当社では、PKG開発、実装工法開発、実装＆検査装置開発、材料開発等の 評価用標準『TEG Wafer』をご用意しております。 お客様のご用途に合わせたTEGウェハ（チップ）作製も承ります。 また、基板サイズΦ300mm（12インチ）でのご提供も開始しました。 【標準TEG Wafer(TEG-A)】 ■Pad config：Area ■Baseschip size：□10mm ■Al pad size：100μm ■pad geometric：round ■Passivation opening：40μm ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

• 加工受託
• 基板検査装置

当社では、短パルスレーザーによる高硬度・高脆性材への非熱・微細加工を 行っています。 資料では、当社の得意とする短パルスレーザーの加工例を掲載。 高硬度、高脆性材や金属へ熱影響の非常に少ない加工が特長です。 また、熱影響による基材の変形が極少の為、高密度の穴あけが可能です。 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

• 加工受託

当社では、ホールパターン、ラインパターン50nm以下の超微細パターン付き Ni及び石英モールドをご提供します。 また、半導体レーザー技術によりサブミクロンオーダーのラインやピラー パターンのモールド作成ができます。ぜひご相談ください。 【概要】 ■Niモールド 　・Ni電鋳による微細金型 　・ホール、ピラー、ラインパターンなど50nm以下の微細モールドの 　　提供が可能 ■石英モールド 　・UV転写用に石英モールドの提供が可能 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

• 加工受託

当社では、お客様のニーズにお答えし、UV式転写/熱式転写/成型 受託サービスを 行っています。 お客様の御要望に合わせた転写材料(樹脂・レジストets)に転写/成型 を 行います。 ナノインプリント技術導入可否の御検討に、装置導入前の評価、ナノイン プリント技術の基礎実験や初期ご検討にお役立て下さい。 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

• 加工受託

当社では、ステルスダイシングの受託加工サービスを行っています。 「ステルスレーザーダイシング」は素材の内部に局所的にレーザー加工を 行い、エクスパンドにより基板を分割する技術です。 ウェーハ表面に損傷を与えず内部のみを割断するため、チップ裏面の チッピングは極小に抑えられます。また、完全ドライプロセスの為、 水分を嫌うデバイスやコンタミネーション防止などに適した加工技術です。 【特長】 ■対応サイズ：φ2～φ8インチ ■少量から対応可能 ■薄si ウェハの切断がとくに有効 ■高速切断が可能 ■スループットの向上&歩留まりの向上 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

• 基板加工機
• 表面処理受託サービス

『Mini-Lab』は、当社とリソグラフィー研究開発の実績を持つ リソテックジャパン株式会社が共同で立ち上げたサービスです。 IC・MEMSの実験に適した超小型の実験装置を安価で即稼働できるよう ご提案。全工程の小型装置を取り扱っております。 大型実験装置レベルの機能を有し、コンパクトで高性能な小型装置を取り 揃え、安価・小型化・高性能・短納期をモットーに研究費削減の逆風に 立ち向かいます。 【特長】 ■全工程の小型装置の提供 ■サプライ製品も品揃え ■Miniクリーンルーム設備も ■コンパクトで高性能な小型装置を多数ラインアップ ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい

• コーター
• エッチング装置
• 基板加工機

アシストナビでは『Wafer Level 各種めっき受託加工サービス』を承っております。 「再配線形成・BUMP加工」「TSV(through-slicon via)加工」 「無電解めっき(UBMメッキ)」などの加工は当社へお任せください。 【再配線形成・BUMP加工】 <主な加工サービス> ■Cuめっき再配線加工(Line＆Space 10μm/10μm) ■BUMP加工：Cu、Ni、Au、半田 (Sn-Ag. Sn-Ag-Cu)低融点半田 等 ■N電鋳 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

• 加工受託

当社の『PE-TEOS膜 厚膜形成サービス』は、薄膜～20μm以上の厚膜の 形成ができ、膜付・加工途中基板や化合物半導体ウェーハ、セラミック 基板等の投入が可能です。 平行平板型により小片やチップ等も投入ができ、サイズは8インチφまで。 少量から対応いたします。 【特長】 ■膜付・加工途中基板や化合物半導体ウェーハ、セラミック基板等の投入が可能 ■ハードマスクとして使用できる ■平行平板型により小片やチップ・角型基板の投入が可能 ■MEMS構造体の保護膜としても使用可能 ■小片、チップ、角型基板も切断可能 ■接合・貼り合わせの用途にも ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい

