解析のメーカーや取扱い企業、製品情報、参考価格、ランキングをまとめています。
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解析(tem) - メーカー・企業と製品の一覧

更新日: 集計期間:2025年08月13日~2025年09月09日
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解析の製品一覧

1~15 件を表示 / 全 72 件

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技術情報誌 201905-01 高空間分解能の結晶方位解析

技術情報誌The TRC Newsは、研究開発、生産トラブルの解決、品質管理等のお役に立つ分析技術の最新情報です。

【要旨】 TEMベースの結晶方位解析システム“ASTAR”を用いると、SEMをベースにしたEBSDよりも高い空間分解能が実現可能である(各種EBSD法の空間分解能が数十 nm程度に対してASTARを用いたACOM-TEM法では2~5 nm)。また、識別できる結晶構造が多いことも特長である。通常のTEM解析では取得困難な結晶方位マップ、結晶相マップおよび粒径分布などを得ることで定量的な解釈が可能である。さらに、TEM観察と同一視野で測定できることから、(S)TEM-EDX / EELSと合わせた複合的な解析やin-situ TEMとの併用も可能となる。 【目次】 1.はじめに 2.ASTARを用いたACOM-TEM法 3.ASTARを用いた分析例 4.まとめ

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TEMによる電子部品・材料の解析

TEM(透過型電子顕微鏡)は電子部品の故障部位観察、長さ測定、元素分析、結晶構造の解析等や材料評価の幅広い要求にお応えします。

TEMは高倍観察のみならず、EDS、EELSによる元素分析、 あるいは電子線回折による結晶構造、面方位、格子定数等の 解析を行う事ができます。

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技術情報誌 201904-02 セルロースナノファイバー構造解析

技術情報誌The TRC Newsは、研究開発、生産トラブルの解決、品質管理等のお役に立つ分析技術の最新情報です。

【要旨】 CNFを扱う研究開発のうち、ほぼすべての材料分野、研究フェーズで電子顕微鏡を用いた観察は必要な評価となっている。特にポリマー中に分散するCNFをTEM観察するためには、これまで高分子材料のTEM試料作製を実施する上で不可欠であった「電子染色」の技法を駆使する必要がある。今回、CNFを用いた複合材料の形態観察事例を紹介すると共に、CNF自体の観察事例、構造解析例として13C核 固体NMR法による結晶化度、および酸加水分解HPLC-蛍光検出法による構成糖分析の例を示す。 【目次】 1.はじめに 2.形態観察の概要 3.CNFおよびCNF/ポリマーの観察事例 4.CNFの結晶化度の評価 5.CNFの構成糖分析(HPLC-蛍光検出法) 6.まとめ

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ナノ材料の構造解析

ナノ領域の構造解析、形態観察を受託しております。

ナノチューブなどナノ材料などを、TEM、SEM、EDSによるナノ領域の構造解析・形態観察を受託します。

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破壊解析(材料分析、破面解析、FIB、TEMほか)

電子部品の故障解析、材料分析による故障個所の観察・分析を行います。

半導体、ケーブル・コネクタ、プリント基板、LCD等の表示デバイス、電源ユニット、バッテリ、ACアダプタ、メモリ等、各種部品の専門家が、故障解析を行います。 ・半導体パッケージ樹脂開封を行い、光学顕微鏡やエミッション顕微鏡での観察、  機械的研磨での走査電子顕微鏡(SEM)観察等から原因推定 ・材料の状態、異物の特定、表面/破断面の解析等、材料分析の観点から、  集束イオンビーム加工観察装置(FIB-SEM)による加工・観察、透過型電子顕微鏡(TEM)による観察等にて  原因推定 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

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パワーデバイスの故障解析

ダイオード、MOS-FET、IGBT等のパワーデバイスの不良箇所特定・観察を行います。

あらゆるサイズ・形状のダイオード・MOS FET・IGBT等の パワーデバイスに対し最適な前処理を行い 裏面IR-OBIRCH解析や裏面発光解析により不良箇所を特定し観察いたします。 ■解析の前処理-裏面研磨-  各種サンプル形態に対応します。  Siチップサイズ:200um~15mm角 ■不良箇所特定-裏面IR-OBIRCH解析・裏面エミッション解析-  IR-OBIRCH解析:~100mA/10V ~100uA/25V まで対応  エミッション解析:~2kV まで対応  *低抵抗ショート、微小リーク、高電圧耐圧不良など幅広い不良特性に対応 ■リーク箇所のピンポイント断面観察-SEM・TEM-  予測される不良に合わせてSEM観察・TEM観察を選択し  リーク不良箇所をピンポイントで物理観察/元素分析を実施可能

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【解析事例】角膜上皮(断面)

×1,500で解析!高倍で観察することで細胞接着状態なども観察できます!

当社が行った『角膜上皮(断面)』の解析事例をご紹介します。 TEMで断面観察することで角膜上皮細胞から内皮まで観察が可能。 高倍で観察することで細胞接着状態なども観察できます。 【解析概要】 ■解析対象:角膜上皮(断面) ■TEMで断面観察 ■角膜上皮細胞から内皮まで観察が可能 ■高倍で観察することで細胞接着状態なども観察できる ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

