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電流減衰シースにより、電気的にしっかりとシールド！
『RF-R 400-1』磁界プローブは、ヘッドサイズが直径25mmのパッシブ 近傍界プローブです。 感度が高く、アセンブリやデバイスの周囲最大10cmの範囲の測定に好適。 先端直径が大きい程、感度が高く、より広い領域の磁場を検出することが できます。「RF-R 50-1」および「RF-R 3-2」と同じ基本構造です。 【仕様】 ■タイプ：近傍界プローブ ■サイズ：Φ25mmプローブヘッド ■対応周波数帯：30MHz～3GHz ■コネクタ：SMB male,Jack ※詳しくは関連リンクをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせください。
コンパクトで大変使い易いLanger社の近傍界プローブ！
『RF-U 5-2 』磁界プローブはパッシブ近傍界プローブで、広範囲の導電パス、 ケーブル、コネクタ、電子部品等の磁場を検出できる様に設計された製品です。 プローブはカップリングクランプのように機能。プローブヘッドを コンポーネント上に直接配置すると、プローブに対し、真っ直ぐ、 又は横から入る他のソースからの磁力線も検出。 50Ω入力のスペクトラムアナライザまたはオシロスコープに接続できます。 【仕様】 ■タイプ：近傍界プローブ ■サイズ：6x6mmプローブヘッド ■対応周波数帯：30MHz～3GHz ■コネクタ：SMB male,Jack ■分解能：5mm ※詳しくは関連リンクをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせください。
プローブヘッドの下部面を測定対象物に近づけ、放出される電界を検出！
『RF-E 02』電界プローブはパッシブ近傍界プローブです。 バス構造、大型コンポーネント、または電源の表面上で分離された 電界発生源を検出。 プローブヘッドの下部電極面は約2x5cmで、コンポーネントから1～2cmの 距離内でよく機能します。「RF-E 05」及び「RF-E 10」プローブと 同じ基本構造です。 【仕様】 ■タイプ：近傍界プローブ ■サイズ：23x53mmプローブヘッド ■対応周波数帯：30MHz～1.5GHz ■コネクタ：SMB male,Jack ※詳しくは関連リンクをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせください。
50Ω入力のスペクトラムアナライザまたはオシロスコープに接続可能！
『RF-E 03』電界プローブはパッシブ近傍界プローブで、Langer社製 スキャナー用として設計されている製品です。 プローブヘッドの下部電極面は約4x4mmで、導電パス、プリント回路基板の 単一コンポーネント等の小さい電界発生源を特定することが可能。 プローブヘッドの下部面を測定対象物に直接配置し、放出される電界を 検出します。 【仕様】 ■タイプ：近傍界プローブ ■サイズ：4x4mmプローブヘッド ■対応周波数帯：30MHz～3GHz ■コネクタ：SMB male,Jack ※詳しくは関連リンクをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせください。
プローブヘッドの下部電極面は約5x5mm！クロックされたラインやICの表面上で分離された電界を検出
『RF-E 04』電界プローブはパッシブ近傍界プローブで、Langer社製 スキャナー用として設計された製品です。 「RF-E 03」及び「RF-E 09」プローブと同じ基本構造。 アセンブリ上0.5～10mmの距離内でよく機能します。 小さな正方形の電極面をコンポーネントやプリント基板上に配置、 保持する事により、電気干渉の発生源を検出できます。 【仕様】 ■タイプ：近傍界プローブ ■サイズ：5x5mmプローブヘッド ■対応周波数帯：30MHz～3GHz ■コネクタ：SMB male,Jack ※詳しくは関連リンクをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせください。
「RF-E 02」及び「RF-E 10」プローブと同じ基本構造ですが、非常に狭い範囲の電界を検出！
