更新日： 集計期間:2025年10月01日～2025年10月28日
※当サイトの各ページの閲覧回数を元に算出したランキングです。
1～15 件を表示 ／ 全 84 件
技術情報誌The TRC Newsは、研究開発、生産トラブルの解決、品質管理等のお役に立つ分析技術の最新情報です。
【要旨】 TEMベースの結晶方位解析システム“ASTAR”を用いると、SEMをベースにしたEBSDよりも高い空間分解能が実現可能である（各種EBSD法の空間分解能が数十 nm程度に対してASTARを用いたACOM-TEM法では2～5 nm）。また、識別できる結晶構造が多いことも特長である。通常のTEM解析では取得困難な結晶方位マップ、結晶相マップおよび粒径分布などを得ることで定量的な解釈が可能である。さらに、TEM観察と同一視野で測定できることから、(S)TEM-EDX / EELSと合わせた複合的な解析やin-situ TEMとの併用も可能となる。 【目次】 １．はじめに ２．ASTARを用いたACOM-TEM法 ３．ASTARを用いた分析例 ４．まとめ
TEM（透過型電子顕微鏡）は電子部品の故障部位観察、長さ測定、元素分析、結晶構造の解析等や材料評価の幅広い要求にお応えします。
TEMは高倍観察のみならず、EDS、EELSによる元素分析、 あるいは電子線回折による結晶構造、面方位、格子定数等の 解析を行う事ができます。
技術情報誌The TRC Newsは、研究開発、生産トラブルの解決、品質管理等のお役に立つ分析技術の最新情報です。
【要旨】 CNFを扱う研究開発のうち、ほぼすべての材料分野、研究フェーズで電子顕微鏡を用いた観察は必要な評価となっている。特にポリマー中に分散するCNFをTEM観察するためには、これまで高分子材料のTEM試料作製を実施する上で不可欠であった「電子染色」の技法を駆使する必要がある。今回、CNFを用いた複合材料の形態観察事例を紹介すると共に、CNF自体の観察事例、構造解析例として13C核 固体NMR法による結晶化度、および酸加水分解HPLC-蛍光検出法による構成糖分析の例を示す。 【目次】 １．はじめに ２．形態観察の概要 ３．CNFおよびCNF／ポリマーの観察事例 ４．CNFの結晶化度の評価 ５．CNFの構成糖分析（HPLC-蛍光検出法） ６．まとめ
ナノ領域の構造解析、形態観察を受託しております。
ナノチューブなどナノ材料などを、TEM、SEM、EDSによるナノ領域の構造解析・形態観察を受託します。
電子部品の故障解析、材料分析による故障個所の観察・分析を行います。
半導体、ケーブル・コネクタ、プリント基板、LCD等の表示デバイス、電源ユニット、バッテリ、ACアダプタ、メモリ等、各種部品の専門家が、故障解析を行います。 ・半導体パッケージ樹脂開封を行い、光学顕微鏡やエミッション顕微鏡での観察、 機械的研磨での走査電子顕微鏡(SEM)観察等から原因推定 ・材料の状態、異物の特定、表面／破断面の解析等、材料分析の観点から、 集束イオンビーム加工観察装置(FIB-SEM)による加工・観察、透過型電子顕微鏡(TEM)による観察等にて 原因推定 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
表面の化学組成、結合状態および不純物分布などを詳しく調査！
当社で行う「半導体の表面・薄膜解析」についてご紹介いたします。 半導体デバイスのプロセス開発・工程管理・不良解析において、材料評価・ 故障モードの特定に有効な分析をご提案。 表面の化学組成、結合状態および不純物分布などを詳しく調べ、研究開発 および製造プロセス・不良解析に役立つ情報をご提供します。 ご用命の際は、当社へお気軽にお問合せください。 【最表面】 ■組成：XPS ■結合状態：XPS ■汚染：TOF-SIMS・ICP-MS ■ラフネス：AFM・SEM ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
ダイオード、MOS-FET、IGBT等のパワーデバイスの不良箇所特定・観察を行います。
あらゆるサイズ・形状のダイオード・MOS FET・IGBT等の パワーデバイスに対し最適な前処理を行い 裏面IR-OBIRCH解析や裏面発光解析により不良箇所を特定し観察いたします。 ■解析の前処理－裏面研磨－ 各種サンプル形態に対応します。 Siチップサイズ：200um～15mm角 ■不良箇所特定－裏面IR-OBIRCH解析・裏面エミッション解析－ IR-OBIRCH解析：～100mA/10V ～100uA/25V まで対応 エミッション解析：～2kV まで対応 ＊低抵抗ショート、微小リーク、高電圧耐圧不良など幅広い不良特性に対応 ■リーク箇所のピンポイント断面観察－SEM・TEM－ 予測される不良に合わせてSEM観察・TEM観察を選択し リーク不良箇所をピンポイントで物理観察/元素分析を実施可能
×1,500で解析！高倍で観察することで細胞接着状態なども観察できます！
当社が行った『角膜上皮（断面）』の解析事例をご紹介します。 TEMで断面観察することで角膜上皮細胞から内皮まで観察が可能。 高倍で観察することで細胞接着状態なども観察できます。 【解析概要】 ■解析対象：角膜上皮（断面） ■TEMで断面観察 ■角膜上皮細胞から内皮まで観察が可能 ■高倍で観察することで細胞接着状態なども観察できる ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
