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イサハヤ電子株式会社

設立1973年3月26日
資本金48597万
住所大阪府大阪市北区堂山町1-5(三共梅田ビル 9F)
電話06-4709-7218
  • 公式サイト
最終更新日:2025/06/17
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ゲートドライブユニット『VLB517-01R』

4.5kV/1500AクラスHVIGBTモジュール駆動可能!

『VLB517-01R』は、4.5kV/1500Aクラス、3.3kV/1800Aクラスまでの10.2kV絶縁耐圧IGBTモジュールを 直接駆動できる1回路入りゲートドライブユニットです。 【特長】 ■ゲート駆動⽤絶縁型DC-DCコンバータ内蔵 ■最⼤ゲート出⼒ピーク電流±40A ■絶縁耐圧10.2kVrms/1分間 ■短絡保護回路内蔵(ソフト遮断機能付き) ■信号⼊出⼒インタフェースは光ファイバー対応 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

  • 電源

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アダプタユニット『VLB520-01R』

薄型デュアルタイプIGBTモジュールに直接搭載可能!

『VLB520-01R』は、薄型デュアルタイプIGBTモジュールに直接搭載可能なアダプタユニットです。 【特長】 ■薄型デュアルタイプIGBTモジュールに直接搭載可能 ■フレキシブルにゲート並列数を変更可能 ■Total Line length Adjustment Circuit (TLAC)内蔵で  並列素子毎のゲート-エミッタトータル配線長を等長へ調整可能 ■ゲート配線処理が容易 ■ゲートドライブユニットとはハーネスで接続 ■サーミスタ用コネクタ内蔵 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

  • LEDモジュール

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アダプタユニット『VLB521-01R』

HV100タイプIGBTモジュールに直接搭載可能!

『VLB521-01R』は、HV100タイプ HVIGBTモジュール並列接続用アダプタユニットです。 ゲートドライブユニット(VLB517-01R)とはハーネスで接続でき、 並列素子毎のゲート-エミッタトータル配線長を等長へ調整可能となる Total Line length Adjustment Circuit (TLAC)を内蔵しております。 【特長】 ■HV100タイプ IGBT モジュールに直接搭載可能 ■フレキシブルにゲート並列数を変更可能 ■ゲート配線処理が容易 ■サーミスタ用コネクタ内蔵 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

  • 電源装置

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大電流、高耐圧MOSFET

高速スイッチングが可能!大電流、高耐圧MOSFETラインアップご紹介!

当社で取り扱う、「大電流、高耐圧MOSFET」をご紹介します。 高速スイッチングが可能であり、LEDやモーターの駆動、Li-Ion充電制御、 DC-DCコンバータ、ロードスイッチなどのアプリケーションに好適。 LED、小容量のモーター駆動、DC-DCコンバータ、ロードスイッチ、 高速スイッチング、アナログスイッチ等の用途に適しています。 【特長】 ■高速スイッチングが可能 ■LEDやモーターの駆動、Li-Ion充電制御、DC-DCコンバータ、  ロードスイッチなどのアプリケーションに好適 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

  • DCモータ
  • LEDモジュール
  • トランジスタ

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ツェナーダイオード内蔵型MOSFET『INKEシリーズ』

ツェナー内蔵によるサージ耐量UPと安定した高いアバランシェ耐量実現!

『INKEシリーズ』は、ドレイン・ソース間にツェナーダイオードが 接続(内蔵)されており、モーターやソレノイドドライブ時の 逆起電力からMOSFETを保護するツェナーダイオード内蔵型MOSFETです。 内蔵MOSFETの逆耐圧より低い逆耐圧のツェナーダイオードを内蔵する事で、 過電流/電圧がドレインに印加された際にツェナーダイオードを先に ブレークダウンさせ、内蔵MOSFETを保護。 ドレイン・ソース間のアバランシェ耐量、サージ耐量が大幅に向上 しており、逆起電力回生用のフリーホイールダイオードが不要となります。 【特長】 ■内蔵MOSFETの逆耐圧より低い逆耐圧のツェナーダイオードを内蔵 ■過電流/電圧がドレインに印加された際にツェナーダイオードを先に  ブレークダウンさせ、内蔵MOSFETを保護 ■ドレイン・ソース間のアバランシェ耐量、サージ耐量が大幅に向上 ■逆起電力回生用のフリーホイールダイオードが不要 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

  • ダイオード
  • トランジスタ

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