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『RT8H060C』、『RT8H070C』は、電源・信号ラインの過電圧を検出するICとなります。 電源・負荷ラインを抵抗分圧した信号をICに入力し、過電圧を監視しております。 過電圧を検出すると異常を知らせる信号を出力します。 タイマー回路を内蔵しておりますので、過渡的な電圧上昇からの誤検出を防ぐことが可能です。 出力形式は、ラッチ形式を採用しており、一旦、過電圧を検出すると過電圧状態が解除されても、 異常を知らせる信号を出力し続けます。 異常検出状態を解除するには、電源の再投入、もしくは本製品にリセット信号を入力する必要がありますので、 安全に動作を再開させることが可能です。 過電圧を検出する電圧の値や、タイマー時間は本製品の外部で設定が可能ですので、 お客様の回路条件に応じて自由に設定できます。
『RT8H020C』は、電源・負荷ラインの過電流と過電圧の2つの異常状態を検出するICとなります。 過電流検出機能は、ICの外部に接続した電流検出用抵抗の両端の電圧値をモニターする事により、過電流状態を検出しております。 検出部にはヒステリシスを設けておりますので、誤検出対策も万全です。 過電圧検出機能は、検出対象の電圧を抵抗分圧し、その電圧値をモニターしております。 出力は、過電流検出信号・過電圧検出信号のOR出力となっており、どちらか一方でも異常を検出すると 異常を知らせる信号（Low）を出力します。 また、出力形式はオープンコレクタとなりますので、異なる電源系への入力（レベルシフト）も可能です。 過電流や過電圧の検出値は、IC外部に接続する抵抗で設定が可能ですので、お客様の回路条件に応じて自由に設定できます。
『RT8H010C』は、電源・負荷ラインの過電流を検出するICとなります。 電源・負荷ラインに電流検出用の抵抗を挿入し、その抵抗の両端の電圧差により過電流を監視しております。 過電流を検出すると異常を知らせる信号（High信号）を出力します。 タイマー回路を内蔵しておりますので、電源立ち上げ時の突入電流等の誤検出を防ぐことが可能です。 出力形式は、ラッチ形式を採用しており、一旦、過電流を検出すると、過電流状態が解除されても、 異常を知らせる信号を出力し続けます。 異常検出状態を解除するには、電源の再投入、もしくは本製品にリセット信号を入力する必要がありますので、 安全に動作を再開させることが可能です。 過電流を検出する電流の値や、タイマー時間は本製品の外部で設定が可能ですので、 お客様の回路条件に応じて自由に設定できます。
最大1500V入力に対応したDCDCコンバータです。 24V/200W出力タイプと280V/200W出力タイプの2種類の製品を、ご評価用サンプルとしてご準備しております。 ご評価用サンプルは、貸出可能です。 24V出力タイプ：VLA350-24200 280V出力タイプ：VLA349-280200 【特長】 ■DC800～1500Vのワイド入力に対応 ■入力-出力間4.4kVの高絶縁 ■入力多重構成により損失を低減 ■出力過電流保護機能内蔵 ■出力過電圧保護機能内蔵 ■カスタム対応可能 お客様のご要求に合わせて台数や接続構成を変更するなどカスタム対応が可能であり、容量UP版等のご検討も可能です！ ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
【このようなお悩みはございませんか】 ■標準電源ではオーバースペック、在庫管理が大変 ■自社だけで高機能な電源開発を完結できない ■インバータ・電源技術で製品の付加価値を高めたい ■希望する入力電圧範囲の製品が見つからない ■電源開発リソースを自社コア技術に割り当てたい ■周辺回路と連動した高機能な動作をさせたい イサハヤ電子のカスタム電源・カスタムインバータで解決いたします！ お客様のご要望に応じて、弊社の持つ電源技術を以て、お客様にとって最適な電源をご提案をさせていただきます。 お気軽にお問い合わせ下さい！
『VLB512-01R/VLB519-01R』は、三菱電機株式会社製RTC回路内蔵SiCMOSFETモジュール用ゲートドライブユニットです。 【特長】 ■シンプルで扱いが容易な2回路入りゲートドライブシステム ■モジュール内RTC回路に対応した短絡検出回路内蔵 ■短絡保護回路内蔵 ■MOSFET モジュールとはハーネスで接続 ■ゲート電源用絶縁型DC-DCコンバータ内蔵 ■出力ゲートピーク電流 +/-30A(max) ■絶縁耐圧 4000Vrms (1分間) 【仕様】 ＜VLB512-01R＞ ■ゲート出力パワー：最大10W ■基板サイズ：90×145mm ＜VLB519-01R＞ ■ゲート出力パワー：最大3.75W ■基板サイズ：80×130mm ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
『GAU220P-15402』は、1700V/1800AクラスまでのIGBTモジュールを 直接駆動できる2回路入りゲートドライブユニットです。 アダプタ基板VLA595-02Rを使用する事で三菱電機株式会社製 LV100パッケージの並列駆動が容易。 また、ゲート駆動用絶縁型DC-DCコンバータ内蔵で、 最大ゲート出力ピーク電流±20Aです。 【特長】 ■ゲート駆動⽤絶縁型DC-DCコンバータ内蔵 ■最⼤ゲート出⼒ピーク電流±20A ■絶縁耐圧4000Vrms/1分間 ■短絡保護回路内蔵(ソフト遮断機能付き) ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
『GAU240P-15405』は、1700V/3600AクラスまでのIGBTモジュールを 直接駆動できる2回路入りゲートドライブユニットです。 ゲート駆動用絶縁型DC-DCコンバータ内蔵。 アダプタ基板VLA595-02Rを使用する事で三菱電機株式会社製 LV100パッケージの並列駆動が容易です。 【特長】 ■ゲート駆動⽤絶縁型DC-DCコンバータ内蔵 ■最⼤ゲート出⼒ピーク電流±40A ■絶縁耐圧4000Vrms/1分間 ■短絡保護回路内蔵(ソフト遮断機能付き) ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
