CMOSイメージセンサーの3次元シミュレータ
CMOSイメージセンサー3D解析ツール
クロスライトのTCADや3Dシミュレーションの特徴を紹介。また、3D構造を構築するためのツールであるMaskEditorやSemiCrafterの特徴を説明。実際シミュレーションを行うためにCMOSイメージセンサー(CMOS Image Sensor)のプロセスの概要を示し、各ステップ毎の作業を解説。
- 企業：クロスライトソフトウェアインク日本支社
- 価格：応相談
シミュレータ - 企業45社の製品一覧とランキング
更新日： 集計期間:2025年03月26日～2025年04月22日
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企業ランキング
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- 株式会社Oscillated Recall Technology 茨城県/ソフトウェア
- 株式会社先端力学シミュレーション研究所 東京都/IT・情報通信
- クロスライトソフトウェアインク日本支社 千葉県/ソフトウェア
- 4 株式会社ブロードリーフ 東京都/ソフトウェア
- 5 オプトシリウス株式会社 東京都/その他
製品ランキング
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- 広域ウェットエッチング製造向けエッチングシミュレータ 株式会社Oscillated Recall Technology
- 超高速 樹脂射出成形シミュレーター ASU/MOLD RT 株式会社先端力学シミュレーション研究所
- VRスプレー塗装シミュレーター「SimSpray」 株式会社ブロードリーフ
- 4 【デモ機あり】LEDソーラーシミュレーター LumiSun-50 オプトシリウス株式会社
- 5 Dynamita社 水処理プロセスシミュレータ SUMO 有限会社シミュレーション・テクノロジー
製品一覧
46～60 件を表示 ／ 全 285 件
表示件数
量子井戸型赤外線センサーのデバイスシミュレータ
量子井戸型赤外線センサーの自己無撞着モデルによる解析ツール
クロスライトのAPSYSはQWIP(Quantum Well Infrared Photodetectors)デバイスの解析に対して総合的な物理モデルを提供可能。そしてモデルの妥当性は実験結果と比較して十分にリーズナブルである。移動拡散理論(drift-diffusion theory)に対する非局所的な量子補正はQWIPの性質における光電流(photo-carrier extraction)を説明するのに必要。
- 企業：クロスライトソフトウェアインク日本支社
- 価格：応相談
ナノワイヤーMOSFETの非平衡グリーン関数計算シミュレータ
ナノワイヤーMOSFETの非平衡グリーン関数計算による解析ツール
ナノワイヤーMOSFETを解析するための物理モデルの特徴を紹介。シミュレーション効率を最大限に引き出すために円柱座標系を使用。チャネル領域にはNEGF(Non-Equilibrium Green's Function)を使いその他の領域には通常の移動拡散(DD: drift-diffusion)を利用したハイブリッドなアプローチ。NEGFに量子とじこめと量子バリスティック電子輸送を含むサブバンドの柔軟な選択。他の全ての移動拡散方程式を合わせたNEGF方程式の自己無撞着解。
- 企業：クロスライトソフトウェアインク日本支社
- 価格：応相談
非平衡グリーン関数によるSOI FinFETシミュレータ
SOI FinFETの3D解析ツール
SOI FinFETのシミュレーションフローとそこで使われるツールの概要を説明。プロセスシミュレーターCSupreによる3Dプロセスシミュレーション例を紹介。プロセスシミュレーションで作った構造データをもとに、デバイスシミュレーターAPSYSにおいて量子閉じ込めや酸化層の溶け込みや量子バリスティック電流輸送モデルなどのFinFETのモデリングの特徴とその解析例を紹介。
- 企業：クロスライトソフトウェアインク日本支社
- 価格：応相談
MOSFETにおける3Dシミュレーションの効果解析シミュレータ
MOSFETにおける3Dシミュレーション効果の解析ツール
STI(shallow trench isolation)閉じ込めMOSにおいて、SiO2/Siインタフェース分離により、幅方向にドーパント拡散が起こる。HV(high voltage) MOSFETにとって、3D拡散(diffusion)と狭ゲート(narrow gate)サイドフィールドは閾値電圧Vthを幅を減らすかのように低い方へシフト。ナノMOSFETの典型的なプロセスフローでは、W>0.1 umの幅を減少しVthが増加。方形トレンチ(square-trenched) UMOSでは、四角サイズが減らすかのように、幾何学的および3D拡散の効果は低い方へVthをシフト。
- 企業：クロスライトソフトウェアインク日本支社
- 価格：応相談
MOSFETの基板電流シミュレータ
MOSFETの基板電流解析ツール
プロセスシミュレーターCSupremでNMOS(N-channel MOSFET)のモデリング例を紹介。CSupremデバイスシミュレータAPSYSによる特性解析を例示。また、鐘型曲線(Bell Bell-shaped curves)の基板電流(substrate current)特性をシミュレーションから得、実験結果と比較。
- 企業：クロスライトソフトウェアインク日本支社
- 価格：応相談
Siのひずみに対するQWモデルシミュレータ
ひずみ持ったMOSFETの量子井戸の解析ツール
クロスライトの半古典的な量子サブバンド平均化バレー移動度モデル(semi-classical quantum subband valley-averaged mobility model)は、バレー分裂(valley splitting)と異方性(anisotropy)を考慮。平均化されたサブバンドの状態密度(density of states)と移動度(mobility)を用て量子補正(quantum corrections)をした移動拡散方程式(drift-diffusion equations)の自己無撞着解(self-consistent solution)が可能。様々な応力や結晶方向のひずみを持つシリコンMOSFETの特性が予測可能。