• その他加工機械

当社では、ダミー用、モニター用、ソーラー用のシリコン（Si）ウエーハを 徹底した品質管理のもと、高品質でご提供します。 2インチから12インチφに対応し、特殊サイズも可能です。素材及び加工を 安価・短納期にて販売します。 また、熱酸化膜加工も承ります。 各種（PVD、CVD装置による）膜付ウエーハもお問合せください。 【特長】 ■2インチ～12インチφ対応 ■少量でも対応可 ■徹底した品質管理のもと、高品質ウエーハを提供 ■素材及び加工を安価・短納期にて販売 ■熱酸化膜加工も可能 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

• その他金属材料

『スパッタリングコーティング(成膜)サービス』は、低音高速マグネトロン スパッタを利用したアシストサービスです。 試作装置・大型装置にて研究開発/試作/量産をアシストします。 各種CVD・EB蒸着・イオンプレーティングも承ります。 立会作業も別途ご相談下さい。 【特長】 ■低音高速マグネトロンスパッタの利用が可能 ■３カソード方式で３層まで同一真空内で積層可能 ■基板加熱300度まで可能 ■基板の材質･形状に関わらず投入可能 ■膜付・パターン付など加工済基板の投入も可能 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

• 加工受託

当社では、機械研削研磨/バックグラインド(BG)から最終平坦化の CMPまでの研磨が可能です。 満足な研磨速度が得られない、スクラッチが多い、プロセスマージンが 狭い、選択比が欲しい等の時にご活用下さい。 ステンレス・鋼板の電解研磨も可能です。 外形のサイズダウンやべべリングもお気軽にご相談ください。 バックグラインド(BG) 加工及びバックラップ加工も承ります。 【特長】 ■対応サイズ：2インチφ～12インチφ ■ご要望、アプリケーション、加工条件に合わせた製品開発が可能 ■豊富なラインナップで研磨対象物と加工プロセスに合致したスラリーを提供 ■CMPスラリーをユーザー様ごとに改良または設計し、加工を提供 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい

• 加工受託

当社の『パターニング加工』では、8,12インチデバイスライン、MEMS デバイスライン、6インチ以下デバイス試作ラインにて各プロセスの加工を アシストする受託ファンドリーサービスを行っています。 半導体素子、MEMS構造、めっき、エッチング（Deep-RIE、Dry＆Wet)用の レジストパターニングの手法としてアライナー、ステッパー、EBでの 露光・現像が可能です。 また、ポジ型、ネガ型、ドライフィルム、薄膜、厚膜用各種レジストを 所有し、ポリイミドのパターニングも可能です。 【代表的な加工プロセス】 ■スパッタ ■蒸着 ■CVD ■CMP研磨 ■Deep-RIE＆ICP　など ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい

• 加工受託

研究開発・試作・実験・外注量産のパターニング加工サービス専門会社、 アシストナビ社の『パターニング加工』ご案内です。 【特長】 ■Large-wafer Foundry 8,12インチデバイスラインにて各プロセスの加工をアシストします。 <代表的な加工設備> ・スパッタ・ＣＶＤ ・ＫｒＦ／ＡｒＦ露光、イオン注入、CMP等 ■MEMS-wafer Foundry MEMSデバイスラインにて各プロセスの加工をアシストします。 <代表的な加工設備> ・スパッタ・ＣＶＤ ・ＫｒＦ／ＡｒＦ露光、イオン注入、CMP等 ■Small-wafer Foundry 6インチ以下デバイス試作ラインにて各プロセスの加工をアシストします。 <代表的な加工設備> ・スパッタ・ＣＶＤ ・ＫｒＦ／ＡｒＦ露光、イオン注入、CMP等 ※その他機能や詳細については、カタログダウンロード もしくはお問い合わせ下さい。

• 旋盤