更新日： 集計期間:2026年01月07日～2026年02月03日
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技術情報誌The TRC Newsは、研究開発、生産トラブルの解決、品質管理等のお役に立つ分析技術の最新情報です。
【要旨】 TEMベースの結晶方位解析システム“ASTAR”を用いると、SEMをベースにしたEBSDよりも高い空間分解能が実現可能である（各種EBSD法の空間分解能が数十 nm程度に対してASTARを用いたACOM-TEM法では2～5 nm）。また、識別できる結晶構造が多いことも特長である。通常のTEM解析では取得困難な結晶方位マップ、結晶相マップおよび粒径分布などを得ることで定量的な解釈が可能である。さらに、TEM観察と同一視野で測定できることから、(S)TEM-EDX / EELSと合わせた複合的な解析やin-situ TEMとの併用も可能となる。 【目次】 １．はじめに ２．ASTARを用いたACOM-TEM法 ３．ASTARを用いた分析例 ４．まとめ
TEM（透過型電子顕微鏡）は電子部品の故障部位観察、長さ測定、元素分析、結晶構造の解析等や材料評価の幅広い要求にお応えします。
TEMは高倍観察のみならず、EDS、EELSによる元素分析、 あるいは電子線回折による結晶構造、面方位、格子定数等の 解析を行う事ができます。
技術情報誌The TRC Newsは、研究開発、生産トラブルの解決、品質管理等のお役に立つ分析技術の最新情報です。
【要旨】 CNFを扱う研究開発のうち、ほぼすべての材料分野、研究フェーズで電子顕微鏡を用いた観察は必要な評価となっている。特にポリマー中に分散するCNFをTEM観察するためには、これまで高分子材料のTEM試料作製を実施する上で不可欠であった「電子染色」の技法を駆使する必要がある。今回、CNFを用いた複合材料の形態観察事例を紹介すると共に、CNF自体の観察事例、構造解析例として13C核 固体NMR法による結晶化度、および酸加水分解HPLC-蛍光検出法による構成糖分析の例を示す。 【目次】 １．はじめに ２．形態観察の概要 ３．CNFおよびCNF／ポリマーの観察事例 ４．CNFの結晶化度の評価 ５．CNFの構成糖分析（HPLC-蛍光検出法） ６．まとめ
ナノ領域の構造解析、形態観察を受託しております。
ナノチューブなどナノ材料などを、TEM、SEM、EDSによるナノ領域の構造解析・形態観察を受託します。
電子部品の故障解析、材料分析による故障個所の観察・分析を行います。
半導体、ケーブル・コネクタ、プリント基板、LCD等の表示デバイス、電源ユニット、バッテリ、ACアダプタ、メモリ等、各種部品の専門家が、故障解析を行います。 ・半導体パッケージ樹脂開封を行い、光学顕微鏡やエミッション顕微鏡での観察、 機械的研磨での走査電子顕微鏡(SEM)観察等から原因推定 ・材料の状態、異物の特定、表面／破断面の解析等、材料分析の観点から、 集束イオンビーム加工観察装置(FIB-SEM)による加工・観察、透過型電子顕微鏡(TEM)による観察等にて 原因推定 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
表面の化学組成、結合状態および不純物分布などを詳しく調査！
当社で行う「半導体の表面・薄膜解析」についてご紹介いたします。 半導体デバイスのプロセス開発・工程管理・不良解析において、材料評価・ 故障モードの特定に有効な分析をご提案。 表面の化学組成、結合状態および不純物分布などを詳しく調べ、研究開発 および製造プロセス・不良解析に役立つ情報をご提供します。 ご用命の際は、当社へお気軽にお問合せください。 【最表面】 ■組成：XPS ■結合状態：XPS ■汚染：TOF-SIMS・ICP-MS ■ラフネス：AFM・SEM ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
ダイオード、MOS-FET、IGBT等のパワーデバイスの不良箇所特定・観察を行います。
あらゆるサイズ・形状のダイオード・MOS FET・IGBT等の パワーデバイスに対し最適な前処理を行い 裏面IR-OBIRCH解析や裏面発光解析により不良箇所を特定し観察いたします。 ■解析の前処理－裏面研磨－ 各種サンプル形態に対応します。 Siチップサイズ：200um～15mm角 ■不良箇所特定－裏面IR-OBIRCH解析・裏面エミッション解析－ IR-OBIRCH解析：～100mA/10V ～100uA/25V まで対応 エミッション解析：～2kV まで対応 ＊低抵抗ショート、微小リーク、高電圧耐圧不良など幅広い不良特性に対応 ■リーク箇所のピンポイント断面観察－SEM・TEM－ 予測される不良に合わせてSEM観察・TEM観察を選択し リーク不良箇所をピンポイントで物理観察/元素分析を実施可能
×1,500で解析！高倍で観察することで細胞接着状態なども観察できます！
