加熱装置の製品一覧
- 分類：加熱装置
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【重量物の取り扱いによる作業負担を軽減！】お客様の課題を解決した導入事例5選を収録！ワークに応じた無料相談、テストも受付中！
- その他搬送機械
2024/4/10（水）～2024/4/12（金）名古屋 ものづくり ワールド 2024出展のご案内
三和式ベンチレーター株式会社は、ポートメッセなごやで開催される 2024ものつくりワールド（名古屋）に出店いたします。 弊社も大型冷風機、涼暖ビエントの展示をおこないます。 日時：2024/4/10～2024/4/12 開場：AM10:00~ 場所：名古屋ポートメッセ（第１展示会場） ※弊社ブース：19-1 お時間が御座いましたら、ご来場頂ければ幸いです。
【2026年9月9日(水)～9月11日(金)】『THERMOTEC 2026 第9回 国際工業炉・関連機器展』出展のご案内
株式会社成田製作所は、東京ビッグサイトにて開催される 『THERMOTEC 2026 第9回 国際工業炉・関連機器展』に、 NARITAグループとして出展いたします。 本展は「環境・熱・未来 ～ともに考えよう 高効率な熱技術と 持続可能な未来～」をテーマに、先進の工業炉・熱技術が一堂に 会する国際展示会です。 当社では、コンパクト型バリアブル コントロール弁をはじめ、 オリフィスメータ、ニードルバルブといった水素でも使用可能な 3製品の展示を予定しております。 皆様のご来場を心よりお待ちしております。
【2026年9月9日(水)～9月11日(金)】『THERMOTEC 2026 第9回 国際工業炉・関連機器展』出展のご案内
株式会社成田製作所は、東京ビッグサイトにて開催される 『THERMOTEC 2026 第9回 国際工業炉・関連機器展』に、 NARITAグループとして出展いたします。 本展は「環境・熱・未来 ～ともに考えよう 高効率な熱技術と 持続可能な未来～」をテーマに、先進の工業炉・熱技術が一堂に 会する国際展示会です。 当社では、コンパクト型バリアブル コントロール弁をはじめ、 オリフィスメータ、ニードルバルブといった水素でも使用可能な 3製品の展示を予定しております。 皆様のご来場を心よりお待ちしております。
【2026年9月9日(水)～9月11日(金)】『THERMOTEC 2026 第9回 国際工業炉・関連機器展』出展のご案内
株式会社成田製作所は、東京ビッグサイトにて開催される 『THERMOTEC 2026 第9回 国際工業炉・関連機器展』に、 NARITAグループとして出展いたします。 本展は「環境・熱・未来 ～ともに考えよう 高効率な熱技術と 持続可能な未来～」をテーマに、先進の工業炉・熱技術が一堂に 会する国際展示会です。 当社では、コンパクト型バリアブル コントロール弁をはじめ、 オリフィスメータ、ニードルバルブといった水素でも使用可能な 3製品の展示を予定しております。 皆様のご来場を心よりお待ちしております。
【2026年9月9日(水)～9月11日(金)】『THERMOTEC 2026 第9回 国際工業炉・関連機器展』出展のご案内
株式会社成田製作所は、東京ビッグサイトにて開催される 『THERMOTEC 2026 第9回 国際工業炉・関連機器展』に、 NARITAグループとして出展いたします。 本展は「環境・熱・未来 ～ともに考えよう 高効率な熱技術と 持続可能な未来～」をテーマに、先進の工業炉・熱技術が一堂に 会する国際展示会です。 当社では、コンパクト型バリアブル コントロール弁をはじめ、 オリフィスメータ、ニードルバルブといった水素でも使用可能な 3製品の展示を予定しております。 皆様のご来場を心よりお待ちしております。
高耐熱・低熱膨張のカーボン特性を活かした熱処理用グラファイト製部品！【ご要望に合わせた素材や加工をご提案！】
- 加熱装置
高真空仕様の加熱マイクロプローバ！加熱温度は最大500℃で、10mm形状の サンプル加熱に対応します！
- 加熱装置
有機蒸着源〜800℃、金属蒸着源〜1500℃、真空用 高温加熱セルとしても使用できる高性能真空蒸着ソースです。
- 蒸着装置
- 加熱装置
- 電気炉
ウエハーアニール装置【nanoANNEAL】Max1000℃ APC自動圧力制御 MFC x3系統 Φ4〜6inch基板対応
Max1000℃、MFC最大3系統、APC圧力制御、4"〜最大6"基板対応、 高真空アニール装置（<5 × 10-7 mbar） [nanoANNEAL]は、ウエハー等の基板を安定したプロセス雰囲気にて高温熱処理が可能な研究開発用アニール装置です。 高真空水冷式SUSチャンバー内に設置した加熱ステージにより最高1000℃までの高温処理が可能です。チャンバー内にはヒートシールドが設置されインターロックにて安全を確保。マスフローコントローラは最大3系統まで増設が可能、精密に調整されたプロセスガス圧力での焼成作業が可能です（APC自動プロセス制御システムオプション）。 又、フロントビューポート、ドライスクロールポンプ、特殊基板ホルダー、熱電対増設、などオプションも豊富。 チャンバー内加熱ステージは、プロセスガス雰囲気・処理温度により３種類のバリエーションがあります。 ・ハロゲンランプヒーター：Max500℃ ・C/Cコンポジットヒーター：Max1000℃（真空中、不活性ガスのみ） ・SiCコーティングヒーター：Max1000℃（真空、不活性ガス、O2）
