膜厚測定器のメーカーや取扱い企業、製品情報、参考価格、ランキングをまとめています。
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膜厚測定器(半導体) - メーカー・企業と製品の一覧

更新日: 集計期間:2025年10月01日~2025年10月28日
※当サイトの各ページの閲覧回数を元に算出したランキングです。

膜厚測定器の製品一覧

1~8 件を表示 / 全 8 件

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非接触移動度測定装置『LEI-1610シリーズ』

様々な半導体キャリア輸送特性の測定が可能!マイウロウェーブ反射による非接触移動度測定!

半導体デバイスの製造にとって、キャリア移動度は、とても重要なパラメーターに なります。 『LEI-1610シリーズ』は、移動度、キャリア濃度、シート抵抗など様々な 半導体キャリア輸送特性の測定が可能な非接触移動度測定装置です。 2インチから最大8インチまでのSiウェーハ、化合物半導体(GaAs、GaN、InP等) epiウエハを非接触・破壊にてキャリア移動度、シート抵抗、シートチャージ密度が 測定できます。 【特長】 ■マイウロウェーブ反射による非接触移動度測定 ■高周波デバイス特性のスタンダード測定装置 ■ホール効果による測定結果との高い相関性 ■マルチキャリア・モデリングオプション ※詳しくは関連リンクページをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

  • その他計測・記録・測定器

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高温・交流ホール効果測定装置『HALS-H II』

100V電源仕様!次世代パワーデバイス等の評価に新たな測定ソリューション!

当社では、どこでも・誰でも・簡単に高温環境下の交流ホール効果測定が できる『HALS-H II』を取り扱っております。 本製品は、パワー半導体材料や、太陽電池材料、ガスセンサー材料など、 半導体材料の基礎特性評価にご利用いただけます。 ご要望の際はお気軽にお問合せください。 【特長】 ■低価格 ■高性能 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。

  • その他検査機器・装置
  • その他計測・記録・測定器

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非接触型測定機

“カーボン治具のパイオニア” 曙精機工業の非接触型測定機事例です

平面的な治工具から半導体部品をカーボン(グラファイト)治具に組み込む立体的な省力化装置の設計・製作まで「縁の下の力持ち」として、お客様のニーズに対応いたします。

  • 加工治具
  • 検査治具
  • 組立治具

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非接触型測定機2

“カーボン治具のパイオニア” 曙精機工業の非接触型測定機2事例です

平面的な治工具から半導体部品をカーボン(グラファイト)治具に組み込む立体的な省力化装置の設計・製作まで「縁の下の力持ち」として、お客様のニーズに対応いたします。

  • 加工治具
  • 検査治具
  • 組立治具

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ラインスキャン膜厚計 オフライン(ウェーハ対応タイプ) 

ラインスキャン方式の採用で「抜け」のない全面検査を実現!

半導体の研究開発や生産現場において、ウェーハ基板上の薄膜を全面測定できる装置です。 独自の分光干渉法と新たに開発した高精度膜厚演算処理技術を組み合わせることで、12inchウェーハの面内分布を高速に測定することが可能です。 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。

  • 1回の測定で複数の膜構造解析データ.jpg
  • CMP研磨グセの観察が可能.jpg
  • 分光膜厚測定のパイオニアだから実現できる高精度測定.jpg
  • 膜ムラ管理が可能.jpg
  • 膜厚計

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非接触CV測定装置 Cn0CV

非接触式の重金属汚染・CV/IV・膜評価装置。 鉄濃度測定の感度はDSPVを採用することでE8を実現!

世界に400台以上の実績を持つ非接触式の重金属汚染・CV/IV・膜評価装置です。 鉄濃度測定の感度はDSPVを採用することでE8を実現し、近年のCMOSイメージセンサーの歩留まり向上に寄与しております。 化合物半導体のCV測定が可能です。非接触で面内の濃度分布、プロファイル測定が可能です。

  • その他検査機器・装置

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水銀プローブCV/IV測定装置『MCVシリーズ』

水銀プローブにより電極の形成が不要!R&Dにおける開発時間の短縮、Lowコスト化を提供

『MCV-530/530L/2200/2500』は、半導体シリコンウェハーの電気特性や MOSデバイスの酸化膜等の特性評価を可能にする装置です。 従来ではウェハーにゲート電極としてPoly-SiやAl等を蒸着し、MOS構造・ ショットキー構造形成後にCV/IV特性評価を行っておりました。 当製品は、装置自身がゲート電極を持つため、メタルゲート作成なしに 酸化膜やウェハーの電気特性を得ることが可能。プロセスモニタリングによる 素早いフィードバックやR&Dにおける開発時間の短縮、Lowコスト化を 提供します。 【特長】 ■水銀プローブにより電極の形成が不要 ■抜群の再現性 ・ショットキー:0.3%(1σ)/MOS:0.1%(1σ) ■ウェハー面内のマッピング可 ■新開発水銀交換機構により安全かつ容易な水銀交換が可 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

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膜厚測定装置『LF-1000』

ウェハ・ガラス基板+鏡面基板上の膜厚測定も可能な膜厚測定装置

『LF-1000』は、分光器と光干渉式膜厚解析ソフトを搭載し、各種パラメータの 設定をする事により膜厚測定を可能とした非接触式自動膜厚測定装置です。 本解析ソフトは薄膜の表面及び基盤との界面からの干渉波形を解析することにより、 非接触で、透明もしくは半透明の薄膜の膜厚、屈折率及び吸収係数を簡単に 自動測定及びマッピング処理する事が出来ます。 【特長】 ■ウェハ・ガラス基板だけでなく、その他の鏡面基板上の膜厚測定が可能 ■膜の光学定数を設定する事で、各種の膜厚測定が測定可能 ■薄膜酸化膜、SOI、EG膜、カラーフィルター等の測定に優れる ■標準として3・4・5・6・8・12インチウェハに対応したオートステージ ■ローダ仕様にもオプションで対応可能(カセット・FOUP、ポート数にも応相談) ■測定ヘッド仕様よって、薄膜から厚膜の膜厚測定に対応 ■GEM通信はオプション ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

  • 半導体検査/試験装置
  • その他計測・記録・測定器

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