当社が行った『角膜上皮（断面）』の解析事例をご紹介します。 TEMで断面観察することで角膜上皮細胞から内皮まで観察が可能。 高倍で観察することで細胞接着状態なども観察できます。 【解析概要】 ■解析対象：角膜上皮（断面） ■TEMで断面観察 ■角膜上皮細胞から内皮まで観察が可能 ■高倍で観察することで細胞接着状態なども観察できる ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
GaN Systems製GaNパワートランジスタ「GS61008T-E01-MR」の構造解析・プロセス解析！
当社では、『GaN Systems製100VGaNトランジスタ(GS61008T-E01-MR) 構造解析、プロセス解析レポート』をご提供しております。 構造解析レポートではGaN Systems製GaNパワートランジスタ 「GS61008T-E01-MR」の詳細を明らかにし、プロセスフロー解析 レポートでは構造解析の結果に基づいてチップ製造プロセスの 推定を行っています。 【レポート内容】 ■構造解析レポート ・パッケージ外観、X線観察、チップ平面解析(配線接続、レイアウト確認)、 チップ断面解析(GaNトランジスタ、チップ端部)、GaN-Epi層TEM-EDX分析 ・電気特性測定(Id-Vd、BVdss、容量特性) ■プロセス解析レポート ・製造プロセスフロー抽出・推定、マスク枚数、プロセス・シーケンス断面図 ・電気特性と素子構造の関連解析 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
独自の前処理加工技術により様々な状態のサンプルに対して解析を実施可能！
当社では、信頼性試験から故障解析までの一貫した解析を行っております。 それにより、サンプルが規格を満たしているか確認すると共に、 Failしたサンプルの不良箇所の特定及び観察をする事が可能。 お客様のご要望、目的に応じた試験や解析をご提案、実施し、 原因究明～問題解決までのお手伝いをいたします。 ご用命の際は、当社へお気軽にお問合せください。 【解析の流れ】 ■信頼性試験による半導体素子のスペック確認 ■不良箇所特定～TEMによる故障箇所の観察 ・EMS/OBIRCH解析による不良箇所特定 ・TEMによる故障箇所の観察 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
技術情報誌The TRC Newsは、研究開発、生産トラブルの解決、品質管理等のお役に立つ分析技術の最新情報です。
【要旨】 酸化ガリウム（Ga2O3）は次世代パワー半導体材料として注目を集めており、近年研究が盛んになってきている。半導体デバイスの信頼性、特性改善にはプロセス技術の最適化が必要であり、その評価方法が重要となる。本稿ではエピタキシャル膜の品質評価に必要な結晶構造解析と、デバイス特性への影響が大きいイオン注入プロセスにおける不純物、欠陥、キャリア濃度解析を行った事例を紹介する。 【目次】 １．はじめに ２．断面TEM、平面STEMによる結晶構造解析 ３ イオン注入プロセス評価 ４．まとめ
×100,000 TEMで解析！風邪の主要病原ウイルスと言われ、直径約80nmの球状粒子！
当社が行った『トリアデノウイルス』の解析事例をご紹介します。 アデノウイルスは、風邪の主要病原ウイルスと言われ、 直径約80nmの球状粒子です。 ネガティブ染色法により、表面のスパイクが観察できます。 【解析概要】 ■解析対象：トリアデノウイルス ■アデノウイルスは、風邪の主要病原ウイルス ■直径約80nmの球状粒子 ■ネガティブ染色法により、表面のスパイクが観察可能 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
SiCデバイスの前加工→リーク箇所特定→物理解析/成分分析までスルー対応！
当社では、『SiCデバイスの裏⾯発光解析』を行っております。 SiCは従来のSi半導体と比べ、エネルギーロスの少ない パワーデバイスであり注目を集めていますが、Si半導体とは 物性が異なるため、故障解析も新たな手法が必要となります。 SiC MOSFET裏面発光解析事例では、海外製SiC MOSFETをESDにより、 G-（D,S）間リークを作製、発光解析にて、リーク箇所を示す多数の 発光を検出。 発光箇所をTEM観察したところ、SiO2膜の破壊、SiC結晶にダメージが 認められました。 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
×1,000 TEMで解析！中央に血液から尿を濾過する球状の糸球体があります
