更新日： 集計期間:2025年03月26日～2025年04月22日
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技術情報誌The TRC Newsは、研究開発、生産トラブルの解決、品質管理等のお役に立つ分析技術の最新情報です。
【要旨】 TEMベースの結晶方位解析システム“ASTAR”を用いると、SEMをベースにしたEBSDよりも高い空間分解能が実現可能である（各種EBSD法の空間分解能が数十 nm程度に対してASTARを用いたACOM-TEM法では2～5 nm）。また、識別できる結晶構造が多いことも特長である。通常のTEM解析では取得困難な結晶方位マップ、結晶相マップおよび粒径分布などを得ることで定量的な解釈が可能である。さらに、TEM観察と同一視野で測定できることから、(S)TEM-EDX / EELSと合わせた複合的な解析やin-situ TEMとの併用も可能となる。 【目次】 １．はじめに ２．ASTARを用いたACOM-TEM法 ３．ASTARを用いた分析例 ４．まとめ
TEM（透過型電子顕微鏡）は電子部品の故障部位観察、長さ測定、元素分析、結晶構造の解析等や材料評価の幅広い要求にお応えします。
TEMは高倍観察のみならず、EDS、EELSによる元素分析、 あるいは電子線回折による結晶構造、面方位、格子定数等の 解析を行う事ができます。
技術情報誌The TRC Newsは、研究開発、生産トラブルの解決、品質管理等のお役に立つ分析技術の最新情報です。
【要旨】 CNFを扱う研究開発のうち、ほぼすべての材料分野、研究フェーズで電子顕微鏡を用いた観察は必要な評価となっている。特にポリマー中に分散するCNFをTEM観察するためには、これまで高分子材料のTEM試料作製を実施する上で不可欠であった「電子染色」の技法を駆使する必要がある。今回、CNFを用いた複合材料の形態観察事例を紹介すると共に、CNF自体の観察事例、構造解析例として13C核 固体NMR法による結晶化度、および酸加水分解HPLC-蛍光検出法による構成糖分析の例を示す。 【目次】 １．はじめに ２．形態観察の概要 ３．CNFおよびCNF／ポリマーの観察事例 ４．CNFの結晶化度の評価 ５．CNFの構成糖分析（HPLC-蛍光検出法） ６．まとめ
ナノ領域の構造解析、形態観察を受託しております。
ナノチューブなどナノ材料などを、TEM、SEM、EDSによるナノ領域の構造解析・形態観察を受託します。
ダイオード、MOS-FET、IGBT等のパワーデバイスの不良箇所特定・観察を行います。
あらゆるサイズ・形状のダイオード・MOS FET・IGBT等の パワーデバイスに対し最適な前処理を行い 裏面IR-OBIRCH解析や裏面発光解析により不良箇所を特定し観察いたします。 ■解析の前処理－裏面研磨－ 各種サンプル形態に対応します。 Siチップサイズ：200um～15mm角 ■不良箇所特定－裏面IR-OBIRCH解析・裏面エミッション解析－ IR-OBIRCH解析：～100mA/10V ～100uA/25V まで対応 エミッション解析：～2kV まで対応 ＊低抵抗ショート、微小リーク、高電圧耐圧不良など幅広い不良特性に対応 ■リーク箇所のピンポイント断面観察－SEM・TEM－ 予測される不良に合わせてSEM観察・TEM観察を選択し リーク不良箇所をピンポイントで物理観察/元素分析を実施可能
パナソニックReRAM搭載MN101LR05D 8bitマイクロコントローラ
MN101LR05Dはポータブルヘルスケア、セキュリティ装置、センサー処理用と向けに開発された低消費電力の8bitシングルチップマイクロコントローラです。MN101LR05DはCPUコアが10MHz 8bitのAM13Lで６４KBのReRAM容量と４KBのSRAM容量を特徴としています。 MR101LR05Dは世界初の量産化されたReRAM(Resistive RAM:抵抗変化型メモリー）の実用例であり、既存の不揮発性メモリーの後継技術として多く活用されるとみられています。 MN101LR05Dは180nm CMOSプロセスに４層のAIメタライゼーションを使用して製造されています。この金属酸化物のReRAMセルはメタル3から４に接続するスタックWビアの間に形成されます。 レポートの結果は走査型電子顕微鏡（SEM)、透過型電子顕微鏡（TEM)、エネルギー分散型X線分析（TEM-EDS）、電子エネルギー損失分光法（TEM-EEKS）、および拡がり抵抗測定（SRP)のデータによるものです。
