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スラブ結合光導波路レーザの解析ツール
クラマース・クローニヒの方程式を用いた屈折率変化のメカニズムの温度依存や自由電子/プラズマモデルが妥当な結果を与える。LASTIPはLASTIPはSCOWLタイプの高出力レーザーにおいて横モードの振舞いの正確な見積を提供する。長い共振器のようなさらに踏込んだ解析には、軸方向空間ホールバーニング(longitudinal spatial hole burning)と端面光ダメージ効果(facet optical damage effect)を考慮する必要があるためPICS3Dを推奨。
量子カスケードレーザの解析ツール
サブバンド構造計算(subband structure calculation)により、発光波長(emission wavelength)やミニバンドアライメント(miniband alignment)などのQCL(quantum cascade laser)の基本的なデザインが可能。微視的なレート方程式モデル(microscopic rate equation model)は、ローカル電流(local current)と光子密度(photon density)のような光利得(optical gain)を容易に生成。巨視的なQCLシミュレーションにおいて、電子を電極から多重量子井戸(MQW)に注入し、多重量子井戸(MQW)から電極に収集。100-1000Aの平均自由行程(mean-free-path)を持つ非局所的(non-local)な電流注入モデル(currentinjectionmodel)を提案。
半極性のInGaN半導体レーザの解析ツール
結晶座標系、ひずみや応力などを考慮したモデリングのアプローチを紹介。LASTIPでの2次元計算を例に、内部電場を伴わない光利得(optical gain)など半極性と非極性とc面(c-plane)で比較。結晶成長方向を考慮したウルツ鉱型MQWデバイスに対するk.p.理論に基づいたモデルはAPSYS、LASTIPとPICS3Dに搭載。
多モード光干渉導波路半導体レーザの3次元解析ツール
多モード光干渉導波路(MMI: Multimode Interference)半導体レーザの発光特性、電気特性と熱解析のシミュレーション。物理モデルを紹介。マスク作成から3次元シミュレーションまでシミュレーションの手順を解説。MMIデバイスのデザインにおいて考慮すべき点を説明。
CMOSイメージセンサー3D解析ツール
クロスライトのTCADや3Dシミュレーションの特徴を紹介。また、3D構造を構築するためのツールであるMaskEditorやSemiCrafterの特徴を説明。実際シミュレーションを行うためにCMOSイメージセンサー(CMOS Image Sensor)のプロセスの概要を示し、各ステップ毎の作業を解説。
量子井戸型赤外線センサーの自己無撞着モデルによる解析ツール
クロスライトのAPSYSはQWIP(Quantum Well Infrared Photodetectors)デバイスの解析に対して総合的な物理モデルを提供可能。そしてモデルの妥当性は実験結果と比較して十分にリーズナブルである。移動拡散理論(drift-diffusion theory)に対する非局所的な量子補正はQWIPの性質における光電流(photo-carrier extraction)を説明するのに必要。
ナノワイヤーMOSFETの非平衡グリーン関数計算による解析ツール
ナノワイヤーMOSFETを解析するための物理モデルの特徴を紹介。シミュレーション効率を最大限に引き出すために円柱座標系を使用。チャネル領域にはNEGF(Non-Equilibrium Green's Function)を使いその他の領域には通常の移動拡散(DD: drift-diffusion)を利用したハイブリッドなアプローチ。NEGFに量子とじこめと量子バリスティック電子輸送を含むサブバンドの柔軟な選択。他の全ての移動拡散方程式を合わせたNEGF方程式の自己無撞着解。
SOI FinFETの3D解析ツール
SOI FinFETのシミュレーションフローとそこで使われるツールの概要を説明。プロセスシミュレーターCSupreによる3Dプロセスシミュレーション例を紹介。プロセスシミュレーションで作った構造データをもとに、デバイスシミュレーターAPSYSにおいて量子閉じ込めや酸化層の溶け込みや量子バリスティック電流輸送モデルなどのFinFETのモデリングの特徴とその解析例を紹介。
MOSFETにおける3Dシミュレーション効果の解析ツール
