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INK0310AC1は、現量産品であるINK0310AP1のSOT89パッケージのSC59パッケージ展開品となります。 そのため、SOT89パッケージと同様にドレイン電流が大きく、小型PKGで2Aクラスの製品となっています。 また、車載対応もしており、AEC準拠しております。
●コレクタ・エミッタ間飽和電圧が小さく、音声ミュート 用として最適です。 ●VEBOが高く逆流防止用ダイオードが不要です。 ●逆方向hFEが高く、負側の信号の音声ミュートも可能です。 ●小型面実装パッケージに加え、抵抗内蔵タイプ、複合タイプ （2個入り）、バッファーPNP複合タイプも取り揃えており、セット の小型化、高密度実装が可能です。
BS08シリーズのシリコン双方向スイッチング素子は、双方向にスイッチング特性を有する集積回路です。静特性は双方向とも ほぼ対照的な特性であり、各種のサイリスタのトリガ用として最適です。
オン抵抗が小さく、スイッチング速度が速い製品となります。 ドレイン電流が大きいため、大電流が必要なアプリケーションに適しています。
フラットリードタイプの面実装で実装時の損失を抑えて大電流で使用できるパッケージとなっております。 オン抵抗が小さく、大電流が必要なアプリケーションに適した製品となっております。
SiCを材料としたMOSFETです。 SiCを材料とすることで、シリコンでは実現できなかった高耐圧、低抵抗特性と、IGBTに比べてスイッチング時の損失を削減することが可能となっています。 PFC(力率改善回路)やDC-DCコンバータ、インバータ回路に使用することにより、電源の高効率化に貢献します。
本シリーズは2.495V±1%の高精度な基準電圧と, ±80mAの電流能力を持つシャントレギュレータであり, REF端子に外付け抵抗2本を接続して, VREFを基準に36Vまでの範囲で任意の出力電圧を設定可能です。 K端子とA端子間のダイナミックインピーダンスの絶対値は0.2Ωと低く, 電圧安定度を実現しております。 本シリーズはSC-59パッケージ(RT9H301C)とSOT-89パッケージ(RT9H301P)の実装タイプ2種と, TO-92Sパッケージ(RT9H301S)の挿入タイプ1種の計3種類をご用意しております。 サイズや実装方式の異なるパッケージを選択できる為, 基板レイアウトの最適化が容易であり, 設計の自由度が大きく広がります。 ご用命の際には、お気軽に弊社営業にお問合せ下さい！
『RT8H052C』は, 3相インバータのシャント抵抗から電流を検出し, 過電流を保護する為のICとなっています。 外付け抵抗で検出電圧を自由に設定が可能です。 本製品は出力端子が無く, VCC端子にPNPトランジスタを接続する事で, 出力機能を持たせます。 このPNPトランジスタは過電流検出時にICの回路電流が変動する事で切り替わり, それが出力状態に反映される仕組みとなっております。 ご用命の際には、お気軽に弊社営業にお問合せ下さい！
高電圧の環境に適応した300V以上の高耐圧バイポーラトランジスタ
本製品は、パワーカット回路を内蔵しており、ON/OFF端子への印加電圧を切り替えるだけで、外部から製品動作の開始／停止制御を簡単に行うことができます。 さらに、UVLO（Under Voltage Lock Out）回路を搭載しているため、電源電圧が約16V以上で自動的に動作を開始し、約14V以下で停止する安全設計となっています。 IGBTドライバとしての回路構成を採用しており、GATEIN端子入力に対して以下の動作を行います。 ・Low→High入力時：入力電圧が約2.7V以上でB端子がLow出力 ・High→Low入力時：入力電圧が約2.5V以下でB端子がHigh出力 本製品をご採用いただくことで、IGBT使用時の消費電力低減に加え、システム全体の省電力化にも貢献可能です。 「消費電力を抑えたい」「外部制御を簡単に実現したい」といったお客様へのご提案に最適な製品です。 詳細につきましては、ぜひお気軽に弊社営業担当までお問い合わせください。
本製品は、UVLO回路を内蔵しており、約14.2V以上で動作を開始し、約12.4V以下になると動作を停止する安全設計となっています。 さらに、IGBTドライバとしての回路構成を採用しており、GATEIN端子は入力に対して以下の動作を行います。 ・Low→High入力時：入力電圧が約2.7V以上でB端子がLow出力 ・High→Low入力時：入力電圧が約2.5V以下でB端子がHigh出力 本製品をご採用いただくことで、IGBT使用時の消費電力低減に加え、システム全体の省電力化にも貢献可能です。 「消費電力を抑えたい」「外部制御を簡単に実現したい」といったお客様へのご提案に最適な製品です。 詳細につきましては、ぜひお気軽に弊社営業担当までお問い合わせください。