技術情報誌The TRC Newsは、研究開発、生産トラブルの解決、品質管理等のお役に立つ分析技術の最新情報です。
【要旨】 酸化ガリウム（Ga2O3）は次世代パワー半導体材料として注目を集めており、近年研究が盛んになってきている。半導体デバイスの信頼性、特性改善にはプロセス技術の最適化が必要であり、その評価方法が重要となる。本稿ではエピタキシャル膜の品質評価に必要な結晶構造解析と、デバイス特性への影響が大きいイオン注入プロセスにおける不純物、欠陥、キャリア濃度解析を行った事例を紹介する。 【目次】 １．はじめに ２．断面TEM、平面STEMによる結晶構造解析 ３ イオン注入プロセス評価 ４．まとめ
SiCデバイスの前加工→リーク箇所特定→物理解析/成分分析までスルー対応！
当社では、『SiCデバイスの裏⾯発光解析』を行っております。 SiCは従来のSi半導体と比べ、エネルギーロスの少ない パワーデバイスであり注目を集めていますが、Si半導体とは 物性が異なるため、故障解析も新たな手法が必要となります。 SiC MOSFET裏面発光解析事例では、海外製SiC MOSFETをESDにより、 G-（D S）間リークを作製、発光解析にて、リーク箇所を示す多数の 発光を検出。 発光箇所をTEM観察したところ、SiO2膜の破壊、SiC結晶にダメージが 認められました。 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
不良モードに適した様々な手法を組み合わせることで、不良ノードの特定から物理解析までを一貫して対応
株式会社アイテスの『ICの不良解析』についてご紹介します。 当社では、ICに対して、不良モードに適した手法を組み合わせることで、 不良ノードの特定から物理解析までを一貫して対応致します。 Layout Viewerによるレイアウト確認が可能な「発光解析/OBIRCH解析」を はじめ、「層剥離/サンプル加工」や「PVC解析」、「拡散層エッチング」、 「sMIM解析」等、様々な解析手法があります。 【手法】 ■発光解析/OBIRCH解析 ■層剥離/サンプル加工 ■マイクロプローブ ■PVC解析 ■EBAC解析 ■物理解析（FIB-SEM TEM） ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
故障箇所→拡散層評価を含めた物理解析/化学分析までスルー対応いたします！
株式会社アイテスでは、パワー半導体の解析サービスを承っております。 当社は日本IBM野洲事業所の品質保証部門から1993年に分離独立して以来、 独自の分析・解析技術を培ってきました。 Si半導体だけでなく、話題のワイドバンドギャップ半導体も対応可能です。 【特長】 ■OBIRCH解析ではSiだけでなく、SiCやGaNデバイスにも対応 ■表裏どちらからでもFIB加工可能 ■PN接合部に形成された空乏層を可視化 ■EDS、EELS分析といった元素分析も対応 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
金属および金属化合物の硬さや脆さなどの性能比較、変色の不具合がなぜ起こっているかを把握できます
電子線後方散乱回折法EBSD（Electron Backscatter Diffraction Pattern）は走査電子顕微鏡SEMと組み合わせることで以下が可能です ・結晶系の異なる相の分離 ・分離相ごとに分布割合や結晶方位解析 本事例では 【EBSD】EBSDによる2相ステンレスの相解析 を紹介しています。 EBSDで2相ステンレスにおいて、α 相とγ 相の分布割合と結晶方位が確認できました この測定技術は、金属や金属化合物における材料の分布で硬さ脆さなどの性能比較、析出具合を検出して色への影響把握に活用できます。 ぜひお試しください。 また、弊社ではEBSDとSEMに加え、TEMによる各種断面解析、XPSによる表面分析を行っており多面的に解析分析を行えます。 技術者が直接対応できますので、お気軽にご相談いただければ幸いです。 セイコーフューチャークリエーション 公式HP https://www.seiko-sfc.co.jp/