当社が行った『腎臓糸球体』の解析事例をご紹介します。 腎臓は血液から尿を産生する臓器です。 この図の中央に血液から尿を濾過する球状の糸球体があり、 その周りに濾過液から必要な成分を再吸収尿細管があります。 【解析概要】 ■解析対象：腎臓糸球体 ■腎臓は血液から尿を産生する臓器 ■中央に血液から尿を濾過する球状の糸球体がある ■濾過液から必要な成分を再吸収尿細管がある ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
不良モードに適した様々な手法を組み合わせることで、不良ノードの特定から物理解析までを一貫して対応
株式会社アイテスの『ICの不良解析』についてご紹介します。 当社では、ICに対して、不良モードに適した手法を組み合わせることで、 不良ノードの特定から物理解析までを一貫して対応致します。 Layout Viewerによるレイアウト確認が可能な「発光解析/OBIRCH解析」を はじめ、「層剥離/サンプル加工」や「PVC解析」、「拡散層エッチング」、 「sMIM解析」等、様々な解析手法があります。 【手法】 ■発光解析/OBIRCH解析 ■層剥離/サンプル加工 ■マイクロプローブ ■PVC解析 ■EBAC解析 ■物理解析（FIB-SEM, TEM） ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
発光層のゲストの定量・膜厚評価が可能
有機ELディスプレイは自発光原理による高輝度、高精細カラー、薄型化等の利点を活かし実用化が進みつつあります。発光層では発光効率を高めるために、ホスト分子中にゲスト分子がドーピングされています。今回、有機EL表示素子において赤色画素の発光層材料の同定を行いました。また、新規に段 差計を用いた発光層の膜厚評価や発光層中におけるゲスト材料の定量を行いました。発光層中のゲスト分子の定性・定量ならびに発光層の膜厚の評価が可能となりました。 測定法：TOF-SIMS・TEM・XPS 製品分野：ディスプレイ 分析目的：組成評価・同定・膜厚評価 詳しくは資料をダウンロード、またはお問い合わせください。
故障箇所→拡散層評価を含めた物理解析/化学分析までスルー対応いたします！
株式会社アイテスでは、パワー半導体の解析サービスを承っております。 当社は日本IBM野洲事業所の品質保証部門から1993年に分離独立して以来、 独自の分析・解析技術を培ってきました。 Si半導体だけでなく、話題のワイドバンドギャップ半導体も対応可能です。 【特長】 ■OBIRCH解析ではSiだけでなく、SiCやGaNデバイスにも対応 ■表裏どちらからでもFIB加工可能 ■PN接合部に形成された空乏層を可視化 ■EDS、EELS分析といった元素分析も対応 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
STEMでめっきされたコネクタ端子表面の付着物層(20nm程度)の”表面を保護するサンプリング法”により損失なしで確認可能です
STEM(走査型透過電子顕微鏡 )とEDS(エネルギー分散型Ｘ線分析装置)では細く絞った電子線を試料上で走査することで、試料の組成に関する情報（原子番号を反映したコントラスト像）が取得できます。 以下の特長もあります。 ・電子線の入射角度を変えることで、回折コントラストの変化を観察 ・観察対象が結晶質であるかの判断 ・結晶内にある結晶欠陥（転位、双晶等）の情報の獲得 本事例では 「STEMによるAuめっきされたコネクタ端子接点不良解析」 を紹介します。 ぜひPDF資料をご一読ください。 また、弊社では本STEMに加えTEM、SEM各種断面解析を行っております。 お気軽にご相談いただければ幸いです。 セイコーフューチャークリエーション 公式HP https://www.seiko-sfc.co.jp/ ※その他の資料もあります。問い合わせボタンからご用命いただければ送付いたします。
金属および金属化合物の硬さや脆さなどの性能比較、変色の不具合がなぜ起こっているかを把握できます
電子線後方散乱回折法EBSD（Electron Backscatter Diffraction Pattern）は走査電子顕微鏡SEMと組み合わせることで以下が可能です ・結晶系の異なる相の分離 ・分離相ごとに分布割合や結晶方位解析 本事例では 【EBSD】EBSDによる2相ステンレスの相解析 を紹介しています。 EBSDで2相ステンレスにおいて、α 相とγ 相の分布割合と結晶方位が確認できました この測定技術は、金属や金属化合物における材料の分布で硬さ脆さなどの性能比較、析出具合を検出して色への影響把握に活用できます。 ぜひお試しください。 また、弊社ではEBSDとSEMに加え、TEMによる各種断面解析、XPSによる表面分析を行っており多面的に解析分析を行えます。 技術者が直接対応できますので、お気軽にご相談いただければ幸いです。 セイコーフューチャークリエーション 公式HP https://www.seiko-sfc.co.jp/
STEM-EDS観察は半導体のPoly-Si(ポリシリコン)間の絶縁膜形状や層構造を確認でき半導体の不具合原因究明に応用できます