最大1500V入力に対応したDCDCコンバータです。 24V/200W出力タイプと280V/200W出力タイプの2種類の製品を、ご評価用サンプルとしてご準備しております。 ご評価用サンプルは、貸出可能です。 24V出力タイプ：VLA350-24200 280V出力タイプ：VLA349-280200 【特長】 ■DC800～1500Vのワイド入力に対応 ■入力-出力間4.4kVの高絶縁 ■入力多重構成により損失を低減 ■出力過電流保護機能内蔵 ■出力過電圧保護機能内蔵 ■カスタム対応可能 お客様のご要求に合わせて台数や接続構成を変更するなどカスタム対応が可能であり、容量UP版等のご検討も可能です！ ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
【このようなお悩みはございませんか】 ■標準電源ではオーバースペック、在庫管理が大変 ■自社だけで高機能な電源開発を完結できない ■インバータ・電源技術で製品の付加価値を高めたい ■希望する入力電圧範囲の製品が見つからない ■電源開発リソースを自社コア技術に割り当てたい ■周辺回路と連動した高機能な動作をさせたい イサハヤ電子のカスタム電源・カスタムインバータで解決いたします！ お客様のご要望に応じて、弊社の持つ電源技術を以て、お客様にとって最適な電源をご提案をさせていただきます。 お気軽にお問い合わせ下さい！
『VLB512-01R/VLB519-01R』は、三菱電機株式会社製RTC回路内蔵SiCMOSFETモジュール用ゲートドライブユニットです。 【特長】 ■シンプルで扱いが容易な2回路入りゲートドライブシステム ■モジュール内RTC回路に対応した短絡検出回路内蔵 ■短絡保護回路内蔵 ■MOSFET モジュールとはハーネスで接続 ■ゲート電源用絶縁型DC-DCコンバータ内蔵 ■出力ゲートピーク電流 +/-30A(max) ■絶縁耐圧 4000Vrms (1分間) 【仕様】 ＜VLB512-01R＞ ■ゲート出力パワー：最大10W ■基板サイズ：90×145mm ＜VLB519-01R＞ ■ゲート出力パワー：最大3.75W ■基板サイズ：80×130mm ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
『GAU220P-15402』は、1700V/1800AクラスまでのIGBTモジュールを 直接駆動できる2回路入りゲートドライブユニットです。 アダプタ基板VLA595-02Rを使用する事で三菱電機株式会社製 LV100パッケージの並列駆動が容易。 また、ゲート駆動用絶縁型DC-DCコンバータ内蔵で、 最大ゲート出力ピーク電流±20Aです。 【特長】 ■ゲート駆動⽤絶縁型DC-DCコンバータ内蔵 ■最⼤ゲート出⼒ピーク電流±20A ■絶縁耐圧4000Vrms/1分間 ■短絡保護回路内蔵(ソフト遮断機能付き) ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
『GAU240P-15405』は、1700V/3600AクラスまでのIGBTモジュールを 直接駆動できる2回路入りゲートドライブユニットです。 ゲート駆動用絶縁型DC-DCコンバータ内蔵。 アダプタ基板VLA595-02Rを使用する事で三菱電機株式会社製 LV100パッケージの並列駆動が容易です。 【特長】 ■ゲート駆動⽤絶縁型DC-DCコンバータ内蔵 ■最⼤ゲート出⼒ピーク電流±40A ■絶縁耐圧4000Vrms/1分間 ■短絡保護回路内蔵(ソフト遮断機能付き) ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
『VLB505-01R』は、3300V/750A クラスまでのSiCモジュールを直接並列駆動できる1回路入りゲートドライブユニットです。 アダプタ基板VLA595-04Rを使用する事で 三菱電機株式会社製LV100パッケージの並列駆動が容易となります。 【特長】 ■ゲート駆動用絶縁型DC-DCコンバータ内蔵 ■最大ゲート出力ピーク電流±36A ■絶縁耐圧6000Vrms/1分間 ■短絡保護回路内蔵 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
『VLB506-01R』は、1700V/3600AクラスまでのIGBTモジュールを直接駆動できる1回路入りゲートアンプモジュールです。 【特長】 ■高密度実装が容易なSIP 構造 ■高絶縁耐圧デジタルアイソレータ内蔵 ■ゲート駆動用絶縁型 DC DC コンバータ内蔵 ■短絡保護回路内蔵（ソフト遮断機能付き） ■短絡検出抑制時間調整可能 ■最大ゲート出力ピーク電流 40A ■絶縁耐圧 4000Vrms/1 分間 ■入力信号はCMOS ロジック IC で動作可能（入力信号ハイアクティブタイプ） ■ゲート電源電圧VCC 低電圧ロックアウト機能 内蔵 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
