ビーエルテック オンライン展示会
分析の自動化を通してお客様の生産性向上に貢献 ビーエルテック オンライン展示会
分析の自動化を通してお客様の生産性向上に貢献 ビーエルテック オンライン展示会開催中。
- 企業：ビーエルテック株式会社
- 価格：応相談
分析 - メーカー・企業190社の業務用製品ランキング | イプロスものづくり
更新日： 集計期間:2026年02月25日～2026年03月24日
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分析のメーカー・企業ランキング
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- 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST 東京都/試験・分析・測定
- 内藤環境管理株式会社 埼玉県/試験・分析・測定
- ビーエルテック株式会社 東京都/試験・分析・測定
- 4 西進商事株式会社 兵庫県/産業用機械
- 5 株式会社アイテス 滋賀県/電子部品・半導体
分析の製品ランキング
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- 【規制に関する小冊子進呈】PFAS（有機フッ素化合物）分析 内藤環境管理株式会社
- EBSD解析 株式会社アイテス
- ICP-AES／ICP-MS用 認証単元素・混合標準液 湿式分析 西進商事株式会社
- 4 海水栄養塩測定装置 クワトロ ビーエルテック株式会社
- 5 エポキシ樹脂碍子 クラスターテクノロジー株式会社 本社
分析の製品一覧
61～90 件を表示 ／ 全 634 件
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環境分析や土壌分析等の無機分析の前処理の自動化 AATM/アトム
【技術資料進呈】環境・排水試料における金属分析のコラボ！ ～環境分析の前処理とICP/MS測定の自動化装置（AATM）～
工場排水、環境水、地下水等における前処理方法は、工場排水試験方法や環境省告示の規格に定められている硝酸などを用います。 しかし、分析操作は煩雑で分解に非常に手間がかかり、硝酸試薬の肌や目への飛び散りや、 酸性のガスの排出に伴い、人への曝露にも注意が必要です。 そこで、分析者の安全・作業の効率化・ヒューマンエラーをなくすために、 当社では、一気通貫により環境分析や排水分析や土壌分析における 前処理～測定を自動化可能な装置により定量可能な装置を紹介いたします。 ＜一部導入事例＞ ■排水分析のICP/MSを用いた無機物分析 ■環境分析（河川水・海水）のICP/MSを用いた無機物分析 ■土壌（含有/溶出）のICP/MSを用いた無機物分析 ■地下水・飲料水のICP/MSを用いた無機物分析 ※仕様詳細はPDFをダウンロードしてご覧ください。お気軽にお問い合わせください。
- 企業：ビーエルテック株式会社
- 価格：応相談
放射光用 走査型透過X線顕微鏡『STXM』
Heガス充填、UHVなど多彩な試料環境！放射光ビームラインとのハード・ソフト連携が可能
『STXM』は、コンパクトかつリジットな設計の放射光用走査型 透過X線顕微鏡です。 透過、蛍光、電子収量など検出器の組み合わせ計測。 ゾーンプレートを使用し高空間分解能20～100nmを誇ります。 当社は、使いやすいデータ取得ソフトなどお客様のご要望に応じて カスタマイズ開発いたします。 【特長】 ■ゾーンプレートを使用し高空間分解能 ■5nm以下の位置安定性 ■コンパクトかつリジットな設計 ■検出器の組み合わせ計測 ■使いやすいデータ取得ソフト ■放射光ビームラインとのハード・ソフト連携 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
- 企業：株式会社トヤマ
- 価格：応相談
EBSD解析
結晶方位や結晶粒径の変化が解析可能！EBSD(電子線後方散乱回折)法をご紹介いたします
EBSD法とは、試料の持つ結晶構造の情報を基に連続的に取り込んだパターン の結晶方位を算出することにより、結晶粒の分布、集合組織や結晶相分布を 解析する手法です。 金属やセラミック等の結晶質のものは、立方体等の結晶格子が多数集まって 構成されていると考えられおり、当解析法では、それがどのような方向を 向いているのか(結晶方位)を解析。 IQマップ(イメージクオリティーマップ)をはじめ、IPFマップ、GRODマップ、 極点図など、様々なマップを使用します。 【特長】 ■EBSD法は、結晶粒の分布、集合組織や結晶相分布を解析する手法 ■(株)TSLソリューションズOIM7.0結晶方位解析装置を使用 ■結晶格子がどのような方向を向いているのか(結晶方位)を解析 ■加工条件(圧延、押出等)の違いによる結晶方位や結晶粒径の 変化が解析可能 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
- 企業：株式会社アイテス
- 価格：応相談
化学反応機構研究所 フタル酸エステル1HNMR
