イサハヤ電子の製品・サービス一覧

『VLB505-01R』は、3300V/750A クラスまでのSiCモジュールを直接並列駆動できる1回路入りゲートドライブユニットです。 アダプタ基板VLA595-04Rを使用する事で 三菱電機株式会社製LV100パッケージの並列駆動が容易となります。 【特長】 ■ゲート駆動用絶縁型DC-DCコンバータ内蔵 ■最大ゲート出力ピーク電流±36A ■絶縁耐圧6000Vrms/1分間 ■短絡保護回路内蔵 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

• 電源装置

『VLB506-01R』は、1700V/3600AクラスまでのIGBTモジュールを直接駆動できる1回路入りゲートアンプモジュールです。 【特長】 ■高密度実装が容易なSIP 構造 ■高絶縁耐圧デジタルアイソレータ内蔵 ■ゲート駆動用絶縁型 DC DC コンバータ内蔵 ■短絡保護回路内蔵（ソフト遮断機能付き） ■短絡検出抑制時間調整可能 ■最大ゲート出力ピーク電流 40A ■絶縁耐圧 4000Vrms/1 分間 ■入力信号はCMOS ロジック IC で動作可能（入力信号ハイアクティブタイプ） ■ゲート電源電圧VCC 低電圧ロックアウト機能 内蔵 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

• 電源装置

『VLA557-03R』は、3300V/600AクラスまでのIGBTモジュールを直接並列駆動できる1回路入りゲートドライブユニットです。 アダプタ基板VLA595-01Rを使用する事で三菱電機株式会社製 LV100パッケージの並列駆動が容易となります。 【特長】 ■ゲート駆動用絶縁型DC-DCコンバータ内蔵 ■最大ゲート出力ピーク電流±24A ■絶縁耐圧6000Vrms/1分間 ■短絡保護回路内蔵（ソフト遮断機能付き） ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

• 電源装置

『VLB517-01R』は、4.5kV/1500Aクラス、3.3kV/1800Aクラスまでの10.2kV絶縁耐圧IGBTモジュールを 直接駆動できる1回路入りゲートドライブユニットです。 【特長】 ■ゲート駆動⽤絶縁型DC-DCコンバータ内蔵 ■最⼤ゲート出⼒ピーク電流±40A ■絶縁耐圧10.2kVrms/1分間 ■短絡保護回路内蔵（ソフト遮断機能付き） ■信号⼊出⼒インタフェースは光ファイバー対応 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

• 電源

『VLB520-01R』は、薄型デュアルタイプIGBTモジュールに直接搭載可能なアダプタユニットです。 【特長】 ■薄型デュアルタイプIGBTモジュールに直接搭載可能 ■フレキシブルにゲート並列数を変更可能 ■Total Line length Adjustment Circuit (TLAC)内蔵で 　並列素子毎のゲート-エミッタトータル配線長を等長へ調整可能 ■ゲート配線処理が容易 ■ゲートドライブユニットとはハーネスで接続 ■サーミスタ用コネクタ内蔵 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

• LEDモジュール

『VLB521-01R』は、HV100タイプ HVIGBTモジュール並列接続用アダプタユニットです。 ゲートドライブユニット(VLB517-01R)とはハーネスで接続でき、 並列素子毎のゲート-エミッタトータル配線長を等長へ調整可能となる Total Line length Adjustment Circuit （TLAC）を内蔵しております。 【特長】 ■HV100タイプ IGBT モジュールに直接搭載可能 ■フレキシブルにゲート並列数を変更可能 ■ゲート配線処理が容易 ■サーミスタ用コネクタ内蔵 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

• 電源装置

当社で取り扱う、「大電流、高耐圧MOSFET」をご紹介します。 高速スイッチングが可能であり、LEDやモーターの駆動、Li-Ion充電制御、 DC-DCコンバータ、ロードスイッチなどのアプリケーションに好適。 LED、小容量のモーター駆動、DC-DCコンバータ、ロードスイッチ、 高速スイッチング、アナログスイッチ等の用途に適しています。 【特長】 ■高速スイッチングが可能 ■LEDやモーターの駆動、Li-Ion充電制御、DC-DCコンバータ、 　ロードスイッチなどのアプリケーションに好適 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

• DCモータ
• LEDモジュール
• トランジスタ

『INKEシリーズ』は、ドレイン・ソース間にツェナーダイオードが 接続(内蔵)されており、モーターやソレノイドドライブ時の 逆起電力からMOSFETを保護するツェナーダイオード内蔵型MOSFETです。 内蔵MOSFETの逆耐圧より低い逆耐圧のツェナーダイオードを内蔵する事で、 過電流/電圧がドレインに印加された際にツェナーダイオードを先に ブレークダウンさせ、内蔵MOSFETを保護。 ドレイン・ソース間のアバランシェ耐量、サージ耐量が大幅に向上 しており、逆起電力回生用のフリーホイールダイオードが不要となります。 【特長】 ■内蔵MOSFETの逆耐圧より低い逆耐圧のツェナーダイオードを内蔵 ■過電流/電圧がドレインに印加された際にツェナーダイオードを先に 　ブレークダウンさせ、内蔵MOSFETを保護 ■ドレイン・ソース間のアバランシェ耐量、サージ耐量が大幅に向上 ■逆起電力回生用のフリーホイールダイオードが不要 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

• ダイオード
• トランジスタ