パワーデバイス、LED、MEMS等の量産で多数の実績がある装置です。
膜質の制御範囲が非常に広く、様々なお客様の求める膜質に対応します。また、化合物ウエハや特殊ウエハなど、従来の装置では問題があった安定した自動搬送を実現し、歩留まり向上に貢献します。当社では、お客様のご要望を出来るだけ装置に反映するため、装置毎のカスタマイズを積極的に行います。社内にデモ機を常設していますので、お気軽にご相談ください。
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基本情報
当社の装置は1回の処理で複数枚のウエハに成膜を実施する、バッチタイプの装置です。 膜種 ：SiN/SiO2/SiONの成膜が可能です。 その他TEOS-SiO2等につきましてもご相談ください。 ウエハサイズ：最大８インチ ８インチ以下のサイズであれば制限はありません。 均一性 ：±３％以内 バッチ間再現性を含め、±３％以内となります。
価格帯
5000万円 ~ 1億円
納期
用途／実績例
用途 化合物センサー/LED/SiC・GaNパワーデバイス/MEMS 実績例 ・割れ易いウエハの安定した量産対応 ・薄厚（100μm）ウエハの低ストレス成膜 ・低速（5nm/min～）成膜による高耐圧膜の成膜 ・ストレスコントロールによるウエハ反りの改善 ・４インチ/６インチ兼用装置
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企業情報
PE-CVD装置に関して、膜質改善や装置のカスタマイズ等、是非お問い合わせ下さい。 化合物半導体やパワーデバイス等の量産対応では、メモリの量産で使用されているPE－CVDでは、膜質やウエハのハンドリングで多くの問題があります。当社では化合物半導体や特殊ウエハ等の量産対応の実績が多数ありますので、お客様がお使いになるベストな仕様で装置をご提案致します。