化合物半導体ウエハ用非接触搬送装置「SAG(InP)型」
化合物半導体ウエハ(GaAs InP GaP)を気体供給操作を行い、ウエハを非接触にて吸引し、所定の位置に脱着を行います。
◎特徴 1.450℃の高温ウエハの非接触搬送が可能である。 2.化合物半導体ウエハ(GaAs InP GaP)の下記の切り欠きウエハの非接触搬送が可能である。 ・Φ2~4in ウエハ ・Φ2~4inx1/4ウエハ ・Φ2~4inx1/2ウエハ
- 企業:有限会社ソーラーリサーチ研究所 大阪事業所
- 価格:10万円 ~ 50万円