- 企業：クロスライトソフトウェアインク日本支社
- 価格：応相談
ミックスモードシミュレータ
回路とデバイス混在のシミュレーション
回路(SPICE)とデバイスを混在してシミュレーションを行うクロスライトのミックスモードを紹介。回路とデバイス混在シミュレーションのしくみの概略説明。IGBTデバイスを題材にミックスモードの実行と結果解析の例を紹介。
- 企業：クロスライトソフトウェアインク日本支社
- 価格：応相談
電界吸収変調器のシミュレータ
電界吸収変調器の解析ツール
フランツ・ケルディッシュ効果(Franz-Keldysh effect)を使って導波路型変調器(Waveguide modulator)をAPSYSによってシミュレート。多体(manybody)計算から得られた双極子行列要素で向上、実験結果に極めて一致。実験結果を再現するには自由電子理論(Free-carrier theory)だけでは不十分。電場(electric field)、吸収(absorption)および伝達(transmission)におけるシミュレーション結果は実験結果によく一致。
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- 価格：応相談
結晶方位の影響を解析するシミュレータ
GaN基板デバイスの光特性に対する結晶方位の影響を解析するツール
結晶方位(crystal orientation)と分極(polarization)について解説。任意の結晶方位での量子井戸(QW)を解析するためのk.p.法(k.p. method)など、結晶方位の影響を探るための物理モデルの紹介。異なる結晶方位での光利得(optical gain)、c-planeとm-planeでの結晶方位の影響の比較、有限要素シミュレーション(finite-element simulation)による半導体レーザーダイオード(LD)性能の比較などInGaN/GaN QWを題材にその結果を例示。
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バンド内遷移トンネル効果の解析シミュレータ
ヘテロ接合に対するトンネル効果のモデルによる解析ツール
量子トンネリング(quantum tunneling model)モデルは高ドーピングレベル(high doping level)においてキャリア輸送(carrier transport)への影響を無視できない。アルミ(Al)組成割合変化(composition grading)は、ポテンシャル障壁(potential barrier)の平坦化によって擬似的な量子トンネル効果(mimic quantum tunneling effect)が可能。ただし、アルミ(Al)組成割合変化の距離選択が重要。十分に多く内部にメッシュポイント(internal extra mesh point)を追加することで、組成割合変化と同様の効果をもたらす。量子トンネリングモデルはキャリア輸送の量子力学強化に最も信頼できる方法である。
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クロスライトのFDTDシミュレータ
クロスライトのAPSYSによるFDTD計算
クロスライト独自の2D/3D FDTDシミュレーターを開発。クロスライトのデバイスシミュレーターと直結可能。Phythonを利用したスクリプト作成・処理が可能。GUIから全ての操作をコントロール可能。物質の分散は様々な分散モデルにより提供。PBCおよびUPML/CPML吸収境界条件を装備。並列計算による処理の加速は、MPI並列処理またはGPUデータ並列が利用可能。
- 企業：クロスライトソフトウェアインク日本支社
- 価格：応相談
シリコンICプロセスシミュレータ
CSupremにおける物理モデル
イオン注入(ion implantation) 蒸着(deposition)、エッチング(etching)、拡散(diffusion)、酸化(oxidation)に対する物理モデルをベースに様々な半導体構造の1次元、2次元および3次元のプロセスシミュレーションが可能。IC製造工程の研究開発コストをコントロールするのに欠くことのできない信頼のある正確なシミュレーションツール。デバイスシミュレーターのためのドーピングプロファイル(doping profile)を出力可能。
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pドーピング窒化系シミュレータ
GaNおよびIII族窒化物にpドーピングを行うプロセス解析ツール
有機金属気相成長法(MOCVD)のプロセスシミュレーターPROCOMシミュレーションでp-タイプ伝導率の問題に取組む。膜成長中のMg取込みをコントロールするのが重要。シミュレーションは複雑なドーピングプロセスおよびMOCVDプロセスの最適化を補助。異なるタイプのアクセプターも本ソフトウェアによってシミュレーション可能。
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メカシミュレーター『XVL Kinematics Suite』
軽量3DフォーマットXVLで機構検証のフロントローディングを実現
『XVL Kinematics Suite』は、大規模な設備/装置の機構動作・ 動的干渉検証を3Dで実現するメカシミュレーターです。 当製品は、設備/装置立上げ時のトラブル要因である、動作を考慮したメカの 形状の問題と、メカ・制御設計のコミュニケーション不足による問題を 早期に解決し設備/装置設計のフロントローディングを実現します。 また、簡単な機構要素の設定と機構プレビューによる 動作確認（複数軸の角度付け）ができます。 【特長】 ■大規模な設備/装置の機構動作・動的干渉検証を3Dで実現 ■設備/装置立上げ時のトラブル要因を早期に解決 ■簡単な機構要素の設定と機構プレビューによる動作確認ができる ■複雑なリンク機構も簡単な軸定義で動作 ■干渉発生時の位置・姿勢を出力する事も可能 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
- 企業：ラティス・テクノロジー株式会社
- 価格：応相談
