更新日： 集計期間:2025年10月01日～2025年10月28日
※当サイトの各ページの閲覧回数を元に算出したランキングです。
1～10 件を表示 ／ 全 10 件
技術情報誌The TRC Newsは、研究開発、生産トラブルの解決、品質管理等のお役に立つ分析技術の最新情報です。
【要旨】 CNFを扱う研究開発のうち、ほぼすべての材料分野、研究フェーズで電子顕微鏡を用いた観察は必要な評価となっている。特にポリマー中に分散するCNFをTEM観察するためには、これまで高分子材料のTEM試料作製を実施する上で不可欠であった「電子染色」の技法を駆使する必要がある。今回、CNFを用いた複合材料の形態観察事例を紹介すると共に、CNF自体の観察事例、構造解析例として13C核 固体NMR法による結晶化度、および酸加水分解HPLC-蛍光検出法による構成糖分析の例を示す。 【目次】 １．はじめに ２．形態観察の概要 ３．CNFおよびCNF／ポリマーの観察事例 ４．CNFの結晶化度の評価 ５．CNFの構成糖分析（HPLC-蛍光検出法） ６．まとめ
ナノ領域の構造解析、形態観察を受託しております。
ナノチューブなどナノ材料などを、TEM、SEM、EDSによるナノ領域の構造解析・形態観察を受託します。
GaN Systems製GaNパワートランジスタ「GS61008T-E01-MR」の構造解析・プロセス解析！
当社では、『GaN Systems製100VGaNトランジスタ(GS61008T-E01-MR) 構造解析、プロセス解析レポート』をご提供しております。 構造解析レポートではGaN Systems製GaNパワートランジスタ 「GS61008T-E01-MR」の詳細を明らかにし、プロセスフロー解析 レポートでは構造解析の結果に基づいてチップ製造プロセスの 推定を行っています。 【レポート内容】 ■構造解析レポート ・パッケージ外観、X線観察、チップ平面解析(配線接続、レイアウト確認)、 チップ断面解析(GaNトランジスタ、チップ端部)、GaN-Epi層TEM-EDX分析 ・電気特性測定(Id-Vd、BVdss、容量特性) ■プロセス解析レポート ・製造プロセスフロー抽出・推定、マスク枚数、プロセス・シーケンス断面図 ・電気特性と素子構造の関連解析 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
技術情報誌The TRC Newsは、研究開発、生産トラブルの解決、品質管理等のお役に立つ分析技術の最新情報です。
【要旨】 酸化ガリウム（Ga2O3）は次世代パワー半導体材料として注目を集めており、近年研究が盛んになってきている。半導体デバイスの信頼性、特性改善にはプロセス技術の最適化が必要であり、その評価方法が重要となる。本稿ではエピタキシャル膜の品質評価に必要な結晶構造解析と、デバイス特性への影響が大きいイオン注入プロセスにおける不純物、欠陥、キャリア濃度解析を行った事例を紹介する。 【目次】 １．はじめに ２．断面TEM、平面STEMによる結晶構造解析 ３ イオン注入プロセス評価 ４．まとめ
不良モードに適した様々な手法を組み合わせることで、不良ノードの特定から物理解析までを一貫して対応
株式会社アイテスの『ICの不良解析』についてご紹介します。 当社では、ICに対して、不良モードに適した手法を組み合わせることで、 不良ノードの特定から物理解析までを一貫して対応致します。 Layout Viewerによるレイアウト確認が可能な「発光解析/OBIRCH解析」を はじめ、「層剥離/サンプル加工」や「PVC解析」、「拡散層エッチング」、 「sMIM解析」等、様々な解析手法があります。 【手法】 ■発光解析/OBIRCH解析 ■層剥離/サンプル加工 ■マイクロプローブ ■PVC解析 ■EBAC解析 ■物理解析（FIB-SEM, TEM） ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
STEMでめっきされたコネクタ端子表面の付着物層(20nm程度)の”表面を保護するサンプリング法”により損失なしで確認可能です
