコニウム(Zr)ターゲットは、これらの要求に応えるための材料です。 【活用シーン】 ・ディスプレイ製造におけるスパッタリング成膜 ・高品質な薄膜形成が必要な場面 【導入の効果】 ・高品質な薄膜形成によるディスプレイ性能の向上 ・安定した成膜プロセスの実現
既存材料で満足できない 少量多品種のデバイスを開発をされている方に寄り添ったカスタム対応を実現
WAVES 株式会社では半導体向け スパッタリングターゲット・蒸着材 を幅広いニーズに対応しております。 弊社は米国の薄膜材料業界で、３０年以上の実績を誇るVEM社と日本で唯一の提携企業です。 VEM社HP：https://www.vem-co.com 【特徴】 ・純度99.9％から99.9999％ ・小ロットから発注可 ・特定の形状で任意のカスタムターゲットをリクエスト可 ・エンハンストターゲット対応可 ・高品質 ・分析証明書とSDS付属
高純度Hfターゲットで、ディスプレイの品質向上に貢献
ディスプレイ業界では、薄膜形成技術が製品の性能を左右します。特に、スパッタリング技術を用いた高品質な薄膜形成には、高純度Hfターゲットが不可欠です。Hfターゲットの純度と均一性が、ディスプレイの表示性能や耐久性に大きく影響します。当社製品は、高純度Hfターゲットを提供し、お客様のディスプレイ製品の品質向上に貢献します。 【活用シーン】 ・ディスプレイ製造におけるスパッタリング工程 ・薄膜トランジスタ（TFT）製造 ・タッチパネル製造 【導入の効果】 ・高品質な薄膜形成による表示性能の向上 ・製品の耐久性向上 ・歩留まりの改善
純度≧3N5、Hf≦0.2wt%のジルコニウム(Zr)ターゲットを出荷中
エレクトロニクス業界のスパッタ用途では、高品質な薄膜形成が求められます。特に、半導体デバイスや電子部品の製造においては、ターゲット材の純度や均一性が製品の性能を左右します。ジルコニウム(Zr)ターゲットは、耐食性や耐熱性に優れ、様々な電子部品の製造に利用されています。当社のジルコニウム(Zr)ターゲットは、高品質な薄膜形成を可能にし、お客様の製品の信頼性向上に貢献します。 【活用シーン】 ・半導体製造 ・電子部品製造 ・薄膜形成 【導入の効果】 ・高品質な薄膜形成 ・製品の信頼性向上 ・スパッタリング効率の向上
最高純度≧5N5のチタン(Ti)ターゲット
半導体業界における成膜プロセスでは、高品質な薄膜形成が製品の性能を左右します。特に、微細化が進む中で、ターゲット材の純度、均一性、およびスパッタリング効率が重要になります。不純物の混入や膜厚の不均一性は、デバイスの信頼性低下や歩留まりの悪化につながる可能性があります。当社のチタン(Ti)ターゲットは、最高純度5N5を実現し、PVD、マグネトロンスパッタリングによる高品質な成膜を可能にします。 【活用シーン】 ・半導体デバイス製造における金属配線形成 ・薄膜トランジスタ(TFT)製造 ・各種センサーデバイス製造 【導入の効果】 ・高純度チタンによる高品質な薄膜形成 ・均一な膜厚と優れた密着性 ・デバイスの信頼性向上と歩留まり改善
