関東化学の製品・サービス一覧

『AURUM シリーズ』は、濡れ性が良く、高精細なバンプや配線形成プロセスにおいて優れた加工形状を実現した､液ライフの長いAu薄膜用エッチング液です。 【特徴】 ■エッチング残渣が少なく､高精細なパターニングが可能 ■シアン化合物を含まず、表面平滑性に優れる ■液ライフが長く､コストリダクションが可能 ■毒劇物、危険物、PRTR 規制対象物質に非該当 ■Al、Ni、Cr、Ti 等の異種金属に対する選択性が優れる ■Si、ガラスなどの基板にダメージを与えない 高精細向け高エッチングレート品…AURUM-304：約300nm/min(30℃) 高精細向け低エッチングレート品…AURUM-302：約100nm/min(30℃) をご用意しております。 ※詳細は弊社HP又は資料請求して頂くかダウンロードからPDFデータをご覧下さい

Cuめっき後のCu/Tiシード層エッチングに適しており、CuとTiを一括でエッチングすることも可能です。また、Cu表面の平滑性を損なわないため、伝送損失への影響が小さいです。 【特徴】 ■エッチング前の平滑さが損なわれない ■オーバーエッチングによる形状変化が小さい ※詳しくは、お気軽にお問い合わせ下さい。

『SEAシリーズ』は、LCD やOLED の反射電極､配線形成プロセスにおいて､微細加工可能なAg薄膜加工向けのエッチング液です。 【特徴】 ■低レート化により、μm オーダーの微細パターニングが可能 ■エッチング形状が良好 ■ポリ ITO 下地膜との選択性有 ■パドル、スプレー方式のエッチングに適用可能 ※詳細は弊社HP又は資料請求して頂くかダウンロードからPDFデータをご覧下さい

『混酸ITO-02』 は、FPD 製造プロセスにおける低抵抗ポリITO 電極等の高精細パターニングが可能なエッチング液です。 また、『ITO-301』は、Cuダメージを抑制し、低抵抗ポリITO電極等の構成パターニングが可能なエッチング液です。 【特徴】 ■低抵抗 ポリITO 膜のエッチング加工に使用可能 ■低温､短時間でポリ ITO 膜、アモルファスITO 膜のエッチングが可能 ■ガラス基板へのダメージがない ■型番により、Cuダメージの抑制が可能 ■希釈、調合が不要であり、そのままご使用可能 ※詳細は弊社HP又は資料請求して頂くかダウンロードからPDFデータをご覧下さい

『ITO-07N』 は､FPD製造プロセスにおけるアモルファスITO､IZO 等の高精細パターニングが可能な透明導電薄膜エッチング液です。 【特徴】 ■アモルファス ITO､IZO 等のパターニングに最適 ■サイドエッチングが少なく､高精細なパターンニングが可能 ■低発泡性で、破泡性に優れる ※詳細は弊社HP又は資料請求して頂くかダウンロードからPDFデータをご覧下さい

『混酸Alエッチング液』は、ガラスやSi 基板を侵すことなく、微細加工が可能なAl用エッチング液です。 Mo、Mo合金エッチング液としてもご使用いただけます。 【特徴】 ■希釈、調合不要であり、そのまま使用可能 ■ 毒劇物、危険物、PRTR 規制対象物質に非該当 ■ ガラス、Si 基板等へのダメージがない ■ エッチング形状の面内均一性が良好 ■ エッチング残渣がない ■ Al エッチングレート 約1,000Å/min.(30℃)

Al積層膜を一液で処理可能なエッチング液です。 これまでウェットエッチングが困難だったTi/Al/Ti積層膜にも適用が可能です。 【特徴】 ■Ti/Al/Ti積層膜やMo/Al/Mo積層膜を一括でエッチング可能 ■KSMF-100はMo/Al/Mo積層膜の他、Mo単膜やAl単膜の低テーパーエッチング液としても使用可能 ■KSMF-260はTi/Al/Ti積層膜のテーパーエッチングが可能 ※詳しくは、お気軽にお問い合わせ下さい。

CuやAu電極のバリア層や密着層の除去において、Tiの選択的なエッチングが可能です。 【特徴】 ■TI-8Aは各種金属との選択エッチングが可能であり、TiNやTiWのエッチング液としても使用可能 ■TI-101は過酸化水素水を使用せず、CuやAgとの選択エッチングが可能 ※詳しくは、お気軽にお問い合わせ下さい。

水晶振動子やMEMSセンサーなどの電極材料、フォトマスクに使われるCr薄膜に対応したエッチング液です。 【特徴】 ■サイドエッチングの少ないパターニングが可能 ■Cr-301はエッチングレートが極めて低いため、Cr膜の膜厚調整などに適しています。 ※詳しくは、お気軽にお問い合わせ下さい。

DRAMのキャパシタ電極やフォトマスクに使われるRu膜に対応したエッチング液です。 【特徴】 ■REC-01はRu膜を短時間でエッチングでき、RuO2もエッチング可能 ■REC-11はRuO4ガスの発生を抑制でき、ウェーハの金属汚染が少ない ■REC-11は数nm～のRu薄膜のエッチングに好適 ※詳しくは、お気軽にお問い合わせ下さい。