STEMでめっきされたコネクタ端子表面の付着物層(20nm程度)の”表面を保護するサンプリング法”により損失なしで確認可能です
STEM(走査型透過電子顕微鏡 )とEDS(エネルギー分散型Ｘ線分析装置)では細く絞った電子線を試料上で走査することで、試料の組成に関する情報（原子番号を反映したコントラスト像）が取得できます。 以下の特長もあります。 ・電子線の入射角度を変えることで、回折コントラストの変化を観察 ・観察対象が結晶質であるかの判断 ・結晶内にある結晶欠陥（転位、双晶等）の情報の獲得 本事例では 「STEMによるAuめっきされたコネクタ端子接点不良解析」 を紹介します。 ぜひPDF資料をご一読ください。 また、弊社では本STEMに加えTEM、SEM各種断面解析を行っております。 お気軽にご相談いただければ幸いです。 セイコーフューチャークリエーション 公式HP https://www.seiko-sfc.co.jp/ ※その他の資料もあります。問い合わせボタンからご用命いただければ送付いたします。
ヒト細胞株の同定や認証・同種細胞株内のクロスコンタミネーションの検出に！
当社では、細胞株の認証（STR分析）受託解析サービスを行っております。 ヒト培養細胞由来サンプルより、STR（short tandem repeat）遺伝子型を決定します。 GenePrint(R)System(10ローカス)、あるいは PowerPlex(R)16 System(16ローカス)を使用。 ヒト細胞株の同定や認証、同種細胞株内のクロスコンタミネーションの検出に ご利用ください。 【特長】 ■ヒト培養細胞由来サンプルより、STR遺伝子型を決定 ■ヒト細胞株の同定、認証および同種細胞株内のクロスコンタミネーションの 検出に適しているGenePrint(R)Systemを使用 ■iPS/ES細胞の遺伝子型の確認に適している PowerPlex(R)16 Systemを使用 ■ご希望のお客様には論文投稿用に無償で英語の報告書をご用意可能 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
不要な放射を捕捉し分析するための重要な機能を実装。
R&S RTO/RTE デジタル・オシロスコープは、電子設計におけるEMI問題を 分析する貴重なツールです。 高入力感度、高ダイナミックレンジ、強力なFFT実装は、不要な放射を捕捉し 分析するための重要な機能です。 【アプリケーション】 ■簡単セットアップ ■広い捕捉帯域幅と周波数領域での分かりやすいナビゲーション ■スペクトルコンポーネントの色分けされた表示による、 オーバーラップFFTの実装 ■相関時間 - 周波数解析のためのゲートFFT ■周波数マスクを使用した散発的なイベントの捕捉 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
ベンカン機工ではFEM解析（Finite Element Method：有限要素法）による強度解析等のサービスをお受けいたします
ベンカン機工で取り扱っている各種プロセス向けの特殊継手は、一般的に使用、販売されている管継手以上に様々な仕様が要求されます。特に耐圧性能は高圧下での管継手の挙動と安全を確保するための大切な性能となります。耐圧性能は，管継手の形状・寸法の適正化により確保され、その設計手法の一つにFEM解析が使用されています。 このサービスは、以下の主な内容になります。 ・FEM解析を用いた管継手等の配管部材の設計サポート ▻ 特殊形状の管継手設計(高圧環境、鋳物製配管部材からのリプレース 等) ▻ 既設管継手の耐圧性能評価 ▻ 特殊継手の製造(材料調達～製造～試験・検査～出荷までサポート) ・弊社保有技術と組み合わせることで様々な対応が可能です ご相談は、まず弊社営業担当または当社HPからのWebでのお問い合わせに対応いたします。 最初のお打合せより、弊社技術本部の専任担当者が対応いたしますので、直接ご要望事項を解析結果へ反映させることが可能です。 打合せ方式に関しましても、出向、ご来社の他、Web会議（Zoom，MS Teams等）にも対応可能です。お気軽にご相談ください。
