更新日： 集計期間:2025年10月08日～2025年11月04日
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高い絶縁性、放熱性、信頼性を保有！パワーデバイス用の厚銅セラミックス基板
『AMB基板』は、AMB (Active Matal Brazing) AMB法で厚銅を セラミックスに接合させた基板です。 高い絶縁性、放熱性、信頼性を有する、パワーデバイス用の 厚銅セラミックス基板です。 【仕様】 ■基材：窒化珪素（Si₃N₄） 窒化アルミ（AlN） アルミナ（Al₂O₃） ■導体厚み：300 ～ 1000 μm ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
パワーデバイス回路基板や高輝度LED基板などの用途に最適なDBC代替基板！
当基板は、高耐熱・高熱伝導樹脂を使用したメタルベース基板です。 主に、パワーデバイス回路基板や高輝度LED基板として使用されます。 基板は、厚み18μm～800μmの銅箔と絶縁層、ベースメタルから構成されて おります。 【特長】 ■高耐熱・高熱伝導樹脂を使用 ■パワーデバイス向け ※詳しくはカタログをご覧頂くか、お気軽にお問い合わせ下さい。
ICP-MS、 GDMSにより基板表面と内部とを切り分けて分析
半導体材料に含まれる不純物は、リーク電流の発生やデバイスの早期故障等、製品の品質に影響する場合があります。従って、材料に含まれる不純物量を把握することは、製品の品質向上において重要です。本資料では、パワーデバイス材料として注目されているSiC基板について、基板表面に付着した不純物をICP-MS、基板中の不純物をGDMSで分析した事例をご紹介します。 測定法：ICP-MS・GDMS 製品分野：パワーデバイス・製造装置・部品 分析目的：微量濃度評価 詳しくは資料をダウンロード、またはお問い合わせください。
窒化ガリウム（GaN）は、非常に硬く、機械的に安定したワイド・バンドギャップ半導体です。
窒化ガリウム（GaN）は、非常に硬く、機械的に安定したワイド・バンドギャップ半導体です。 より高い絶縁破壊強度、より速いスイッチング速度、より高い熱伝導率、より低いオン抵抗によって、GaNに基づくパワー・デバイスは、シリコン・ベースのデバイスよりも非常に優れています。
サブストレート，サブマウント基板
１）発熱チップの集積化で基板の発熱、放熱に困ったら東洋精密工業にご相談ください。 ２）開発設計から量産まで対応致します。
●アルミ基板は車載製品やLED照明器具で実績多数。少量多品種にも対応。●厚銅基板はパワーデバイス市場に向けて展開しています！
【アルミ基板】 一般的な製品ですが車載製品とＬＥＤ照明器具の分野で多くご採用していただいております。少量多品種にも対応します。 ★シーズ技術として折り曲げできる【屈曲アルミベース基板】もございます。 【厚銅基板】 放熱能力に特化した熱伝導率12Ｗ/（ｍ・ｋ）を有する銅ベース基板です。 500μmの回路銅と2.0mmの銅ベースによって、基板全体での熱拡散性能に優れます。 弊社では現在パワーデバイス市場への展開に力を入れております。
「セラミックス基板専業メーカ」の強みを活かし、ビア形成技術と印刷回路技術による「アルミナ基板の高熱伝導化」を実現しました！
家電製品やEV車用途など用途展開が拡大しているパワーデバイス実装において「実装基板の熱伝導性性能」の期待は非常に高まっています。当社では主力商品の高出力ＬＥＤパッケージの量産実績を通じて、高出力化に伴う放熱性能改善の技術を培ってきました。特に、セラミックス回路基板において「熱伝導性に優れている窒化アルミ基材に対して、汎用的なアルミナセラミックス基材を用いた熱伝導性改善」へのご相談が多く寄せられています。 当社では、スルーホール加工技術(ビア形成)と印刷回路技術を応用して、ビア形成したアルミナセラミックス基板のビア部分に「金属メタル系材料」を充填することで、汎用的なアルミナセラミックス基板を用いながら熱伝導性改善効果を実現しています。高出力LEDパッケージ基板では、アルミナセラミックス基材で「熱伝導率：369W/ｍｋ」を実現しました。 高出力パワーデバイスのセラミックス基板実装の「熱対策」にお困りでしたら、当社にご相談ください。
サーモモジュール（ペルチェ素子）用基板向けに10年以上の製造実績。パワーデバイス、ソリッドステートリレー（SSR）などに！
アルミナセラミックス基板に銅回路版をDCB（Direct Copper Bond）法(※)にて接合した放熱用絶縁基板です。 ※DCB（Direct Copper Bond）法とは セラミックス基板上に銅回路版を共晶反応によって接合する方法 【特長】 ■サーモモジュール（ペルチェ素子）用基板向けに10年以上の製造実績 ■中国の100％独資製造子会社にて製造 ■アルミナセラミックス白板は日本製、ドイツ製、中国製より選択が可能 ■セラミックス基板は金型加工、レーザー加工等でさまざまな外形寸法に柔軟に対応することが可能 ■自社設備にてセラミックス白板と銅版を接合、エッチング等の銅張り加工を施し出荷 ■銅回路表面は、未処理、Niめっき処理、Ni＋Auめっき処理等の対応が可能 ※詳しくはお問い合わせ、またはPDFをダウンロードしてください。
優れた放熱性・耐熱性を持つメタルコア基板
メタルコアが露出するように基板を削り出し、そこへヒートシンク等の放熱部品を直接実装することにより、高温で動作する部品の熱を効率良く外部へ放出することができます。
高い熱伝導性と放熱性で部品を熱から保護できる！LED照明から車載まで幅広く使用可能
