プラズマCVD装置
プラズマCVD装置
●コンパクトな設計でありながら、試料は3インチウエハーなら5枚、4インチウエハーなら3枚、8インチウエハーなら1枚が対応可能。 ●最大100ステッププロセスが可能。 ●ロードロック室を装備しているため安定したプロセスが可能。 ●各種安全対策のためのインターロック機構を搭載。
- 企業:サムコ株式会社
- 価格:応相談
更新日: 集計期間:2025年04月16日~2025年05月13日
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プラズマCVD装置
●コンパクトな設計でありながら、試料は3インチウエハーなら5枚、4インチウエハーなら3枚、8インチウエハーなら1枚が対応可能。 ●最大100ステッププロセスが可能。 ●ロードロック室を装備しているため安定したプロセスが可能。 ●各種安全対策のためのインターロック機構を搭載。
低温成膜。高絶縁、ハイバリア、均一性!
『PEGASUS』は、メモリ、パワーデバイス、MEMSへの 絶縁膜、保護膜の形成プロセスに低温で緻密な安定した成膜が可能な 量産対応型プラズマCVD装置です。 インターロック機構による、高い安全性を持ち合わせており、ウエハ 接触部位に非金属を使用しているため、裏面からの汚染を防止します。 【特長】 ■低温成膜 ■メンテナンス性 ■ウエハ取扱い ■フットプリント ■保守メンテナンス など ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
プラズマCVD装置
● トレーカセット方式を採用。 1. 搬送時間短縮により高スループットを実現。 2. トレー変更によりφ2インチ〜φ8インチのウエハーに対応可能。 ● 真空カセット室を採用。 1. 1カセット1回の真空排気により高スループットを実現。 2. コンタミネーションの影響回避やウエハー表面の酸化を防止。 ● 納入実績の豊富なPD-220Lの反応室をさらに信頼性の高いものに改良。
引張り~圧縮の応力制御が可能!スペースに合わせて柔軟に設置できます
サムコ株式会社では、プラズマCVD装置である『PD-270STLC/PD-2201LC』を 取り扱っております。 「PD-270STLC」は、上部、中部、底部とカバレッジ性良く成膜が可能。 また「PD-2201LC」は、トレイ搬送による小径ウエハの複数枚同時成膜から、 ウエハ枚葉処理による高均一な成膜まで、お客様の要望に応じて幅広く 対応できます。 【特長】 <PD-270STLC> ■液体原料SN2によるSiN成膜 ■上部、中部、底部とカバレッジ性良く成膜可能 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせください。
パワーデバイス、LED、MEMS等の量産で多数の実績がある装置です。
膜質の制御範囲が非常に広く、様々なお客様の求める膜質に対応します。また、化合物ウエハや特殊ウエハなど、従来の装置では問題があった安定した自動搬送を実現し、歩留まり向上に貢献します。当社では、お客様のご要望を出来るだけ装置に反映するため、装置毎のカスタマイズを積極的に行います。社内にデモ機を常設していますので、お気軽にご相談ください。
漏洩マイクロ波検出用も付属!試料の取付は、下部よりモーターによる上下機構で交換
『プラズマCVD装置』は、実験用に極端に簡素化して製作されたCVD装置です。 マスフロー本体は、メーカー品を使用。表示器、設定器は当社オリジナルで 製作し価格を下げております。 また、プラズマ発生域と試料の距離を変更できるよう、マイクロ波導波管を 上下できる機構を備えています。 【特長】 ■実験用に極端に簡素化して製作 ■マイクロ波導波管を上下できる機構を備えている ■試料の取付は、下部よりモーターによる上下機構で交換 ■漏洩マイクロ波検出用も付属 ■内部機構は全てコンパクトに設計されており省スペース化を実現 ※詳しくは外部リンクページをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
φ200mmウェーハまで対応!成膜・エッチングの両用が可能なプラズマCVD装置です
『210Dモデル』は、誘導結合プラズマ(Inductively Coupled Plasma:ICP)による、成膜装置です。 現場でのハードウエアの交換により、十数分の作業時間で、 誘導結合プラズマエッチング装置として使用する事が可能。 コンパクトな機体に多彩なオプションで、薄膜の堆積やトレンチのパターニング等、 様々なアプリケーションに対応。 【特長】 ■簡単なハードウェア交換で、プラズマCVD及びRIEとして使用可能 ■業界標準と比較して約30%小さいフットプリント ■感覚的に理解が容易なグラフィックインターフェイスで操作が簡単 ■ご要望に応じて、特殊仕様にも対応可能 ※詳しくは、お気軽にお問い合わせ下さい。
省スペース設計で、バキュームポンプ・モジュールはプロセス・モジュールから最大18m離して設置することができます。
本装置は、4/5/6 及び 8 インチ・ウェハーに対応しており、プラズマ CVD 法によってウェハーに酸化シリコン膜及び窒化シリコン膜を形成するものです。 基本構成は、プロセス・モジュール及び RF ジェネレータ・モジュール(高周波 低周波各 1Set )、バキュームポンプ・モジュールの 3 モジュールで構成され ます。
小型で多用途に応用可能!デバイス評価プロセスにも適応できる高機能装置です
『SHUTTLELINE(R)シリーズ』は、薄膜堆積用PECVD・ドライエッチング・ 故障解析用プロセス対応フレキシブル半導体製造装置です。 RIE/ICP-RIE PECVD/ICP-CVDに対応し、コンパクトな機体に 多様なオプションで多用途に使えるフレキシブル装置。 企業及びアカデミアのR&D、研究室にラボスケールのコンパクトな 装置が必要な方や、1台で成膜・エッチングとマルチに使用可能な 装置をお探しの方などにおすすめです。 【特長】 ■高精度でダメージフリーなエッチングプロセス ■ダイ パッケージ化ダイ ウェハ片およびフルウェハに多様なウェハサイズ・形状に対応 ■シャトルシステムにより、異なるサンプルサイズでもハードウェアの変更が不要 ■1台で成膜/エッチング装置とマルチに対応 ■世界中で採用実績があり、Plasma-Therm LLCのグローバルネットワークで現地サポート ※詳しくは、お気軽にお問い合わせ下さい。