【仕様(抜粋)】 ■本体寸法(mm)：3300(W)×3105(D)×2200(H) (2チャンバー仕様) ■加熱方式：熱風循環方式 ■ヒータ：シーズヒータ ■使用温度範囲：70～450℃ ■均熱長(mm)：500 ■ウェーハサイズ(mm) 300 ■処理枚数：50枚/バッチ ■I/Oポート：2または4 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

• 加熱装置

【仕様(抜粋)】 ■本体寸法(mm)：1200(W)×1450(D)×2610(H) ■ヒータ：LGOヒータ ■均熱長(mm)：350～500 ■ウェーハサイズ(mm)：～Φ200 ■最大処理枚数：75枚 ■I/Oポート：4 ■カセットストック：4 ■ウェーハ搬送：枚葉 ■オプション：強制冷却システム、N2ロードロック、ウェーハサイズの兼用可能 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

• 加熱装置

【仕様】 ■使用温度範囲：600～1200℃ ■ウェーハサイズ：～6インチ ■使用ガス：N2、Ar、O2、H2 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

• その他半導体製造装置

【仕様】 ■本体寸法(mm)：1250(W)×4300(D)×3450(H) ■ヒータ：LGOヒータ ■均熱長(mm)：1040 ■ウェーハサイズ(mm)：300 ■最大処理枚数：100枚 ■I/Oポート：2 ■FOUPストック：16(標準) ■ウェーハ搬送：枚葉+5枚一括 ■オプション：強制冷却システム、N2ロードロック、HOST通信(HSMS/GEM) ■処理品：シリコン、IGBT、ポリイミド、薄ウェーハ ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

• 加熱装置

【その他の特長】 ■C to C搬送を備え、高スループットを実現 ■H2雰囲気でのトレンチラウンド化アニールに対応(オプション) ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

• アニール炉

各種雰囲気下での加熱処理を用意に行えるコンパクトサイズの真空パージ炉です。真空パージにより炉内雰囲気の置換時間を短縮できます。 【特長】 ◆各種雰囲気下での加熱処理が可能 ◆還元雰囲気（水素ガス）炉としても対応可能 ◆ヒーターのメンテナンスが用意 ◆インコネルマッフルを装備 ◆常用使用温度範囲は４００℃〜１０００℃

• 電気炉

枚葉式のＩＲ炉です 【特長】 ◆ハイレベルなクリーン度 自己発塵の無いクリーンな構造により、高いクリーン性能を持っております。またシビアなクリーン環境を求められるアレイ基板の処理にも対応可能です。 ◆高い加熱効率 加熱効率に優れた、遠赤外線（ＩＲ）加熱方式を採用しており、あらゆる膜厚に対し高効率な処理が可能です。配向膜やパッシベーション膜など厚い膜の処理に最適です。 ◆優れた温度均一性 温度均一性にすぐれたＩＲパネルヒータを採用。第１０世代などの大型基板に対しても、均一な加熱を行うことができます。 ◆雰囲気処理が可能 炉内に窒素ガスを導入し低酸素濃度での加熱処理が可能です。

• 電気炉

Φ３００ｍｍに対応した縦型の拡散炉です。 【特長】 ◆オペレータフレンドリーな自社開発新型コントローラ搭載 ◆無駄のない全自動搬送システム ◆高機能制御システム ◆高性能ＬＧＯヒータ搭載

• 酸化/拡散装置