GaN Systems製GaNパワートランジスタ「GS61008T-E01-MR」の構造解析・プロセス解析！
当社では、『GaN Systems製100VGaNトランジスタ(GS61008T-E01-MR) 構造解析、プロセス解析レポート』をご提供しております。 構造解析レポートではGaN Systems製GaNパワートランジスタ 「GS61008T-E01-MR」の詳細を明らかにし、プロセスフロー解析 レポートでは構造解析の結果に基づいてチップ製造プロセスの 推定を行っています。 【レポート内容】 ■構造解析レポート ・パッケージ外観、X線観察、チップ平面解析(配線接続、レイアウト確認)、 チップ断面解析(GaNトランジスタ、チップ端部)、GaN-Epi層TEM-EDX分析 ・電気特性測定(Id-Vd、BVdss、容量特性) ■プロセス解析レポート ・製造プロセスフロー抽出・推定、マスク枚数、プロセス・シーケンス断面図 ・電気特性と素子構造の関連解析 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
独自の前処理加工技術により様々な状態のサンプルに対して解析を実施可能！
当社では、信頼性試験から故障解析までの一貫した解析を行っております。 それにより、サンプルが規格を満たしているか確認すると共に、 Failしたサンプルの不良箇所の特定及び観察をする事が可能。 お客様のご要望、目的に応じた試験や解析をご提案、実施し、 原因究明～問題解決までのお手伝いをいたします。 ご用命の際は、当社へお気軽にお問合せください。 【解析の流れ】 ■信頼性試験による半導体素子のスペック確認 ■不良箇所特定～TEMによる故障箇所の観察 ・EMS/OBIRCH解析による不良箇所特定 ・TEMによる故障箇所の観察 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
技術情報誌The TRC Newsは、研究開発、生産トラブルの解決、品質管理等のお役に立つ分析技術の最新情報です。
【要旨】 酸化ガリウム（Ga2O3）は次世代パワー半導体材料として注目を集めており、近年研究が盛んになってきている。半導体デバイスの信頼性、特性改善にはプロセス技術の最適化が必要であり、その評価方法が重要となる。本稿ではエピタキシャル膜の品質評価に必要な結晶構造解析と、デバイス特性への影響が大きいイオン注入プロセスにおける不純物、欠陥、キャリア濃度解析を行った事例を紹介する。 【目次】 １．はじめに ２．断面TEM、平面STEMによる結晶構造解析 ３ イオン注入プロセス評価 ４．まとめ
×1,000 TEMで解析！中央に血液から尿を濾過する球状の糸球体があります
当社が行った『腎臓糸球体』の解析事例をご紹介します。 腎臓は血液から尿を産生する臓器です。 この図の中央に血液から尿を濾過する球状の糸球体があり、 その周りに濾過液から必要な成分を再吸収尿細管があります。 【解析概要】 ■解析対象：腎臓糸球体 ■腎臓は血液から尿を産生する臓器 ■中央に血液から尿を濾過する球状の糸球体がある ■濾過液から必要な成分を再吸収尿細管がある ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
×100,000 TEMで解析！風邪の主要病原ウイルスと言われ、直径約80nmの球状粒子！
当社が行った『トリアデノウイルス』の解析事例をご紹介します。 アデノウイルスは、風邪の主要病原ウイルスと言われ、 直径約80nmの球状粒子です。 ネガティブ染色法により、表面のスパイクが観察できます。 【解析概要】 ■解析対象：トリアデノウイルス ■アデノウイルスは、風邪の主要病原ウイルス ■直径約80nmの球状粒子 ■ネガティブ染色法により、表面のスパイクが観察可能 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
SiCデバイスの前加工→リーク箇所特定→物理解析/成分分析までスルー対応！
当社では、『SiCデバイスの裏⾯発光解析』を行っております。 SiCは従来のSi半導体と比べ、エネルギーロスの少ない パワーデバイスであり注目を集めていますが、Si半導体とは 物性が異なるため、故障解析も新たな手法が必要となります。 SiC MOSFET裏面発光解析事例では、海外製SiC MOSFETをESDにより、 G-（D,S）間リークを作製、発光解析にて、リーク箇所を示す多数の 発光を検出。 発光箇所をTEM観察したところ、SiO2膜の破壊、SiC結晶にダメージが 認められました。 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
不良モードに適した様々な手法を組み合わせることで、不良ノードの特定から物理解析までを一貫して対応
株式会社アイテスの『ICの不良解析』についてご紹介します。 当社では、ICに対して、不良モードに適した手法を組み合わせることで、 不良ノードの特定から物理解析までを一貫して対応致します。 Layout Viewerによるレイアウト確認が可能な「発光解析/OBIRCH解析」を はじめ、「層剥離/サンプル加工」や「PVC解析」、「拡散層エッチング」、 「sMIM解析」等、様々な解析手法があります。 【手法】 ■発光解析/OBIRCH解析 ■層剥離/サンプル加工 ■マイクロプローブ ■PVC解析 ■EBAC解析 ■物理解析（FIB-SEM, TEM） ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
