更新日： 集計期間:2025年11月12日～2025年12月09日
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先進の科学方法論と分析の先駆者でありたい。
当社では、シームレスに研究開発プロセスをサポートする トータル材料分析サービスを行っております。 可視～赤外光領域の分光分析、オリジナル光学系の設計、組み立て、 お客様の目的に最適化された分析ソフトウェア作成、技術コンサルティングを 通して、様々なニーズに最適化したソリューションをお届けします。 ご要望の際はお気軽にお問い合わせください。 【コアテクノロジー】 ■レーザー分光法による化学組成分析 ■特注光学分析装置の作成・既存品カスタマイズ ■分光分析コンサルティング・コーチング ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
低価格・高精度・正確な非破壊検査 5万円～/1 検体
5万円(税別）～/ 1 検体 ※検体輸送費(基本的に検体運搬費用はお客さま) 【測定内容】 欠陥分析-気孔分析 寸法測定 ※他測定内容はお問合せください。 【納品データ】 測定レポート + オリジナルレポート画像 + 欠陥統計表 【CTスキャナ仕様】 機種名：汎用マイクロ・ナノCTシステム diondo d2 反射ターゲットX線管： 190-300kV 送信ターゲット X線管： 160～300kV エリアアレイ検出器： 3000 × 3000px、139μm 焦点距離範囲： 400-1200mm、調整可能 最大有効検出範囲： Ø520×H650mm 最大耐荷重：50kg 本体サイズ： L2900×B2050×H2180mm diControl ソフトウェアの機能 ：DR 機能、スパイラル CT、角度制限スキャン、高速 CT、高速再構成 GPU 加速、ビームハードニング補正、アーティファクト補正、バッチ自動検出、自動ジオメトリ補正、日常検出、ステータス検出、測定モジュール VDI/VDE 2630
ご要望の仕様に基づいた評価条件にも対応！確かな手順による信頼性評価サービスをご提供
当社試験所は管理された環境と確かな手順による信頼性評価サービスを ご提供します。 標準規格のほかに、ご要望の仕様に基づいた評価条件にも対応可能。 半導体・電子パネル・電子部品・実装基板・ガラス・各種材料に 対応しています。 【環境試験・機械強度試験(一部)】 ■高温試験 ■低温試験 ■高温高湿試験 ■HAST試験/オートクレーブ試験 ■温度サイクル試験/気槽冷熱衝撃試験/ヒートサイクル試験 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
内部欠陥の有無を試料にダメージを与えることなく確認できる！
アルミダイカスト部品について、3次元X線顕微鏡(X線CT)による非破壊観察で 内部欠陥の有無などの情報を取得することができます。 また、内部に欠陥が確認された場合、イオンミリングなどを用いた断面加工にて 欠陥を露出させて状態を確認し、介在物が存在する際には、その成分を確認する ことで発生原因を推定することができます。 ご用命の際は、当社までお気軽にお問い合わせください。 【概要】 ■非破壊観察(X線CT)による内部情報の取得 ■断面構造解析(断面加工＋元素分析) ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
X線ロッキングカーブ法では、反りなどの形状変化がない結晶のひずみを検出することが可能！
当社で行う「Siウェーハのひずみ解析」についてご紹介いたします。 半導体デバイスの製造工程においては、ウェーハ薄研削加工の際に生じる 残留応力によって、製品の故障・不良・劣化につながる可能性があります。 今回、Siウェーハに対して機械研磨を行うことで表面の結晶性を低下した 状態にし、研磨前後の結晶性変化をX線ロッキングカーブ測定で評価。 X線ロッキングカーブ法では、反りなどの形状変化がない結晶のひずみを 検出することができます。 【技術概要】 ■ロッキングカーブ測定 ・回折が起こる角度位置に検出器を固定し、試料のみ回転させることで、 回折条件を満たす回転の角度分布が測定できる。 ・角度分布(ロッキングカーブ)のピーク幅・強度は、結晶ひずみなど 結晶面の傾きのばらつきを反映し、結晶性の評価指標となる ・単結晶では、高角度分解能測定により、微小なひずみを評価できる ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