STEM(走査型透過電子顕微鏡 )とEDS(エネルギー分散型Ｘ線分析装置)では細く絞った電子線を試料上で走査することで、試料の組成に関する情報（原子番号を反映したコントラスト像）が取得できます。 加えて以下の特長もあります。 ・電子線の入射角度を変えることで、回折コントラストの変化を観察 ・観察対象が結晶質であるかの判断 ・結晶内にある結晶欠陥（転位、双晶等）の情報の獲得 本事例では 「STEM-EDSによる半導体絶縁膜評価」 を紹介しています。 本事例は問題なしの結果でしたが、異常検出も可能です。 ぜひPDF資料をご一読ください。 また、弊社では本STEMに加えFIBとの併用で、試料のある領域に対して3D構築を行う不良個所特定も得意としております。 実際に紹介いたしますのでお気軽にお声がけいただければ幸いです。 セイコーフューチャークリエーション 公式HP https://www.seiko-sfc.co.jp/ ※その他の資料もあります。問い合わせボタンからご用命いただければ送付いたします。
パナソニックReRAM搭載MN101LR05D 8bitマイクロコントローラ
MN101LR05Dはポータブルヘルスケア、セキュリティ装置、センサー処理用と向けに開発された低消費電力の8bitシングルチップマイクロコントローラです。MN101LR05DはCPUコアが10MHz 8bitのAM13Lで６４KBのReRAM容量と４KBのSRAM容量を特徴としています。 MR101LR05Dは世界初の量産化されたReRAM(Resistive RAM:抵抗変化型メモリー）の実用例であり、既存の不揮発性メモリーの後継技術として多く活用されるとみられています。 MN101LR05Dは180nm CMOSプロセスに４層のAIメタライゼーションを使用して製造されています。この金属酸化物のReRAMセルはメタル3から４に接続するスタックWビアの間に形成されます。 レポートの結果は走査型電子顕微鏡（SEM)、透過型電子顕微鏡（TEM)、エネルギー分散型X線分析（TEM-EDS）、電子エネルギー損失分光法（TEM-EEKS）、および拡がり抵抗測定（SRP)のデータによるものです。
ヒト細胞株の同定や認証・同種細胞株内のクロスコンタミネーションの検出に！
当社では、細胞株の認証（STR分析）受託解析サービスを行っております。 ヒト培養細胞由来サンプルより、STR（short tandem repeat）遺伝子型を決定します。 GenePrint(R)System(10ローカス)、あるいは PowerPlex(R)16 System(16ローカス)を使用。 ヒト細胞株の同定や認証、同種細胞株内のクロスコンタミネーションの検出に ご利用ください。 【特長】 ■ヒト培養細胞由来サンプルより、STR遺伝子型を決定 ■ヒト細胞株の同定、認証および同種細胞株内のクロスコンタミネーションの 検出に適しているGenePrint(R)Systemを使用 ■iPS/ES細胞の遺伝子型の確認に適している PowerPlex(R)16 Systemを使用 ■ご希望のお客様には論文投稿用に無償で英語の報告書をご用意可能 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
不要な放射を捕捉し分析するための重要な機能を実装。
R&S RTO/RTE デジタル・オシロスコープは、電子設計におけるEMI問題を 分析する貴重なツールです。 高入力感度、高ダイナミックレンジ、強力なFFT実装は、不要な放射を捕捉し 分析するための重要な機能です。 【アプリケーション】 ■簡単セットアップ ■広い捕捉帯域幅と周波数領域での分かりやすいナビゲーション ■スペクトルコンポーネントの色分けされた表示による、 オーバーラップFFTの実装 ■相関時間 - 周波数解析のためのゲートFFT ■周波数マスクを使用した散発的なイベントの捕捉 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
連続繊維強化樹脂の多軸荷重に対する、積層ごとの疲労強度解析が可能です
FEMFAT laminateは、連続繊維強化樹脂の疲労解析を行うためのモジュールです。（ChannelMAXで利用可能）。 MAXモジュールの中で積層ごとの疲労強度評価を個別に実施できます。 積層材料の各積層の表側と裏側が、ダメージ計算の対象です。 解析手法は“Critical Component in Critical Plane”の応力種類を積層材料に適合したもので、繊維の破断と繊維中間層の破断を評価します。 さらに、ソリッド要素モデル（通常は8節点の六面体要素）を使用する場合、デラミネーション（層間はく離）も評価できます。 ダメージ計算には、静的強度特性（引張強度と圧縮強度）と疲労強度特性（S-N曲線）が、 繊維に対して平行方向と直角方向の荷重と、積層面のせん断方向の荷重に対して必要です。 Abaqusのinpファイルとodbファイルによる、COMPOSITE特性を定義したシェル要素とソリッド要素をサポートしています。 ※詳しくはPDFをダウンロードして頂くか、お問い合わせください。