当社で取り扱っている「放熱基板」は、一般基板に比べ放熱性を強化した プリント配線板です。 LEDやパワーデバイスなど発熱量の大きい部品を使用する際に必要とされており、 高い熱伝導性と放熱性で部品を熱から保護出来る基板。 また、厚銅を使用することで電極のある横方向へ素早く放熱させることが でき、LED照明から車載まで幅広くご使用いただいております。 【特長】 ■LEDやパワーデバイスなど発熱量の大きい部品を使用する際に必要 ■高い熱伝導性と放熱性で部品を熱から保護出来る基板 ■厚銅を使用することで電極のある横方向へ素早く放熱させることができる ■LED照明から車載まで幅広く使用されている ※詳しくは関連リンクをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせください。
小型化が進むパワーデバイスに適した大電流基板！
『異型銅厚共存基板』は、同一層に300μmの厚銅箔と70μmの薄銅箔を 共存させ、途中で切り替えることができる大電流基板です。 組立工数や部品点数の削減を実現。 小型化の進むGaNやSiCに代表されるパワーデバイスにも好適です。 【特長】 ■300μmと70μmを途中で切り替え可能 ■300μmと70μmは入り組んでいてもOK ■銅インレイの組み合わせ可能 ※詳しくはPDFをダウンロードして頂くか、お気軽にお問い合わせ下さい。
リークが小さく、高品質で、ワープも小さく、低い欠陥密度！費用対効果が高い材料としてご提供
半導体デバイスを製造するお客様には、Silicon-Silicon張り合わせ ウエハーを従来の厚エピや反転エピなど、パワーデバイスや PiNダイオード用に従来つかわれていたような材料にとって代わる、 費用対効果が高い材料として提供いたします。 直接ウエハーをボンディングする技術を使うと、様々な単結晶シリコンを 含むシリコン基板を作ることができます。 これらの抵抗レンジは1mΩ-cmから10kΩ-cmとなります。 【特長】 ■NタイプやPタイプの素材でオリエンテーション方向のアレンジ可能 ■リークが小さく、高品質で、ワープも小さく、低い欠陥密度 ■層の厚みのばらつきも+/-0.5um以下に抑える事が可能 ■高濃度から低濃度の遷移レベルもお客様のアプリケーションに 応じて鋭く、もしくはソフトなどに調整が可能 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
100-200mmの貼付ウエハー（SOI,SiSi）や誘電体分離や高アスペクト比の深いトレンチエッチなどカスタム品を提供します
アイスモス・テクノロジーはMEMSや高度なエンジニアリング基板を提供するベストインクラスのサプライヤーです。 20年以上の経験をもとに、卓越した製造スキルと最新の技術的な開発で、アイスモスはすべてのお客様がお問合せから製品を受け取るまで優れたサービスをうけることをお約束します。 革新的な製品開発、デザインのご提案、特別なサービスなどエンジニアチームが技術的にサポートいたします。 既存製品がリストにない場合には、お客様とともに独自の特別な製品を開発もいたします。 それが弊社の強みとなるサービスです。 SOI = Silicon on Insulator SiSi = Silicon Silcon bonded DSOI= Double SOI DSP=Double Sided Polished CSOI=Cavity SOI Thin SOI TSOI=Trench SOI TSV=Through-Silicon Vias ファウンドリーサービス 是非お気軽にお問合せ下さい。 http://jp.icemostech.com/products.html
メタル材料はアルミ・銅から選択可能！熱伝導性を利用して熱拡散性を強化
『メタル基板』は、金属の熱伝導性を利用して、熱拡散性を強化した プリント基板です。 メタル材料はアルミ・銅から選択でき、銅コア基板とした場合は銅コアとの スルーホール導通も可能になりますので、グランドや熱伝導用スルーホール といった利用もできます。 一般的な放熱方法として、メタルベース基板は背面のベースメタルから ヒートシンクや筐体を通じて放熱し、メタルコア基板は基板回路面へ実装したり、 ベースメタルが露出するよう基板を削り出し、ヒートシンクや筐体へ 接触させて放熱します。 【特長】 ■金属の熱伝導性を利用して熱拡散性を強化 ■メタルベース基板、メタルコア基板の2タイプ ■メタル材料はアルミ・銅から選択できる ■銅コア基板とした場合には銅コアとのスルーホール導通も可能 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
パワーモジュール用の基板ならお任せください！厚銅銅ベース配線基板や、AMB法で厚銅をセラミックスに接合させた基板を製造いたします
当社で取り扱う「厚銅銅ベース配線基板」「AMB基板」をご紹介いたします。 「厚銅銅ベース配線基板」は、絶縁層のグレード3種類で対応。 DBC基板、AMB基板の代替として、パワーモジュール用の厚銅銅ベース基板を製造します。(高熱伝導大電流) また、AMB法で厚銅をセラミックスに接合させた「AMB基板」も取り扱っております。 高い絶縁性、放熱性、信頼性を有する、パワーデバイス用の厚銅セラミックス基板です。 少量での対応も可能ですので、ぜひご相談ください。 【厚銅銅ベース配線基板の仕様(一部)】 ＜絶縁層＞ ■熱伝導率：10.0W/m・K 厚み：120μm ■ヤング率：53GPa ■銅厚（ベース）：0.5、1.0、1.5、2.0、3.0ｍｍ ■銅厚（配線）：0.2、0.3、0.5、0.8、1.0mm ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