STI(shallow trench isolation)閉じ込めMOSにおいて、SiO2/Siインタフェース分離により、幅方向にドーパント拡散が起こる。HV(high voltage) MOSFETにとって、3D拡散(diffusion)と狭ゲート(narrow gate)サイドフィールドは閾値電圧Vthを幅を減らすかのように低い方へシフト。ナノMOSFETの典型的なプロセスフローでは、W>0.1 umの幅を減少しVthが増加。方形トレンチ(square-trenched) UMOSでは、四角サイズが減らすかのように、幾何学的および3D拡散の効果は低い方へVthをシフト。
MOSFETの基板電流解析ツール
プロセスシミュレーターCSupremでNMOS(N-channel MOSFET)のモデリング例を紹介。CSupremデバイスシミュレータAPSYSによる特性解析を例示。また、鐘型曲線(Bell Bell-shaped curves)の基板電流(substrate current)特性をシミュレーションから得、実験結果と比較。
ひずみ持ったMOSFETの量子井戸の解析ツール
クロスライトの半古典的な量子サブバンド平均化バレー移動度モデル(semi-classical quantum subband valley-averaged mobility model)は、バレー分裂(valley splitting)と異方性(anisotropy)を考慮。平均化されたサブバンドの状態密度(density of states)と移動度(mobility)を用て量子補正(quantum corrections)をした移動拡散方程式(drift-diffusion equations)の自己無撞着解(self-consistent solution)が可能。様々な応力や結晶方向のひずみを持つシリコンMOSFETの特性が予測可能。
回路とデバイス混在のシミュレーション
回路(SPICE)とデバイスを混在してシミュレーションを行うクロスライトのミックスモードを紹介。回路とデバイス混在シミュレーションのしくみの概略説明。IGBTデバイスを題材にミックスモードの実行と結果解析の例を紹介。
電界吸収変調器の解析ツール
フランツ・ケルディッシュ効果(Franz-Keldysh effect)を使って導波路型変調器(Waveguide modulator)をAPSYSによってシミュレート。多体(manybody)計算から得られた双極子行列要素で向上、実験結果に極めて一致。実験結果を再現するには自由電子理論(Free-carrier theory)だけでは不十分。電場(electric field)、吸収(absorption)および伝達(transmission)におけるシミュレーション結果は実験結果によく一致。
GaN基板デバイスの光特性に対する結晶方位の影響を解析するツール
結晶方位(crystal orientation)と分極(polarization)について解説。任意の結晶方位での量子井戸(QW)を解析するためのk.p.法(k.p. method)など、結晶方位の影響を探るための物理モデルの紹介。異なる結晶方位での光利得(optical gain)、c-planeとm-planeでの結晶方位の影響の比較、有限要素シミュレーション(finite-element simulation)による半導体レーザーダイオード(LD)性能の比較などInGaN/GaN QWを題材にその結果を例示。
ヘテロ接合に対するトンネル効果のモデルによる解析ツール
量子トンネリング(quantum tunneling model)モデルは高ドーピングレベル(high doping level)においてキャリア輸送(carrier transport)への影響を無視できない。アルミ(Al)組成割合変化(composition grading)は、ポテンシャル障壁(potential barrier)の平坦化によって擬似的な量子トンネル効果(mimic quantum tunneling effect)が可能。ただし、アルミ(Al)組成割合変化の距離選択が重要。十分に多く内部にメッシュポイント(internal extra mesh point)を追加することで、組成割合変化と同様の効果をもたらす。量子トンネリングモデルはキャリア輸送の量子力学強化に最も信頼できる方法である。
クロスライトのAPSYSによるFDTD計算
クロスライト独自の2D/3D FDTDシミュレーターを開発。クロスライトのデバイスシミュレーターと直結可能。Phythonを利用したスクリプト作成・処理が可能。GUIから全ての操作をコントロール可能。物質の分散は様々な分散モデルにより提供。PBCおよびUPML/CPML吸収境界条件を装備。並列計算による処理の加速は、MPI並列処理またはGPUデータ並列が利用可能。