AIFEM内のメッシュ作成ツールにてメッシュモデルを作成！ソフトウェアの有効性を示す結果に
このケースでは、構造解析ソフトウェアAIFEMを用いた タービンロータのモーダル解析と静解析について紹介します。 AIFEMによる解析結果は参考データ(某商用ソフトウェア)との 比較により、ソフトウェアの有効性を示す結果となりました。 解析の対象となるモデルは、ハブ、シュラウド、ブレード7枚で 構成されたタービンロータになります。 形状データは.stp形式のものが使用されており、AIFEM内の メッシュ作成ツールにてメッシュモデルが作成されました。 ※記事の詳細内容は、関連リンクより閲覧いただけます。 詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
効率よく仮想、EMI、EMS試験環境を構築することが可能です。
EMCに関する問題を解析する場合、ソース源となる信号波形だけでなく、その信号が流れる導体や空間についても解析を行う必要があります。 一般にEMC解析は簡単な解析にはなりませんが、Ansysのエレクトロニクス製品では、信号波形を解析するためのシステム回路シミュレーターと電磁波の振る舞いを解析する電磁界シュミュレーターがシームレスに連携できる環境を整えているため、効率よく仮想、EMI、EMS試験環境を構築することが可能です。 【EMC (Emission & Immunity) 対策】 ○仮想EMC サイト ○EMC (Emission & Immunity) 対策 ○SAR（Specific Absorption Rate）、非吸収率／局所吸収率の計算 ○"what-if"解析によるノイズ対策の検討 ○SIwave & HFSS のDynamic Link によりプリント基板を放射源とした EMC 解析の高速化 詳しくはお問い合わせ、またはカタログをダウンロードしてください。
ベンカン機工ではFEM解析（Finite Element Method：有限要素法）による強度解析等のサービスをお受けいたします
ベンカン機工で取り扱っている各種プロセス向けの特殊継手は、一般的に使用、販売されている管継手以上に様々な仕様が要求されます。特に耐圧性能は高圧下での管継手の挙動と安全を確保するための大切な性能となります。耐圧性能は，管継手の形状・寸法の適正化により確保され、その設計手法の一つにFEM解析が使用されています。 このサービスは、以下の主な内容になります。 ・FEM解析を用いた管継手等の配管部材の設計サポート ▻ 特殊形状の管継手設計(高圧環境、鋳物製配管部材からのリプレース 等) ▻ 既設管継手の耐圧性能評価 ▻ 特殊継手の製造(材料調達～製造～試験・検査～出荷までサポート) ・弊社保有技術と組み合わせることで様々な対応が可能です ご相談は、まず弊社営業担当または当社HPからのWebでのお問い合わせに対応いたします。 最初のお打合せより、弊社技術本部の専任担当者が対応いたしますので、直接ご要望事項を解析結果へ反映させることが可能です。 打合せ方式に関しましても、出向、ご来社の他、Web会議（Zoom，MS Teams等）にも対応可能です。お気軽にご相談ください。
様々なチップの形状による超音波スケーラーの振動特性について調べました。
Simcenter Femap with Nastranによる解析事例、歯科器具-超音波スケーラーの振動特性シミュレーションをご紹介します。
強度解析および固有値解析の結果値を参考結果と比較することで、AIFEMの解析精度の検証も同時に実施！
自動車後部のフロアは、タイヤの静荷重と路面の振動荷重の両方から 影響を受けます。 フロアの変形や応力分布を確認することは、自動車の安全性能の向上は 当然のことながら、新しい構造設計の提案に繋がる重要な役割を果たします。 本解析では、自動車フロアの構造強度と固有値解析を行い、構造性能を調査します。 ※記事の詳細内容は、関連リンクより閲覧いただけます。 詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
AIFEMを用いた強度解析を実施！構造物には高い強度性能が要求されます
汎用有限要素法解析ソフトウェアAIFEMを用いた、洋上で使用する 移送装置の鋼構造の強度解析について紹介します。 搬送装置は、大型の海洋機器の搬送や移動に使用されるため、 構造物には高い強度性能が要求されます。 AIFEMを用いた強度解析を実施し、異なる作業条件下における 構造物の弱点位置を確認しました。 ※記事の詳細内容は、関連リンクより閲覧いただけます。 詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