似通った構造の化合物を区別して同定！プロトンの個数、構造の特長などの情報を得る事ができます
株式会社アイテスでは、フタル酸エステル類の1H NMR分析を行っております。 似通った構造の化合物を区別して同定するにはNMR分析やGCMS分析が有効です。 当分析では、積分値からプロトンの個数、ケミカルシフトから官能基など 構造の特長、またカップリングパターンやカップリング定数から周りの プロトンとの位置関係などの情報を得る事ができます。 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
- 企業：株式会社アイテス
- 価格：応相談
有機物の分子構造を、もっとはっきりさせてみませんか？
NMR分析で類似分子構造の化合物を区別し、側鎖、置換基の結合位置や枝分かれ構造などを解明！
株式会社アイテスでは、フタル酸エステル類の1H NMR分析を行っております。 類似分子構造の化合物を区別し、側鎖、置換基の結合位置や 枝分かれ構造などの構造解明にNMR分析は有効な手法です。 有機合成、高分子合成において、狙った分子構造物を得られたのかの確認には 必須の分析で、 医薬品、サプリメント、食品、繊維など、その特性効果・効能は 分子団の置換基の場所や分子構造により左右されます。 もう一歩踏み込んだ有機分子構造解析を当社技能集団がご対応いたします。 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
- 企業：株式会社アイテス
- 価格：応相談
銅端子の断面観察とSEM/EDXによる元素分析
圧着端子の接合部状態や接合方法、部材の種類を調査！断面観察及びSEM/EDXによる元素分析のご紹介
『銅端子の断面観察とSEM/EDXによる元素分析』についてご紹介いたします。 抵抗測定用銅圧着端子治具の接合部について断面作製を実施し、作製した断面に ケミカルエッチングを施し、エッチング前後で金属組織を観察。 その結果、検出元素が、P(リン), Ag(銀), Cu(銅)であることから、銀入りの りん銅ロウ付け材であると推察します。 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
- 企業：株式会社アイテス
- 価格：応相談
発熱解析による電子部品の故障箇所特定
故障箇所特定から内部観察までを非破壊で実施する事が可能！高精度な発熱箇所の特定ができます
発熱解析は、電圧印加によってリーク箇所に発生する熱を高感度InSbカメラで 検出する事で不良箇所を特定する手法です。 ショートやリークに伴う微弱な発熱を高感度InSbカメラで検出する事で 半導体等の電子部品の故障部を非破壊で特定する事が可能。 更にX線検査装置を用いる事で非破壊での観察もできます。 【特長】 ■リーク箇所に発生する熱を高感度InSbカメラで検出する事で不良箇所を特定 ■サンプルを非破壊の状態で解析したり、OBIRCHやエミッションでは 解析が難しい電子部品を解析する事も可能 ■ロックイン機能を使用し、位相情報を取得する事で、高精度な発熱箇所の 特定が可能 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
- 企業：株式会社アイテス
- 価格：応相談
XPSによる正極活物質の状態分析
リチウムイオン電池の材料評価に！X線光電子分光法で化学結合状態を解析
NMC試薬について、XPSの状態分析による金属酸化物の 価数の評価を行いました。 市販のNMC試薬について定性分析を実施し、試薬の仕様に近い NiMnCo比の値を得ています。 また、バインダー成分由来と考えられるFやCも検出されています。 【NMC試薬の分析(一部)】 ■Ni、Mn、Coの主要な酸化物はNiO(Ni2＋)、MnO2(Mn4＋)、 Co3O4(Co2＋とCo3＋の混合価数)と推測 ■C、O、Fは、バインダー由来と推測される有機系のピークシフトを確認 ■各ピークアサインは、各種文献、データベースを参考に推測 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
- 企業：株式会社アイテス
- 価格：応相談
ロックイン発熱解析装置『ELITE』
「熱拡散によって発熱中心が分からなくなる」ことを防ぐ！微小なリーク・変化でも検出が可能
発熱解析とは、通電によって異常箇所を発熱させ、その発熱部位を 高感度赤外線カメラで観察することで、実装基板、電子部品内部、 半導体チップ内部の異常箇所を特定する手法です。 非常に微小な発熱状態を検知できることから、通常のプリント基板だけでなく、 半導体の不具合解析にもその威力を発揮します。 特にショート箇所の調査においては、複雑な構造であっても短時間で場所の 特定が出来るため、不具合解析の時間を劇的に短縮することができます。 【特長】 ■非破壊で不良解析ができ、サンプル加工などによる故障箇所喪失リスクがない ■半導体単体から、モジュール、実装基板など幅広い製品の観察が可能 ■従来のマニュアル検査に比較して不良特定率が向上 ■赤外線強度データと位相データの解析により、不良部位のXYZ位置特定が可能 ※詳しくは関連リンクページをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