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パナソニック ReRAM 8bitマイコン 構造解析

パナソニックReRAM搭載MN101LR05D 8bitマイクロコントローラ

MN101LR05Dはポータブルヘルスケア、セキュリティ装置、センサー処理用と向けに開発された低消費電力の8bitシングルチップマイクロコントローラです。MN101LR05DはCPUコアが10MHz 8bitのAM13Lで64KBのReRAM容量と4KBのSRAM容量を特徴としています。 MR101LR05Dは世界初の量産化されたReRAM(Resistive RAM:抵抗変化型メモリー)の実用例であり、既存の不揮発性メモリーの後継技術として多く活用されるとみられています。 MN101LR05Dは180nm CMOSプロセスに4層のAIメタライゼーションを使用して製造されています。この金属酸化物のReRAMセルはメタル3から4に接続するスタックWビアの間に形成されます。 レポートの結果は走査型電子顕微鏡(SEM)、透過型電子顕微鏡(TEM)、エネルギー分散型X線分析(TEM-EDS)、電子エネルギー損失分光法(TEM-EEKS)、および拡がり抵抗測定(SRP)のデータによるものです。

  • その他電子部品

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技術情報誌 202001-02 酸化ガリウムの結晶構造解析

技術情報誌The TRC Newsは、研究開発、生産トラブルの解決、品質管理等のお役に立つ分析技術の最新情報です。

【要旨】 酸化ガリウム(Ga2O3)は次世代パワー半導体材料として注目を集めており、近年研究が盛んになってきている。半導体デバイスの信頼性、特性改善にはプロセス技術の最適化が必要であり、その評価方法が重要となる。本稿ではエピタキシャル膜の品質評価に必要な結晶構造解析と、デバイス特性への影響が大きいイオン注入プロセスにおける不純物、欠陥、キャリア濃度解析を行った事例を紹介する。 【目次】 1.はじめに 2.断面TEM、平面STEMによる結晶構造解析 3 イオン注入プロセス評価 4.まとめ

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【分析事例】IGZO膜の局所結晶構造解析

電子回折で結晶性・配向性を連続的に評価

IGZO膜はディスプレイ用TFT材料として研究開発が進んでいる材料です。 薄膜中の結晶構造の有無はTFT特性や信頼性に影響する可能性があり、デバイス中における局所的な結晶評価が必要になります。 TEMの電子回折測定を用いてIGZO膜中の結晶構造を連続的に評価した事例をご紹介します。

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【解析事例】腎臓糸球体の広視野観察

×1,000 TEMで解析!中央に血液から尿を濾過する球状の糸球体があります

当社が行った『腎臓糸球体』の解析事例をご紹介します。 腎臓は血液から尿を産生する臓器です。 この図の中央に血液から尿を濾過する球状の糸球体があり、 その周りに濾過液から必要な成分を再吸収尿細管があります。 【解析概要】 ■解析対象:腎臓糸球体 ■腎臓は血液から尿を産生する臓器 ■中央に血液から尿を濾過する球状の糸球体がある ■濾過液から必要な成分を再吸収尿細管がある ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

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【解析事例】ネガティブ染色法によるトリアデノウイルスの観察

×100,000 TEMで解析!風邪の主要病原ウイルスと言われ、直径約80nmの球状粒子!

当社が行った『トリアデノウイルス』の解析事例をご紹介します。 アデノウイルスは、風邪の主要病原ウイルスと言われ、 直径約80nmの球状粒子です。 ネガティブ染色法により、表面のスパイクが観察できます。 【解析概要】 ■解析対象:トリアデノウイルス ■アデノウイルスは、風邪の主要病原ウイルス ■直径約80nmの球状粒子 ■ネガティブ染色法により、表面のスパイクが観察可能 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

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SiCデバイスの裏面発光解析

SiCデバイスの前加工→リーク箇所特定→物理解析/成分分析までスルー対応!

当社では、『SiCデバイスの裏⾯発光解析』を行っております。 SiCは従来のSi半導体と比べ、エネルギーロスの少ない パワーデバイスであり注目を集めていますが、Si半導体とは 物性が異なるため、故障解析も新たな手法が必要となります。 SiC MOSFET裏面発光解析事例では、海外製SiC MOSFETをESDにより、 G-(D,S)間リークを作製、発光解析にて、リーク箇所を示す多数の 発光を検出。 発光箇所をTEM観察したところ、SiO2膜の破壊、SiC結晶にダメージが 認められました。 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

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ICの不良解析

不良モードに適した様々な手法を組み合わせることで、不良ノードの特定から物理解析までを一貫して対応

株式会社アイテスの『ICの不良解析』についてご紹介します。 当社では、ICに対して、不良モードに適した手法を組み合わせることで、 不良ノードの特定から物理解析までを一貫して対応致します。 Layout Viewerによるレイアウト確認が可能な「発光解析/OBIRCH解析」を はじめ、「層剥離/サンプル加工」や「PVC解析」、「拡散層エッチング」、 「sMIM解析」等、様々な解析手法があります。 【手法】 ■発光解析/OBIRCH解析 ■層剥離/サンプル加工 ■マイクロプローブ ■PVC解析 ■EBAC解析 ■物理解析(FIB-SEM, TEM) ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

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【分析事例】有機EL(OLED)発光層の解析

発光層のゲストの定量・膜厚評価が可能

有機ELディスプレイは自発光原理による高輝度、高精細カラー、薄型化等の利点を活かし実用化が進みつつあります。発光層では発光効率を高めるために、ホスト分子中にゲスト分子がドーピングされています。今回、有機EL表示素子において赤色画素の発光層材料の同定を行いました。また、新規に段 差計を用いた発光層の膜厚評価や発光層中におけるゲスト材料の定量を行いました。発光層中のゲスト分子の定性・定量ならびに発光層の膜厚の評価が可能となりました。 測定法:TOF-SIMS・TEM・XPS 製品分野:ディスプレイ 分析目的:組成評価・同定・膜厚評価 詳しくは資料をダウンロード、またはお問い合わせください。

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