『RF-E 05』電界プローブはパッシブ近傍界プローブで、Langer社製 スキャナー用として設計された製品です。 プローブヘッドの電極幅は約0.5mmで、クロックされたラインやICピン、及び 小型コンポーネントの電界を正確に特定。 回路基板上のコンポーネントやプリント基板上に配置、保持する事により、 RF電気干渉の発生源を検出できます。 【仕様】 ■タイプ：近傍界プローブ ■サイズ：1x8mmプローブヘッド ■対応周波数帯：30MHz～3GHz ■コネクタ：SMB male,Jack ■分解能：0.6mm ※詳しくは関連リンクをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせください。
「RF-E 02」及び「RF-E 05」プローブと同じ基本構造ですが、高い分解能を持っています！
『RF-E 10』電界プローブはパッシブ近傍界プローブです。 プローブヘッドの電極幅は約0.2mmで、幅0.1mmの導電パスや単一ICピン等の 最小電界源でも位置を特定することが可能。 電極面を電界強度が高い測定対象物上に直接配置する必要があるため、 広範囲の測定には適していません。広範囲を測定する場合には、「RF-E 02」や 「RF-E 05」を使用してください。 【仕様】 ■タイプ：近傍界プローブ ■サイズ：0.5x2mmプローブヘッド ■対応周波数帯：30MHz～3GHz ■コネクタ：SMB male,Jack ■分解能：0.2mm ※詳しくは関連リンクをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせください。
コンパクトで大変使い易く、また電流減衰シースにより、電気的にしっかりとシールドされている
『LF-R 3 磁界プローブ』は、パッシブ近傍界プローブで、ICピンや ICケース、導電パス、デカップリングコンデンサ、EMCコンポーネント 周囲の領域など、アセンブリ上のRF磁界を直接高分解能検出します。 「LF-R 50」及び「LF-R 400」プローブと同じ基本構造ですが、 当製品が最も高い分解能を持っています。 高い磁界強度にあるコンポーネントに近接して測定する事には 適していますが、離れた場所からの測定には向いていません。 【仕様】 ■タイプ：近傍界プローブ ■サイズ：Φ3mm プローブヘッド ■対応周波数帯：100kHz～50MHz ■コネクタ：SMB male,Jack ■分解能：1mm ※詳しくは関連リンクをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせください。
50Ω入力のスペクトラムアナライザまたはオシロスコープに接続できる！
『LF-U 5 磁界プローブ』は、パッシブ近傍界プローブで、広範囲の 導電パス、ケーブル、コネクタ、電子部品等の磁場を検出できる様に 設計されています。 プローブはカップリングクランプのように機能します。 プローブの湾曲した下部をコンポーネントの表面に配置。 プローブに対し、真っ直ぐ、又は横から入る他のソースからの 磁力線も検出します。 【仕様】 ■タイプ：近傍界プローブ ■サイズ：6×6mm プローブヘッド ■対応周波数帯：100kHz～50MHz ■コネクタ：SMB male,Jack ※詳しくは関連リンクをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせください。
大き目のヘッドにより、より大きいコンポーネントを干渉源の可能性として検出できるようになります！
『LF-R 50 磁界プローブ』は、ヘッドサイズが直径10mmのパッシブ近傍界 プローブで、最大3cm離れたアセンブリ、デバイス、またはケーブルを 測定する様に設計されています。 当製品は、その直径、感度、分解能において「LF-R 400」と 「LF-R 3」プローブの中間の性能です。 Langer社の近傍界プローブはコンパクトで大変使い易く、また電流減衰 シースにより、電気的にしっかりとシールドされています。 【仕様】 ■タイプ：近傍界プローブ ■サイズ：Φ10mm プローブヘッド ■対応周波数帯：100kHz～50MHz ■コネクタ：SMB male,Jack ※詳しくは関連リンクをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせください。
測定時には、プローブヘッドのギャップを測定対象物上に配置します！