- 企業：株式会社クオルテック
- 価格：応相談
X線透過観察(不良箇所の早期発見)
不良箇所を推測しながら的を絞って観察！素早く結果を報告し課題の早期解決に貢献
当社で行う、X線透過観察(不良箇所の早期発見)をご紹介いたします。 当社で使用しているX線顕微鏡は、重さ5kg、460mm×410mmまでの 試料の観察が可能。 大きなサイズのプリント基板も一度に検査する事が出来ます。 また、X線検出器を傾斜でき、焦点寸法が微小なため多層パッケージ基板 内で重なり合い、上面からは見づらいボンディングワイヤーの状態を、 一本一本はっきりと観察できます。 【特長】 ■BGAの接合面の状態、ボイドの有無、配線パターンの確認も可能 ■数多くの故障事例を見てきた分析担当者が観察を担当 ■好適な条件を設定し、これまで見る事の出来なかった箇所の観察、 よりクリアな写真を提供 ※詳しくは関連リンクをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
- 企業：株式会社クオルテック
- 価格：応相談
「パワエレテクノセンター」を新規設立
高性能評価設備の拡充により、様々な半導体材料の評価や高度化するニーズに対応！
株式会社クオルテックは、2025年1月、大阪府堺市津久野町に 「パワエレテクノセンター」を新規に設立します。 開設に向けて現在準備しており、2024年5月より改装工事を着工。 現在3か所に分散しているパワー半導体評価拠点を当センターに集約し、 効率化を図ると同時に、パワー半導体評価の更なる需要拡大に対応するため、 現行の1.5倍となるよう評価設備の増設を段階的に行います。 【当センターの取り組み】 ■パワー半導体評価技術の研究開発 ■パワー半導体評価の受託試験の増加に対応すべく、試験設備の拡充 ■ユーティリティの冗長化による安全・安心の試験業務システムの構築 ■先進セキュリティシステムによる顧客情報の機密管理 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
- 企業：株式会社クオルテック
- 価格：応相談
振盪培養装置 TVS062CA
温度勾配環境または恒温環境下で微生物の増殖状況を自動測定。
光学系測定機能を備えた培養ブロックを恒温環境に保ちながら振盪培養することで、微生物の増殖曲線が得られます。 【特長】 ●最大6台まで接続でき、36検体の吸光度測定が可能で、パソコンに接続することで、測定値のグラフ表示、保存が可能です。 ○詳しくは、お問い合わせまたはカタログをダウンロードしてください。
- 企業：アドバンテック東洋株式会社
- 価格：50万円 ~ 100万円
セパレータ『VEGシリーズ』
高剛性で長寿命！マグネットセンサと近接スイッチでの位置検出を選択可能
当社で取り扱う、セパレータ『VEGシリーズ』をご紹介いたします。 マグネットセンサと近接スイッチでの位置検出を選択可能。 長寿命で、最大1000万サイクルメンテナンスフリーです。 また、2本のロッドがワークを1つずつ選別することにより生産工程での 信頼性を向上させる「VEシリーズ」もご用意しております。 【特長】 ＜VEGシリーズ＞ ■焼き入れ済みステンレス製ガイド ■さまざまなニーズに対応 ■長寿命 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
- 企業：藤川伝導機株式会社
- 価格：応相談
［SIM］走査イオン顕微鏡法
高分解能（加速電圧30kV：4nm）でのSIM像観察が可能
・高分解能（加速電圧30kV：4nm）でのSIM像観察が可能 ・SEM像に比べてSIM像の方が極表面層の情報が得られる ・金属結晶粒観察が可能（Al、 Cu等) ・分解能はSEM像より劣る（SIM：4nm、 SEM：0.5nm） ■MST所有装置の特徴 ・試料サイズ最大直径300mmφのJEIDA規格ウエハ対応が可能 ・FIB（集束イオンビーム）加工との組み合わせで連続的な断面SIM像の取得が可能（Slice&View）
- 企業：一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
- 価格：応相談
【分析事例】CIGS薄膜太陽電池の結晶粒と抵抗評価
同一箇所における抵抗分布と結晶粒・結晶粒界評価
SSRMでは局所抵抗に関する知見を、EBSDでは結晶粒・粒界に関する知見を得ることができます。 EBSD測定と同一箇所でSSRM 測定を行うことで、結晶粒界部を含んだ領域の局所抵抗を測定しましたので紹介いたします。
- 企業：一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
- 価格：応相談
【分析事例】クロスハッチパターンの形状観察
高い垂直方向分解能で小さな凹凸を可視化可能
走査型白色干渉計（光干渉計）は、試料の表面形状を「高い垂直(Z)分解能(0.1nm)と広い(X-Y)測定視野(50μm～4.2mm)」で、高精度に非接触3次元測定を行うことが可能です。Si/SiGe積層試料表面（クロスハッチパターン）の形状観察の事例を紹介します。 平均粗さ(Ra)～1nmの形状評価可能です。