CSupremにおける物理モデル
イオン注入(ion implantation), 蒸着(deposition)、エッチング(etching)、拡散(diffusion)、酸化(oxidation)に対する物理モデルをベースに様々な半導体構造の1次元、2次元および3次元のプロセスシミュレーションが可能。IC製造工程の研究開発コストをコントロールするのに欠くことのできない信頼のある正確なシミュレーションツール。デバイスシミュレーターのためのドーピングプロファイル(doping profile)を出力可能。
GaNおよびIII族窒化物にpドーピングを行うプロセス解析ツール
有機金属気相成長法(MOCVD)のプロセスシミュレーターPROCOMシミュレーションでp-タイプ伝導率の問題に取組む。膜成長中のMg取込みをコントロールするのが重要。シミュレーションは複雑なドーピングプロセスおよびMOCVDプロセスの最適化を補助。異なるタイプのアクセプターも本ソフトウェアによってシミュレーション可能。
汎用2D/3D半導体デバイスシミュレータAPSYSのオプション群を説明
半導体デバイスシミュレータAPSYSの様々なオプションや物理モデルについて紹介。
2D/3Dのプロセスシミュレータとデバイスシミュレータを統合したクロスライト社のTCAD。無料試用版あり！
■下記YoutubeにてNovaTCADによるシミュレーションの自動処理の動画を公開中！ ■試用版のご希望は「試用版お申込フォーム」から （製品の詳細については、製品紹介の資料をご覧ください）
軽量3DフォーマットXVLで機構検証のフロントローディングを実現
『XVL Kinematics Suite』は、大規模な設備/装置の機構動作・ 動的干渉検証を3Dで実現するメカシミュレーターです。 当製品は、設備/装置立上げ時のトラブル要因である、動作を考慮したメカの 形状の問題と、メカ・制御設計のコミュニケーション不足による問題を 早期に解決し設備/装置設計のフロントローディングを実現します。 また、簡単な機構要素の設定と機構プレビューによる 動作確認（複数軸の角度付け）ができます。 【特長】 ■大規模な設備/装置の機構動作・動的干渉検証を3Dで実現 ■設備/装置立上げ時のトラブル要因を早期に解決 ■簡単な機構要素の設定と機構プレビューによる動作確認ができる ■複雑なリンク機構も簡単な軸定義で動作 ■干渉発生時の位置・姿勢を出力する事も可能 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
VR技術を用いた今までにない全く新しい塗装教育システム
当社の「VRスプレー塗装シミュレーター」は、ヘッドマウントディスプレイをかぶり、付属のスプレーガンを握ることで、VR(Virtual Reality:仮想現実)空間にて現実に近い状況下での塗装トレーニングが可能となります。 それにより人件費、塗料費、ブース使用費、パネル材料費などのコストを大幅に削減できます。またVRでの塗装トレーニング後は、軌道分析ツールによる客観的なフィードバックや、塗装技術をスコアリングするなど詳細なパフォーマンス分析でより効率的な塗装教育を行うことができます。 若手塗装工の苦手作業克服や、新人の技術基盤構築に最適なシステムです。
物理演算シミュレーションを簡単＆楽しくはじめよう！
Go Simulation!は三次元の物理演算を使用したロボットシミュレータです。３Dモデルデータの作成やモーションの作成は勿論、オリジナルロボットを作ってバトル対戦などのゲーム機能もついておりますので、プロの方はもちろんアマチュアの方にも 楽しんで頂けるソフトとなっております。 サンプルデータも充実しているので初心者の方でもインストール後すぐにロボットのシミュレーションが可能です。
【技術資料】『実験と解析をつなぐ車両運動モデルとドライビングシミュレータ 』
車両運動モデルと、リアルタイムシミュレーション技術の最高峰であるドライビングシミュレータのご紹介
Ferrari、VOLVOで採用！車両運動性能評価・操縦安定性・乗り心地・制御開発を追求します！
本資料は、2014年5月23日(金)に開催しました「人とくるまのテクノロジー展2014」内『ワークショップ』で講演した際にご紹介した資料です。 近年の開発プロセスの中で、実車実験のフロントローディングのための手法として、ドライビングシミュレータが活用され始めています。本資料には実験と解析という二つの領域をシームレスにつなぐ、車両開発のためのドライビングシミュレータ(DiM)について掲載しています。 【主な掲載内容】 ■ドライビングシミュレータの現状 →DS（ドライビングシミュレータ） vs DiM（Driver in Motion) →DSの必要性 ■Driver in Motion(DiM) →DiMの主要技術 等 詳しくはお問い合わせ、またはカタログをダウンロードしてください。
