「SiC基板の特性とメタライズの必要性」を技術トレンドキーワードに追加しました。

SiC(炭化ケイ素)基板は、半導体材料として高い耐熱性、広いバンドギャップ、高い絶縁破壊電界強度などの特性を持ち、特にパワーエレクトロニクス分野で重要視されています。その優れた物理的特性により、SiC基板は高電圧・高温環境でのデバイス用途に適しており、従来のSi基板に比べて大幅なエネルギー効率向上が期待できます。ゆえにTEGチップなどのテストチップ関連においても利用が拡大中です。
1)SiC基板の主な特性
2)GaN(窒化ガリウム)との比較
3)SiC基板へのメタライズの必要性
まとめ
続きは当社HPよりご確認ください。

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