- 企業：一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
- 価格：応相談
【分析事例】毛髪中における高級脂肪酸の分布評価
高級脂肪酸の分布を可視化
毛髪（ヒゲ）の断面についてTOF-SIMSを用いてイオンイメージ分析を行い、皮脂としても検出される高級脂肪酸の分布を調べました。 その結果、脂肪酸の種類により分布が異なることが分かりました。
- 企業：一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
- 価格：応相談
【分析事例】600V耐圧SiCダイオードのブレークダウン観察
前処理から発光箇所特定まで一貫解析
高電圧電源（2000Vまで印加可能）を用いることで、耐圧の高いダイオードに対してもブレークダウンを発生させることができます。 本事例では600V耐圧のSiC Schottky Diodeを動作させ、逆方向に高電圧まで印加することで、ブレークダウンを発生させました。カソード電極を研磨で除去後、エミッション顕微鏡観察を行い、ブレークダウン電流発生箇所を特定した事例をご紹介します。測定には市販品を用いています。
- 企業：一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
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【分析事例】SIMSによるMEMS中ドーパントの三次元分布評価
イメージングSIMSにより微小領域・微量元素の濃度分布を可視化できます
市販品MEMSについて、BとAsの三次元イメージングSIMS測定を行いました（測定領域：75μｍ角、深さ：約1.5μm）。測定後のデータ処理により、任意断面・任意深さの面分布、任意領域の深さ方向分布、任意箇所のラインプロファイルの抽出が可能です。 注） イオンビームで試料を掘りながら、深さ方向にイメージを取り込みますので、破壊分析となります。
- 企業：一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
- 価格：応相談
HAADF-STEM像とは
HAADF-STEM：高角散乱環状暗視野走査透過顕微鏡法
■原理 HAADF-STEM( High-angle Annular Dark Field Scanning TEM)像は細く絞った電子線を試料に走査させながら当て、透過電子のうち高角に散乱したものを環状の検出器で検出することにより得られます。 ■特徴 Z2ρが大きな材料の方がより高角に散乱される ↓ 重い元素はSTEM像では暗く、HAADF-STEM像では明るい 原子量（Z）に比例したコントラストが得られることから、Zコントラスト像とも呼びます。
- 企業：一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
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【分析事例】CIGS太陽電池へテロ接合界面の抵抗評価
真空下での走査型広がり抵抗顕微鏡（SSRM）による局所抵抗分布評価
CIGS薄膜太陽電池のZnO/CdS/CIGSの多結晶へテロ接合界面をSSRM法で分析し、局所的な抵抗分布を計測しました。真空環境下で測定することで、測定表面の吸着水を除去し、高空間分解能を得ることができます。測定結果から、ナノメートルレベルの空間分解能で各層の抵抗値を計測できていることが分かります。各層の抵抗値が数桁異なり、これがキャリア濃度の違いを示しています。CIGS層はi-ZnO層よりも高抵抗であること、CdSはこれらの層よりもさらに高抵抗であることが分かりました。
- 企業：一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
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【分析事例】二酸化ケイ素の構造解析
非晶質（ガラス）二酸化ケイ素（SiO2）のラマン散乱分光法による構造解析
二酸化ケイ素（SiO2）は半導体における絶縁膜・FPDの基板材料・光学材料・医療機器から装身具に至るまで幅広く用いられていますが、非晶質であるガラスとして構造解析を行うことは非常に困難です。ガラス中でSiO2が環状に結合することに着目し、ラマン測定を行いました。（図1） 単結晶石英ではガラス状態のスペクトルとは著しく異なり、長距離秩序によるフォノンバンドが観測されます。（図2、 図3）
- 企業：一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
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【分析事例】極薄SiON膜の組成・膜厚評価
光電子の平均自由行程を用いた膜厚の見積もり
シリコンウエハ上の自然酸化膜・シリコン酸窒化薄膜など、厚さ数nm以下の極薄膜について、サンプル最表面のSi2pスペクトルを測定します。得られたスペクトルの波形解析を行うことにより、各結合状態の存在割合を求め、この結果と光電子の平均自由行程から膜厚を見積もります（式１）。