『VLB505-01R』は、3300V/750A クラスまでのSiCモジュールを直接並列駆動できる1回路入りゲートドライブユニットです。 アダプタ基板VLA595-04Rを使用する事で 三菱電機株式会社製LV100パッケージの並列駆動が容易となります。 【特長】 ■ゲート駆動用絶縁型DC-DCコンバータ内蔵 ■最大ゲート出力ピーク電流±36A ■絶縁耐圧6000Vrms/1分間 ■短絡保護回路内蔵 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
『VLB506-01R』は、1700V/3600AクラスまでのIGBTモジュールを直接駆動できる1回路入りゲートアンプモジュールです。 【特長】 ■高密度実装が容易なSIP 構造 ■高絶縁耐圧デジタルアイソレータ内蔵 ■ゲート駆動用絶縁型 DC DC コンバータ内蔵 ■短絡保護回路内蔵（ソフト遮断機能付き） ■短絡検出抑制時間調整可能 ■最大ゲート出力ピーク電流 40A ■絶縁耐圧 4000Vrms/1 分間 ■入力信号はCMOS ロジック IC で動作可能（入力信号ハイアクティブタイプ） ■ゲート電源電圧VCC 低電圧ロックアウト機能 内蔵 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
『VLA557-03R』は、3300V/600AクラスまでのIGBTモジュールを直接並列駆動できる1回路入りゲートドライブユニットです。 アダプタ基板VLA595-01Rを使用する事で三菱電機株式会社製 LV100パッケージの並列駆動が容易となります。 【特長】 ■ゲート駆動用絶縁型DC-DCコンバータ内蔵 ■最大ゲート出力ピーク電流±24A ■絶縁耐圧6000Vrms/1分間 ■短絡保護回路内蔵（ソフト遮断機能付き） ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
『VLB517-01R』は、4.5kV/1500Aクラス、3.3kV/1800Aクラスまでの10.2kV絶縁耐圧IGBTモジュールを 直接駆動できる1回路入りゲートドライブユニットです。 【特長】 ■ゲート駆動⽤絶縁型DC-DCコンバータ内蔵 ■最⼤ゲート出⼒ピーク電流±40A ■絶縁耐圧10.2kVrms/1分間 ■短絡保護回路内蔵（ソフト遮断機能付き） ■信号⼊出⼒インタフェースは光ファイバー対応 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
『VLB520-01R』は、薄型デュアルタイプIGBTモジュールに直接搭載可能なアダプタユニットです。 【特長】 ■薄型デュアルタイプIGBTモジュールに直接搭載可能 ■フレキシブルにゲート並列数を変更可能 ■Total Line length Adjustment Circuit (TLAC)内蔵で 並列素子毎のゲート-エミッタトータル配線長を等長へ調整可能 ■ゲート配線処理が容易 ■ゲートドライブユニットとはハーネスで接続 ■サーミスタ用コネクタ内蔵 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
『VLB521-01R』は、HV100タイプ HVIGBTモジュール並列接続用アダプタユニットです。 ゲートドライブユニット(VLB517-01R)とはハーネスで接続でき、 並列素子毎のゲート-エミッタトータル配線長を等長へ調整可能となる Total Line length Adjustment Circuit （TLAC）を内蔵しております。 【特長】 ■HV100タイプ IGBT モジュールに直接搭載可能 ■フレキシブルにゲート並列数を変更可能 ■ゲート配線処理が容易 ■サーミスタ用コネクタ内蔵 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
当社で取り扱う、「大電流、高耐圧MOSFET」をご紹介します。 高速スイッチングが可能であり、LEDやモーターの駆動、Li-Ion充電制御、 DC-DCコンバータ、ロードスイッチなどのアプリケーションに好適。 LED、小容量のモーター駆動、DC-DCコンバータ、ロードスイッチ、 高速スイッチング、アナログスイッチ等の用途に適しています。 【特長】 ■高速スイッチングが可能 ■LEDやモーターの駆動、Li-Ion充電制御、DC-DCコンバータ、 ロードスイッチなどのアプリケーションに好適 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
『INKEシリーズ』は、ドレイン・ソース間にツェナーダイオードが 接続(内蔵)されており、モーターやソレノイドドライブ時の 逆起電力からMOSFETを保護するツェナーダイオード内蔵型MOSFETです。 内蔵MOSFETの逆耐圧より低い逆耐圧のツェナーダイオードを内蔵する事で、 過電流/電圧がドレインに印加された際にツェナーダイオードを先に ブレークダウンさせ、内蔵MOSFETを保護。 ドレイン・ソース間のアバランシェ耐量、サージ耐量が大幅に向上 しており、逆起電力回生用のフリーホイールダイオードが不要となります。 【特長】 ■内蔵MOSFETの逆耐圧より低い逆耐圧のツェナーダイオードを内蔵 ■過電流/電圧がドレインに印加された際にツェナーダイオードを先に ブレークダウンさせ、内蔵MOSFETを保護 ■ドレイン・ソース間のアバランシェ耐量、サージ耐量が大幅に向上 ■逆起電力回生用のフリーホイールダイオードが不要 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