Φ6〜8inch超高温ウエハーアニール装置 研究開発から小規模生産まで多目的に幅広く対応するハイパフォーマンス機
- アニール炉
- 加熱装置
- 電気炉
4元マルチスパッタ装置 【MiniLab-S070】
Φ2inchカソード x 4搭載 同時成膜：3元同時成膜（RF150W or DC780W）+ HiPIMS（PulseDC 5KW） x 1 プラズマリレーSWでHMI画面より自在に4カソードへの電源分配・配置設定の変更が可能 MFC x 3系統（Ar, O2, N2）反応性スパッタリング RIEエッチングステージRF150W（メインチャンバー） + <30Wソフトエッチング（LLチャンバー） 基板加熱：Max500℃, 800℃, 又は1000℃（C/C、又はSiCコート） 基板回転・上下昇降（ステッピングモーター自動制御） APC自動制御：アップストリーム（MFC流量調整）又はダウンストリーム（排気側バルブ自動開度調整） デポレート・膜厚レート制御 寸法：1,120(W) x 800(D) ●抵抗加熱蒸着・有機材料蒸着・EB蒸着・PECVDなどの混在仕様も構成可能です。
真空用 高温るつぼ加熱ヒーター。有機蒸着源 800℃、金属蒸着源 1500℃、としても利用できるバーサタイルなヒーターユニット
- 蒸着装置
- 加熱装置
- 電気炉
ウエハーアニール装置【nanoANNEAL】Max1000℃ APC自動圧力制御 MFC x3系統 Φ4〜6inch基板対応
Max1000℃、MFC最大3系統、APC圧力制御、4"〜最大6"基板対応、 高真空アニール装置（<5 × 10-7 mbar） [nanoANNEAL]は、ウエハー等の基板を安定したプロセス雰囲気にて高温熱処理が可能な研究開発用アニール装置です。 高真空水冷式SUSチャンバー内に設置した加熱ステージにより最高1000℃までの高温処理が可能です。チャンバー内にはヒートシールドが設置されインターロックにて安全を確保。マスフローコントローラは最大3系統まで増設が可能、精密に調整されたプロセスガス圧力での焼成作業が可能です（APC自動プロセス制御システムオプション）。 又、フロントビューポート、ドライスクロールポンプ、特殊基板ホルダー、熱電対増設、などオプションも豊富。 チャンバー内加熱ステージは、プロセスガス雰囲気・処理温度により３種類のバリエーションがあります。 ・ハロゲンランプヒーター：Max500℃ ・C/Cコンポジットヒーター：Max1000℃（真空中、不活性ガスのみ） ・SiCコーティングヒーター：Max1000℃（真空、不活性ガス、O2）
PVD、CVDなどの薄膜実験用基板加熱ヒーター均一性・昇温特性・制御性に優れたヒーターです。RF/DCバイアス仕様も可能。
- 加熱装置
◆nanoANNEAL◆ ウエハーアニール装置
Max1000℃、MFC最大3系統、APC圧力制御、4"〜最大6"基板対応、 高真空アニール装置（<5 × 10-7 mbar） [nanoANNEAL]は、ウエハー等の基板を安定したプロセス雰囲気にて高温熱処理が可能な研究開発用アニール装置です。 高真空水冷式SUSチャンバー内に設置した加熱ステージにより最高1000℃までの高温処理が可能です。チャンバー内にはヒートシールドが設置されインターロックにて安全を確保。マスフローコントローラは最大3系統まで増設が可能、精密に調整されたプロセスガス圧力での焼成作業が可能です（APC自動プロセス制御システムオプション）。 又、フロントビューポート、ドライスクロールポンプ、特殊基板ホルダー、熱電対増設、などオプションも豊富。 チャンバー内加熱ステージは、プロセスガス雰囲気・処理温度により３種類のバリエーションがあります。 ・ハロゲンランプヒーター：Max500℃ ・C/Cコンポジットヒーター：Max1000℃（真空中、不活性ガスのみ） ・SiCコーティングヒーター：Max1000℃（真空、不活性ガス、O2）
【ホットウオール式熱CVD装置】基礎研究に最適なコンパクトサイズ高性能CVD装置
- CVD装置
- アニール炉
- 加熱装置
◆nanoANNEAL◆ ウエハーアニール装置
Max1000℃、MFC最大3系統、APC圧力制御、4"〜最大6"基板対応、 高真空アニール装置（<5 × 10-7 mbar） [nanoANNEAL]は、ウエハー等の基板を安定したプロセス雰囲気にて高温熱処理が可能な研究開発用アニール装置です。 高真空水冷式SUSチャンバー内に設置した加熱ステージにより最高1000℃までの高温処理が可能です。チャンバー内にはヒートシールドが設置されインターロックにて安全を確保。マスフローコントローラは最大3系統まで増設が可能、精密に調整されたプロセスガス圧力での焼成作業が可能です（APC自動プロセス制御システムオプション）。 又、フロントビューポート、ドライスクロールポンプ、特殊基板ホルダー、熱電対増設、などオプションも豊富。 チャンバー内加熱ステージは、プロセスガス雰囲気・処理温度により３種類のバリエーションがあります。 ・ハロゲンランプヒーター：Max500℃ ・C/Cコンポジットヒーター：Max1000℃（真空中、不活性ガスのみ） ・SiCコーティングヒーター：Max1000℃（真空、不活性ガス、O2）
