12”シリコンウェハー/12inch Silicon Wafer
12インチSi両面研磨ウェハー Φ300mmシリコン基板 厚み775±25um P型＜100＞ 1-100Ω・cm 両面ミラー
品質：パーティクル管理有（0.2um30個以下） 製造：日本製（Made in Japan） 納期：1-2週間
- 企業：株式会社同人産業
- 価格：~ 1万円
シリコンウェハ(方位) - メーカー・企業と製品の一覧
シリコンウェハの製品一覧
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シリコンウェハ
2インチ；3インチ；4インチ；5インチ；６インチ；8インチ；１２インチ ダミーウェハー～プライムウェハーまで、各グレードご提供
ウェハー (wafer ウェイファ)は、半導体素子製造の材料である。高度に組成を管理した単結晶シリコンのような素材で作られた円柱状のインゴットを、薄くスライスした円盤状の板である。洋菓子のウェハースに由来（英語表記ではいずれもwafer）。 ウェハーのほか、ウェーハ、ウエーハ、ウエハー、ウェハ、ウエハなどさまざまに呼ばれる。
- 企業：D&X株式会社
- 価格：~ 1万円
シリコンウェハ
2インチ；3インチ；4インチ；5インチ；６インチ；8インチ；１２インチ ダミーウェハー～プライムウェハーまで、各グレードご提供
ウェハー (wafer ウェイファ)は、半導体素子製造の材料である。高度に組成を管理した単結晶シリコンのような素材で作られた円柱状のインゴットを、薄くスライスした円盤状の板である。洋菓子のウェハースに由来（英語表記ではいずれもwafer）。 ウェハーのほか、ウェーハ、ウエーハ、ウエハー、ウェハ、ウエハなどさまざまに呼ばれる。
- 企業：D&X株式会社
- 価格：~ 1万円
【短納期・低価格】シリコンウェハー 2～6インチ/8～12インチ
お客様のご要望に合ったシリコンウェハーを短納期・低価格で提供いたします！最短即日発送。
当社では、装置の条件出し、ダイサーやBGのプリカット、搬送テストなど の用途にご使用いただける『シリコンウェハー』を取り扱っております。 モニターウェハーはもちろんのこと、各種サイズ、各種厚み、 パーティクルウェハーにも対応可能です。 小口径２インチ～６インチモニターウエハー、８インチ～１２インチモニターウエハーも格安で販売致します。 P型/N型・オリフラ/Vノッチ・結晶方位などお気軽にご相談ください。 【用途】 ■装置の条件出し ■ダイサーやBGのプリカット ■搬送テスト など ※詳しくはPDFをダウンロードして頂くか、お気軽にお問い合わせ下さい。
- 企業：エムシーオー株式会社
- 価格：応相談
小径単結晶シリコンウエハー 2inch 4inch 6inch
CZ法／FZ法のシリコン基板を、結晶成長からスライス、ラッピング、エッチング、研磨、酸化膜、エピーまで御対応可能です！
同人産業のシリコンウェハーは、日本国内工場で生産している他、中国メーカーにて委託生産しています。Φ2″、Φ4”、Φ6”、Φ8”、Φ12”まで全てのサイズを得意としております。 熱酸化膜、CVD酸化膜、SOI、Silicon on Siliocnエピーなども対応可能です。 BG加工(バックグラインディング）、ダイシング、刳り抜き、放電加工など特殊形状加工も対応可能です。 ※Φ600mmまでの大径シリコンインゴットやパーツ加工（MC加工）も得意としております。
- 企業：株式会社同人産業
- 価格：応相談
ゲルマニウム基板
半導体・電子デバイス製造向け！IR(赤外線波長帯)で優れた透過率を示す基板材料
当社では「ゲルマニウム基板」の製造販売を行っております。 IR(赤外線波長帯)で優れた透過率を示す基板材料。 半導体・電子デバイス製造向けに、結晶成長時ドープ加工を施した N型・P型ゲルマニウム基板(平面研磨ウエハー・直径1,2,3インチ/ 面方位100,110,又は111)をご用意。 ご用命の際は、当社までお気軽にお問い合わせください。 【取扱製品】 ■N型・P型ゲルマニウム基板 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
- 企業：エムシーオー株式会社
- 価格：応相談
白金単結晶薄膜付きシリコンウェハ
単結晶金属薄膜により特性が向上します
Gaianixx独自の多能性中間膜により、シリコン基板上に高品質な白金薄膜をエピタキシャル成長させ、(100) 単一配向の単結晶薄膜を実現しました。単結晶体は多結晶体と比較して、粒界がないことで電気的な欠陥が少なくなるため、電気抵抗が低く電気伝導性が高くなります。そのため半導体や電子デバイスの性能向上に寄与することが期待されます。白金薄膜は各種デバイスの下部電極として用いられるほか、温度センサなどにも応用されています。 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
- 企業：株式会社Gaianixx
- 価格：応相談
GaN基盤
バンドギャップの広さとスイッチングの速さ、オン抵抗が低いことも有利なポイント！
当社では「GaN基盤」の製造販売を行っております。 GaN(窒化ガリウム)という半導体を使用した基盤。青色発光ダイオードの 材料として世に広まりましたが、絶縁破壊電解強度や熱伝導率の高さが 注目され、近年では先進パワー半導体の材料として応用されています。 ご用命の際は、当社までお気軽にお問い合わせください。 【基本仕様(一部)】 ■直径：Φ2"、Φ3"、Φ4"、Φ6" ■GaN膜厚：3μm、3.5μm、4μm、4.5μm、6μm、～100μm特別指定可能 ■結晶方位：C-axis(0001) ■導電タイプ：Un Dope、N-type、P-type ■XRD：(002)≦300arsec、(102)≦400arsec ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
- 企業：エムシーオー株式会社
- 価格：応相談