STEM(走査型透過電子顕微鏡 )とEDS(エネルギー分散型Ｘ線分析装置)では細く絞った電子線を試料上で走査することで、試料の組成に関する情報（原子番号を反映したコントラスト像）が取得できます。 以下の特長もあります。 ・電子線の入射角度を変えることで、回折コントラストの変化を観察 ・観察対象が結晶質であるかの判断 ・結晶内にある結晶欠陥（転位、双晶等）の情報の獲得 本事例では 「STEMによるAuめっきされたコネクタ端子接点不良解析」 を紹介します。 ぜひPDF資料をご一読ください。 また、弊社では本STEMに加えTEM、SEM各種断面解析を行っております。 お気軽にご相談いただければ幸いです。 セイコーフューチャークリエーション 公式HP https://www.seiko-sfc.co.jp/ ※その他の資料もあります。問い合わせボタンからご用命いただければ送付いたします。
STEM-EDS観察は半導体のPoly-Si(ポリシリコン)間の絶縁膜形状や層構造を確認でき半導体の不具合原因究明に応用できます
STEM(走査型透過電子顕微鏡 )とEDS(エネルギー分散型Ｘ線分析装置)では細く絞った電子線を試料上で走査することで、試料の組成に関する情報（原子番号を反映したコントラスト像）が取得できます。 加えて以下の特長もあります。 ・電子線の入射角度を変えることで、回折コントラストの変化を観察 ・観察対象が結晶質であるかの判断 ・結晶内にある結晶欠陥（転位、双晶等）の情報の獲得 本事例では 「STEM-EDSによる半導体絶縁膜評価」 を紹介しています。 本事例は問題なしの結果でしたが、異常検出も可能です。 ぜひPDF資料をご一読ください。 また、弊社では本STEMに加えFIBとの併用で、試料のある領域に対して3D構築を行う不良個所特定も得意としております。 実際に紹介いたしますのでお気軽にお声がけいただければ幸いです。 セイコーフューチャークリエーション 公式HP https://www.seiko-sfc.co.jp/ ※その他の資料もあります。問い合わせボタンからご用命いただければ送付いたします。
パナソニックReRAM搭載MN101LR05D 8bitマイクロコントローラ
MN101LR05Dはポータブルヘルスケア、セキュリティ装置、センサー処理用と向けに開発された低消費電力の8bitシングルチップマイクロコントローラです。MN101LR05DはCPUコアが10MHz 8bitのAM13Lで６４KBのReRAM容量と４KBのSRAM容量を特徴としています。 MR101LR05Dは世界初の量産化されたReRAM(Resistive RAM:抵抗変化型メモリー）の実用例であり、既存の不揮発性メモリーの後継技術として多く活用されるとみられています。 MN101LR05Dは180nm CMOSプロセスに４層のAIメタライゼーションを使用して製造されています。この金属酸化物のReRAMセルはメタル3から４に接続するスタックWビアの間に形成されます。 レポートの結果は走査型電子顕微鏡（SEM)、透過型電子顕微鏡（TEM)、エネルギー分散型X線分析（TEM-EDS）、電子エネルギー損失分光法（TEM-EEKS）、および拡がり抵抗測定（SRP)のデータによるものです。
３Dロボットシュミレーション、FEM応力構造解析など、最先端システムの活用によリ、生産性や品質の向上を図っています。
FEM解析モデリングには、HYPER MESH を使用しております。 熟練技術者から若手まで幅広い層の技術者集団が、安定した品質と、最新の技術を提供いたします。 設計からシュミレーション、解析、ロボットティーチングまで、お任せください。
キーとなる革新的なプロセス技術の研究・製造コストの最適化・歩留まりの改善！
プロセスは、デバイスの原価、品質、性能の決定に役立ち、また設計上の欠点を補うことも多くあります。 TechInsightsは、10人のプロセス専門家をスタッフとして抱え、140年以上にわたって蓄積されたデバイス構造解析の集合的専門知識をご提供します。 デバイスにはCMOS、バイポーラ、BiCMOS、GaAs、SiGe、銅、低誘電体、SOI、歪シリコン、MEMS、TFTが含まれますが、これらに限定されるものではありません。 TechInsightsの専門的技術によって収集されたデータを使用し、お客様の製品または競合製品の構造、材料組成、限界寸法、および製造プロセスに関する情報を、プロセス解析レポートとしてご提供します。 【対応問題例】 ○メモリ（フラッシュ、DRAM、SRAM、FeRAM）を論理デバイスに埋め込む方法 ○より進んだプロセス世代に移行する際のリスクを軽減する方法 ○主要競合製品はどのようなトランジスタ性能を持っているか ○RFデバイスはCMOSにどのように組み込まれているか 詳しくはお問い合わせ、またはカタログをダウンロードしてください。