【動画あり】加温の様子をリアルタイムで観察可能！Cheetah EVOの附属機能をご紹介します
当社が導入したYXLON製「Cheetah EVO」の付属機能をご紹介します。 「リフローシュミレータ」では、はんだ付け時のボイドの挙動など、 リアルタイムで観察が可能です。 リフローの条件出しやはんだの選定などに活用いただけます。 【特長】 ■セラミックヒーター＆ランプ加熱 ■対象サイズ：40ｘ40ｘ20mm ■最大設定温度：350度 ■リアルタイムで観察が可能 ■リフローの条件出しやはんだの選定などに活用可能 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
制御用ベースユニットを持たない、コンパクトハンディタイプ！
当社で取り扱うEMC試験機器『SESD230』について、ご紹介いたします。 ESDシミュレータ(静電気試験機)は、IEC/EN 61000-4 Part2規格で定義されている システムや機器におけるEMC試験に好適。 この試験は、静電気放電に対する耐性試験を行うもので、エア放電とコンタクト放電に 対応する2つのモードがあり、DUTに対し非接触試験を行うためのエア放電用テストプローブと 接触試験を行うためのコンタクト放電用テストプローブがセットされています。 【特長】 ■エア放電では、実際の放電電圧の表示機能あり ■コンタクト放電では、非接触時に放電しないコンタクト制御機能付き ■プログラムによる自動テストが可能 ■大きくて見やすい液晶パネル ■液晶パネルから試験内容の簡単選択・設定 ※詳しくは関連リンクをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせください。
樹脂用タッピンねじの採用検討期間を40%削減。労力とコスト減に貢献します。
プラスチック用スレッドフォーミングスクリューEVO PT専用のシミュレータです。樹脂用タッピングスクリューが、現在お使いのアプリケーションで成立するかどうか検討するための試験期間を40%(当社例)も短縮します。 必要な条件を当社にご相談いただくことでシミュレーションした結果を無料でご提供いたします。(一部有料サービスあり。) ヤマシナホームページもご覧ください。 ■https://www.kk-yamashina.co.jp/product/evo-pt.html
化学計算ソフト / 製造前にスピン量子ビットの性能を予測するための有限要素法シミュレーター
性能の予測によって、多大な時間と費用の節約が期待でき、従来の手法に比べてより多く の設計を探索できます。 QTCADは、k·p理論の枠内で包絡関数とナノ構造に閉じ込められた電子またはホールの エネルギーレベルを計算する際に、非線形ポアソン、シュレーディンガー、多体ソルバー を使用します。 【主な機能】 ・半導体の量子ドット閉じ込めポテンシャルのための静電ツール ・電子・ホールのための多体シュレーディンガーソルバー ・シーケンシャルトンネリング（クーロンブロッケード）における量子輸送計算の支配方程式ソルバー ・2-プローブデバイスにおける非平衡量子統計および量子輸送のための非平衡グリーン関数法ソルバー ・クロスキャパシタ効果を含む小さな量子ドットシステムの電荷安定図のための効率的なワークフロー ・磁性（軌道およびゼーマン効果）およびスピン軌道カップリングの量子力学的な取り扱い ・電子またはホールの伝導帯バンドエッジシフトおよび価電子帯バンド混合効果を計算するための歪みソルバー
米国GPSとロシアGLONASS、欧州Galileo、日本のQZSS、SBAS衛星に対応しています！
『NavX-NCSシリーズ』は、GPS、Galileo、GLONASS、QZSS、SBAS、 将来の衛星システムに対応したマルチGNSS RFシミュレータです。 さまざまなGNSSコンシューマ･ナビゲーションの開発からテストの リファレンスとして信頼性を発揮。 2つのLバンド周波数出力に対応した「エッセンシャル」と、最大9つのLバンド 周波数出力に対応した「プロフェッショナル」をご用意しています。 【特長】 ■柔軟なハードウェア・プラグインに対応 ■シナリオ作成機能を標準提供 ■幅広いRF出力レベル ■A-GPS およびA-GNSS試験に対応 ■エッセンシャルは2つのLバンド、プロフェッショナルは最大9つのLバンド 周波数出力に対応 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
