更新日： 集計期間:2025年10月15日～2025年11月11日
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シミュレーションによって拡散の経路・障壁を求めることが可能です
半導体の電気的、光学的、磁気的特性は系に含まれる欠陥や不純物による影響を強く受けるため、 設計通りの物性を得るためには欠陥や不純物の挙動を理解し、制御する必要があります。しかしながら、原子レベルのミクロな挙動を実験的な手法から評価するのは難しいため、計算シミュレーションを用いたアプローチが有効となります。本資料ではNEB（Nudged elastic band）法を用いた第一原理計算によって、シリコン結晶中の金属不純物（Fe）について、拡散の経路・障壁を評価した事例を紹介します。
微小領域のXRD測定が可能
照射X線をΦ400μmに絞ってXRD測定を行うことで、面全体ではなく所定の領域を狙って結晶情報を取得した事例をご紹介します。 プリント基板サンプルのXRD測定の結果、測定箇所（１）～（3）全てでCuとBaSO4が検出され、電極である測定箇所（１）ではAu由来のピークが検出されました。XRFによる測定結果とよく一致しています。 このように組成や結晶性の異なる数百μmの領域を狙って結晶構造を同定することが可能です。 測定法：XRD・XRF 製品分野：LSI・メモリ・電子部品 分析目的：組成評価・同定・構造評価 詳しくは資料をダウンロード、またはお問い合わせください。
EBSD：電子後方散乱回折法
薄片化した試料でEBSD分析を行うことにより、従来のバルク試料よりも高い空間分解能を得ることができます。
XRD：X線回折法
極点測定は特定の結晶面に着目し、試料に対して様々な方向からX線を入射させることで結晶方位の分布を評価する方法です。検出器を着目の結晶面の回折角度(2θ)に固定し、α(試料のあおり角度)とβ(試料の面内回転角)の2つのパラメータを変化させてあらゆる方向に傾いた結晶面を測定します。高い回折強度が観測される方向に結晶方位が集中していることを示します。また、測定結果は右下の図のような極図形で表します。
数百μmの広い領域を対象に精密加工/構造評価が可能
高い位置精度かつ広域の断面作製を実現し新しい大容量解析アプリケーションとして活用できます 大面積中の小さな構造でも狙って加工でき、広域の構造解析が可能
処理の違いによるSi表面のSiHや状態の定性・相対比較
Si表面についてHF処理後、オゾン処理後の状態を比較しました。 正イオンスペクトルではSiのピーク強度が異なりました。HF処理後のSi強度が弱いのはSiが金属系のためで、一方、UV-オゾン洗浄後やAs ReceivedのSi強度が強いのはSiが酸化物系のためです。 負イオンスペクトルからは、HF処理後ではSiF、SiH、Six系、UV-オゾン洗浄後やAs ReceivedではSiO2系など表面状態を反映したフラグメントイオンが検出されています。
シミュレーションによってアモルファス膜のミクロな構造解析が可能です
アモルファスSiNx（a-SiNx）膜は、N/Si比などの組成変化によって半導体から絶縁体まで物性が大きく変化することから、トランジスタ用ゲート絶縁膜など幅広い用途で用いられています。一方、結晶性のないアモルファス構造の材料に対し、原子レベルのミクロな構造解析を行える実験手法は限られているため、シミュレーションによってさまざまな組成、密度を有したアモルファス構造を作成し、解析を行うことは有効なツールとなります。本資料では、分子動力学計算を用いたa-SiNx膜の構造解析事例を紹介します。
TEM（透過型電子顕微鏡）は電子部品の故障部位観察、長さ測定、元素分析、結晶構造の解析等や材料評価の幅広い要求にお応えします。
TEMは高倍観察のみならず、EDS、EELSによる元素分析、 あるいは電子線回折による結晶構造、面方位、格子定数等の 解析を行う事ができます。
パワー製品の伝送線路特性を考慮した設計開発支援
弊社では、LSIからパワーエレクトロニクスまで半導体応用製品に関する幅広い経験をベースとした、設計支援を行なっております。 近年注目されているインバータに代表されるパワーエレクトロニクス分野ではスイッチング時の課題解決がポイントとなっております。 弊社では、電磁界解析シミュレータを用いた伝送線路解析から製品評価、更には回路シミュレーションを用いた解析と整合確認まで、包括した設計支援を行なうことができます。
設計から流路3Dモデル作成、流動解析、成型までの一連の流れがテスト可能！
アクスモールディングでは、スペシャリストが対応し、開発･設計の コンサルタンティングまで一連で請け負うことが可能です。 当社では、設計から流路3Dモデル作成、流動解析、実際の成形までの 一連の流れがテストできます。 曲面が多く複雑な、押出流路の3Dモデル作成が可能。 また、解析ソフトは日本製のHASL社のソフトを使用します。 【解析ソフト】 ■Materialfi 樹脂計算式定義 ■FLATSimulator Tダイ解析用 ■SpiralSimulator 丸ダイ解析用 ■SingleSrewSimulator 単軸スクリュ解析用 ■FlowSimulator3D 3D・異形・多層解析用 詳しくはカタログをご覧頂くか、お気軽にお問い合わせ下さい。