『LF-U 2.5 磁界プローブ』は、パッシブ近傍界プローブで、導電パス、 SMDコンポーネント、ICピン内のRF電流を選択的に検出する様に 設計されています。 プローブヘッドには、幅約0.5mmの磁気的にアクティブなギャップが あります。「LF-U 5」プローブと同様に機能します。 「LF-U 5」はケーブルやコネクタなどの大き目のコンポーネントに適して いますが、当製品は、SMDコンポーネントやピン向けに設計されています。 【仕様】 ■タイプ：近傍界プローブ ■サイズ：Φ4mm プローブヘッド ■対応周波数帯：100kHz～50MHz ■コネクタ：SMB male,Jack ■分解能：0.5mm ※詳しくは関連リンクをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせください。
補正データを使用して、プローブの出力電圧を磁場または導体を流れる電流のいずれかに変換してください
『MFA 02 セット』には、例えば、信号導体(150μm)、SMDコンポーネント、 またはICピンにおける最大1GHzの低周波磁場を測定することができる2本の 高分解能近磁界マイクロ プローブ2本と、バイアスティー、専用ケーブル 1本が含まれています。 プリアンプ(9V,100mA)には、50Ωのインピーダンスを持つバイアスティー BT 706を介して電力が供給され、磁界マイクロプローブは、BT 706を介して スペクトラムアナライザまたはオシロスコープに接続されます。 【仕様】 ■タイプ：PCBエミッション 近傍界マイクロプローブ ■対応周波数帯：1MHz～1GHz ※詳しくは関連リンクをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせください。
非常に小型で高分解能のプローブヘッドを備え、最大6GHzのRF磁界の測定に適しています
『MFA-R 0.2-6 磁界マイクロプローブ』は、動作するためにBT 706バイアス ティーを必要とするアクティブ近傍界マイクロプローブです。 コンポーネント上のICピン、細い導電パス、極小のSMDコンポーネント等の 磁場を検出。「MFA-R 0.2-75」と同じ基本構造ですが、周波数特性のみ 異なります。 プローブヘッドのコイル開口部には、横方向に黒い点がマークされて いますので向きを確認して測定してください。 【仕様】 ■タイプ：近傍界マイクロプローブ ■サイズ：マイクロチップ状 ■対応周波数帯：100MHz～6GHz ■コネクタ：SMA female,Jack ■分解能：300μm ※詳しくは関連リンクをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせください。
時間分解能30ms・空間分解能250µmのpHセンシングが可能
■東北大学技術のご紹介 pHは環境測定における重要なパラメータである。pHセンサの探針は数十mmの外径が多く、微小な空間を測定できるpHセンサが求められていた。 本発明は、外径1mm程度のpHセンサプローブに関するものである。光ファイバ、導線、中空流路の構造をもつファイバの先端に、1mm四方の半導体デバイスLAPS（Light-addressable Potentiometric Sensor、Si3N4/SiO2/n-Si）を接続した構造をもつ。外部電圧を印加した状態で、光ファイバからこのn-Si面に光を照射すると、Si3N4面に接するプロトン量に依存した光電流が生じる。この時、光電流は、光ファイバからの光が照射された領域でのみ発生する。 そのため、1mm四方のLAPSを16分割して16本の光ファイバと接続すれば、250μm四方の極局所領域のpH測定が出来ることになる。また、中空流路から電解液を導入することにより、金属やコンクリート等の乾いた表面におけるpH測定も可能である。 上図は、ラットの脳深部のpHを測定した結果である。本センサプローブによって、pHの2次元マッピングを得ることに成功した。
国内生産 高電圧受動プローブ (カスタム対応可) パワーデバイス・高電圧機器の信号測定において非常に有効です。
オシロスコープに接続して使用可能な広帯域・高電圧の受動プローブです。 接地型のオシロスコープと組み合わせて使用することにより、安全に高電圧の波形観測を行うことができます。 ■特徴 高帯域：500MHz 高電圧：1000Vrms CATII 3700VACpk CAT（O） 2650V（DC or RMS）CAT（O）