『VLA557-03R』は、3300V/600AクラスまでのIGBTモジュールを直接並列駆動できる1回路入りゲートドライブユニットです。 アダプタ基板VLA595-01Rを使用する事で三菱電機株式会社製 LV100パッケージの並列駆動が容易となります。 【特長】 ■ゲート駆動用絶縁型DC-DCコンバータ内蔵 ■最大ゲート出力ピーク電流±24A ■絶縁耐圧6000Vrms/1分間 ■短絡保護回路内蔵（ソフト遮断機能付き） ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
『VLB517-01R』は、4.5kV/1500Aクラス、3.3kV/1800Aクラスまでの10.2kV絶縁耐圧IGBTモジュールを 直接駆動できる1回路入りゲートドライブユニットです。 【特長】 ■ゲート駆動⽤絶縁型DC-DCコンバータ内蔵 ■最⼤ゲート出⼒ピーク電流±40A ■絶縁耐圧10.2kVrms/1分間 ■短絡保護回路内蔵（ソフト遮断機能付き） ■信号⼊出⼒インタフェースは光ファイバー対応 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
『VLB520-01R』は、薄型デュアルタイプIGBTモジュールに直接搭載可能なアダプタユニットです。 【特長】 ■薄型デュアルタイプIGBTモジュールに直接搭載可能 ■フレキシブルにゲート並列数を変更可能 ■Total Line length Adjustment Circuit (TLAC)内蔵で 並列素子毎のゲート-エミッタトータル配線長を等長へ調整可能 ■ゲート配線処理が容易 ■ゲートドライブユニットとはハーネスで接続 ■サーミスタ用コネクタ内蔵 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
『VLB521-01R』は、HV100タイプ HVIGBTモジュール並列接続用アダプタユニットです。 ゲートドライブユニット(VLB517-01R)とはハーネスで接続でき、 並列素子毎のゲート-エミッタトータル配線長を等長へ調整可能となる Total Line length Adjustment Circuit （TLAC）を内蔵しております。 【特長】 ■HV100タイプ IGBT モジュールに直接搭載可能 ■フレキシブルにゲート並列数を変更可能 ■ゲート配線処理が容易 ■サーミスタ用コネクタ内蔵 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
当社で取り扱う、「大電流、高耐圧MOSFET」をご紹介します。 高速スイッチングが可能であり、LEDやモーターの駆動、Li-Ion充電制御、 DC-DCコンバータ、ロードスイッチなどのアプリケーションに好適。 LED、小容量のモーター駆動、DC-DCコンバータ、ロードスイッチ、 高速スイッチング、アナログスイッチ等の用途に適しています。 【特長】 ■高速スイッチングが可能 ■LEDやモーターの駆動、Li-Ion充電制御、DC-DCコンバータ、 ロードスイッチなどのアプリケーションに好適 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
『INKEシリーズ』は、ドレイン・ソース間にツェナーダイオードが 接続(内蔵)されており、モーターやソレノイドドライブ時の 逆起電力からMOSFETを保護するツェナーダイオード内蔵型MOSFETです。 内蔵MOSFETの逆耐圧より低い逆耐圧のツェナーダイオードを内蔵する事で、 過電流/電圧がドレインに印加された際にツェナーダイオードを先に ブレークダウンさせ、内蔵MOSFETを保護。 ドレイン・ソース間のアバランシェ耐量、サージ耐量が大幅に向上 しており、逆起電力回生用のフリーホイールダイオードが不要となります。 【特長】 ■内蔵MOSFETの逆耐圧より低い逆耐圧のツェナーダイオードを内蔵 ■過電流/電圧がドレインに印加された際にツェナーダイオードを先に ブレークダウンさせ、内蔵MOSFETを保護 ■ドレイン・ソース間のアバランシェ耐量、サージ耐量が大幅に向上 ■逆起電力回生用のフリーホイールダイオードが不要 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
静音・省メンテな搬送ラインを実現。発塵しにくい摩擦式コンベア