3D CAEを活用した流体解析、構造解析で、お客様の製品開発や課題解決をサポート！
当社は、自動車業界で需要が高まっているモデルベース開発において、 開発に必要なCAEによる要求分析、制御設計（制御対象モデル）、 検証ツール（MILS、HILS）をサポートいたします。 そのノウハウを活かして、製品開発の上流工程で製品に求める機能の 物理現象を1D CAEで具体化する解析業務を実施。 モデルベース開発では、コンピュータ上に作成した「モデル」を ベースに検証しながら、開発を進めていきます。その開発工程での 課題（効率化、品質確保）をお客様のニーズに応じてツールを開発して お手伝いいたします。 【特長】 ■製品の要求分析段階で使用される1Dシミュレーションのツール開発や 1Dシミュレーションを用いた解析業務を実施 ■MATLAB/Simulinkを使った制御対象モデル（プラントモデル）の 作成といったモデルベース開発をおこなう ■モデルベース開発の下流部で必要となる検証ツール（MILS、HILS）の 開発、検証作業を実施 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
表面の化学組成、結合状態および不純物分布などを詳しく調査！
当社で行う「半導体の表面・薄膜解析」についてご紹介いたします。 半導体デバイスのプロセス開発・工程管理・不良解析において、材料評価・ 故障モードの特定に有効な分析をご提案。 表面の化学組成、結合状態および不純物分布などを詳しく調べ、研究開発 および製造プロセス・不良解析に役立つ情報をご提供します。 ご用命の際は、当社へお気軽にお問合せください。 【最表面】 ■組成：XPS ■結合状態：XPS ■汚染：TOF-SIMS・ICP-MS ■ラフネス：AFM・SEM ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
老朽化で困っているVisualBasicシステムはありませんか？Win10は25年10月でサポート終了します！
老朽化で困っているVisualBasicシステムを 運用はそのまま、低価格、短納期で刷新！ 今のまま使い続けると・・・ セキュリティリスク、故障リスクが非常に高いままとなります。 また、こんなお悩みを抱えていませんか？ ・Windows11へのアップデート準備ができていない ・人材不足により古いVBシステムを刷新できていない ・何年も同じパソコン、サーバーを使い続けている ・情報漏洩や不正アクセス対策をしていない ・システムの処理速度が遅くなり作業効率が落ちた その課題、私たちが「ＶＢクイックシフト」で解決します！ 【サービスの特長】 １．相談無料！ ２．１機能からでも対応します ３．培ったノウハウで高品質を実現します ４．最新ＯＳに対応します ※詳しくは関連リンクをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
1つの製品のあらゆる構造的側面のシミュレーションを実施！
Ansysは、世界中の企業・研究機関で導入されているマルチフィジックスCAEです。構造・振動・電熱・電磁界・圧電・音響・熱流体・落下衝撃などの物理現象や、それらを組み合わせた連成問題を、エンジニアが目的にあわせて柔軟に解析することが可能です。構造解析製品総合カタログでは、モデリング「3次元CADインターフェース」、メッシュ生成ツールのほか、陽解法による落下・衝突解析ツール「Ansys LS-DYNA/Ansys Autodyn」、最適化ツール「Ansys DesignXplorer」など、多数掲載しております。詳しくはお問い合わせまたはカタログをご覧ください。 ＜Ansysの個人情報の取り扱いについて＞ 登録することにより、この プライバシー通知 (https://www.ansys.com/ja-jp/legal/terms-and-conditions) に準拠して、この事象/資産および関連するコミュニケーションを提供する目的で、これらの 条件 (https://www.ansys.com/ja-jp/legal/privacy-notice)および個人データの処理に同意したことになります。
故障箇所→拡散層評価を含めた物理解析/化学分析までスルー対応いたします！
株式会社アイテスでは、パワー半導体の解析サービスを承っております。 当社は日本IBM野洲事業所の品質保証部門から1993年に分離独立して以来、 独自の分析・解析技術を培ってきました。 Si半導体だけでなく、話題のワイドバンドギャップ半導体も対応可能です。 【特長】 ■OBIRCH解析ではSiだけでなく、SiCやGaNデバイスにも対応 ■表裏どちらからでもFIB加工可能 ■PN接合部に形成された空乏層を可視化 ■EDS、EELS分析といった元素分析も対応 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