X線による物質への影響や耐性を評価するための手法！
当社では「X線照射試験」を行っております。 X線は、非破壊かつ短時間で物質内部の状態を確認するのに適した性質を もつことから様々な場面で使用されています。 一方、X線と物質との相互作用により製品性能に影響が出たり、変色などの 異常が発生することがあります。こうしたX線による物質への影響や耐性を 評価するための手法として、X線照射試験をご紹介します。 【X線照射装置スペック】 ■管電圧：40～160(kV) ■管電流：1.0～12.5(mA) ■管電力：Max 800W ■固有フィルター：Be 0.8mm ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
高い分解能で4インチ～6インチの大口径ウェーハ全面の欠陥評価を非破壊で可能！
当社で行う「放射光トポグラフィーによる欠陥評価」について ご紹介します。 SiCやGaNといった化合物半導体においては、結晶欠陥が多く含まれており、 素子特性に大きな影響を与えます。 当評価により、高い分解能で4インチ～6インチの大口径ウェーハ全面の 欠陥評価を非破壊で行うことが可能です。 【特長】 ■各種の結晶欠陥を数μmの解像度で可視化することが可能 ■ラボ装置では検出できない、貫通刃状転位(TED)の検出が可能 ■欠陥の種類、分布を評価することが可能 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
温度が繰り返し変化する環境を想定し、温度変化による熱ストレスを与えて耐性を確認！
当社で行う「電子部品の温度サイクル試験」についてご紹介します。 電子部品は、熱膨張係数が異なる様々な材料によって構成されています。 このため、熱膨張係数の違いによる応力が発生し、不具合が生じる場合が あります。 当試験は、指定された低温と高温に順次変化する環境に試験品を置き、 指定されたサイクル数のストレスを加える環境試験の一つです。 【対応規格】 ■JIS C60068-2-14(IEC 60068-2-14) ■JEITA EIAJ ED-4701/100A ■JEDEC JESD22-A104 ■MIL-STD-883 METHOD 1010 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
色々な角度から評価可能！多数の試験装置をそろえております
当社の技術試験センターでは、「受託不具合調査」を行っております。 不具合品の外観調査等の初期調査結果からの"調査の方向性"、"想定しうる 故障モード"等をこれまでの知見から、お客様に合わせたアドバイスをご提供。 自社の試験装置を使い調査することで、現場・現場のサイズを見て原因究明 を行い不具合メカニズムを解明、またお客様に合った適切な再発防止策の ご提案・余寿命診断等も行います。 【概要】 ■アドバイザリー：不具合品の初期調査結果からアドバイスをご提供 ■原因究明：自社の試験装置を使い調査、不具合メカニズムを解明 ■コンサルティング：適切な再発防止策のご提案、余寿命診断等を実施 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
使用材料の規格との比較、管理基準との比較などの分析を行っております。
材料分析とは、使用材料の規格との比較、めっき液の構成元素分析による管理基準との比較などの分析を高精度解析装置を導入し、他社製品の材料の特定やめっき液中の構成元素分析といった、材料分析のテクノリサーチ業務を行っております。詳しくはお問い合わせください。
安全性を確認！ISO/IEC17025認定試験所として第三分析機関 SGSラボで分析
“フタル酸エステル類”は、フタル酸 C6H4(COOH)2 とアルコールが 結合して生成されるエステルの総称です。 アルコールの種類は極めて多いため、フタル酸エステル類の種類も非常に 多く、アルコール系のフタル酸エステルは主に樹脂の可塑剤や 成形助剤として多く使用されて来ました。 しかし、ヒトや動物のホルモンに影響を与える内分泌攪乱物質である 疑いが強まり、欧州を中心に使用規制の動きが進んでいます。 自社製品の安全性を確認の際は、是非お問い合わせください。 ISO/IEC17025認定試験所として第三分析機関 SGSラボで分析させて 頂きます。 【RoHS指令 特定有害物質に追加指定された物質】 ■DEHP ■BBP ■DBP ■DIBP ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