- 企業：一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
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FIB低加速加工
FIB：集束イオンビーム加工
FIBを用いたTEM観察用薄膜試料作製法では、高エネルギーのGaイオン（加速電圧30kV)を用いており、加工面にダメージ層が生じ、TEMの像質低下の原因となっています。そこで従来より低加速(2kV)の加工を行うことでダメージ層が低減でき、像質が改善されました。 FIB低加速加工によりFIB加工面のダメージを低減することで、TEM像観察、EELS測定において高品質で信頼性の高いデータが得られます。
- 企業：一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
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マイクロサンプリング法
FIB：集束イオンビーム加工
試料から直接小片を取り出し（マイクロサンプリング）、FIB加工を行うことができます。
- 企業：一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
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研究開発を強力サポート 「受託分析サービス」
お客様からお預かりした材料・製品の受託分析を行います。前処理から測定までをお引き受けし、分析データをご提供。
MSTでは各種材料や研究の受託分析、受託解析、受託評価サービスを行なっています。 知識豊富な営業担当が、最適な分析プランをご提案！確かな品質と安心のサポートで、お客様に疑問を残しません。 半導体・金属・電池などのエレクトロニクス分野、医薬品・化粧品・食品などの ライフサイエンス分野の受託分析・受託解析に幅広く対応します。 ・分析手法のご相談から承っております。 ・分析費用のお見積りもお気軽にお問い合わせください。 ・分析に関するお問い合わせ・お申し込みはお電話やお問い合わせより、受け付けております。 【受託分析データ例】 ○ＴＥＭ分析 原子レベルまで観察 ○ＳＩＭＳ分析 不純物の濃度を評価 ○ＸＲＤ分析 Ｘ線で結晶を特定 その他詳細は、カタログをダウンロード、もしくはお問い合わせください。
- 企業：一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
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【分析事例】多結晶シリコン太陽電池のPLマッピング
太陽電池セルの欠陥の位置を非破壊で特定することができます
太陽電池に禁制帯幅以上のエネルギーの光を照射するとキャリアが生成し、一部は発光性再結合をします。その際の発光をフォトルミネッセンス（PL）と呼びます。しかし、欠陥が存在する箇所では、キャリアが捕捉されPL強度が弱くなります。このことから、PLマッピング測定をすることで、非破壊かつ簡便に欠陥箇所を特定することができます。多結晶シリコン太陽電池セルにおいて、PLマッピング測定を行い、欠陥箇所を特定した事例を以下に示します。
- 企業：一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
- 価格：応相談
【分析事例】エポキシ樹脂の硬化温度･ガラス転移温度調査
DSC（示差走査熱量）測定による熱物性評価
二液混合型のエポキシ樹脂について、DSC（示差走査熱量測定法）を用いて硬化温度及び耐熱性の指標となるガラス転移温度（Tg）を調査しました。硬化前の樹脂をDSC測定したところ、約103℃付近から急激な発熱反応が開始するのが確認されました（図1）。これは昇温加熱により樹脂の重合（硬化）が起きたためです。更に、硬化後の樹脂を室温まで空冷した後、再度DSC測定したところ、樹脂のガラス転移に起因するベースラインの吸熱側へのシフトが確認され、Tg は約116℃でした（図2）。
- 企業：一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
- 価格：応相談
【分析事例】SiC Planer Power MOSのSCM分析
SiC デバイスの拡散層構造を可視化できます
SCMでは半導体のp/n極性を識別し、拡散層の形状を可視化することができます。 本手法はSiデバイスに活用されてきましたが、SiCデバイスにおいてもキャリア濃度が十分高い箇所では評価を行うことができます。 本資料では、SiC Planer Power MOSの断面を製作し、SCM分析を行った結果をご紹介します。
- 企業：一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
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