更新日： 集計期間:2025年11月26日～2025年12月23日
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Csコレクタ付STEMによる原子レベル分解能EDX分析
TEMの球面収差を補正したCsコレクタ付TEM装置を用いることで、高分解能で素子の断面構造観察を行うことができます。 本事例ではCIGS薄膜太陽電池の光吸収層の高分解能(HR)-STEM観察とEDX元素分布分析を行ったデータを紹介します。4種類の元素からなる多結晶構造を持つCIGSにおいて、原子分解能レベルのEDX分析を行うことで、視覚的に原子の分布を明らかにすることができました。
FFTM法による格子像解析
Fast Fourier Transform Mapping法は、高分解能TEM像をフーリエ変換し、FFTパターンのスポット位置から結晶の微小な格子歪みを解析、可視化する方法です。FFＴＭ解析により、(1)画像のx、 ｙ方向の格子歪みの解析、(2)結晶面方向の格子歪みの解析、(3)結晶面間隔分布、結晶面方位分布の解析、(4)データ分布のヒストグラム表示、(5)空間分解能5nmで0.5%の歪の検出、が可能です。 化合物ヘテロ接合多層膜試料に適用した例を示します。
雰囲気制御＋冷却下での原子レベル観察
MSTでは、雰囲気制御（＋冷却）下で原子レベルのTEM分析が可能です。 本資料では、リチウムイオン二次電池から大気非暴露で解体して取り出した正極材料のLiCoO2粒子を、雰囲気制御＋冷却下でFIB加工・TEM分析した事例をご紹介します。-174℃に冷却しながらSTEM観察とEDX分析を行い、視覚的に原子配列を確認しました。 熱的安定性の低い材料や、大気下で変質する結晶材料の高分解能分析に適用できます。
PE中のCNF(セルロースナノファイバー)分散状態観察事例をご紹介しております！
当社ホームページでは「透過型電子顕微鏡(TEM)によるCNF複合材料の 観察」についてご紹介しております。 高分子の結晶構造、ポリマーアロイのモルフォロジーの観察で培った、 染色を含めた超薄切片の作製技術、TEM観察技術を用いることで、樹脂に 複合されたCNF(セルロースナノファイバー)の観察が可能となりました。 PE中のCNF分散状態観察の写真や、拡大写真なども掲載しております。 ぜひ、ご覧ください。 【掲載写真】 ■PE中のCNF分散状態観察 ・PE/CNF分散状態観察 ・PE/CNF拡大写真 ※詳しくは関連リンクをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
短時間に、簡単操作で、高コントラスト・高分解能の画像を取得
日本電子株式会社 CRYO ARM300 II は、タンパク質に代表される電子線照射に弱い試料の観察に特化した、クライオ電子顕微鏡です。単粒子構造解析やトモグラフィー、電子線結晶構造解析などの各手法に対応しています。 〇特長 ・顕微鏡の安定性とスループットの更なる向上 ・操作性もよりシンプルに ・サンプルのスクリーニングから画像データ取得までを一体化 ・ユーザーに合わせた運用を可能にする高い自由度 ・簡単な操作で質の高い顕微鏡写真が取得 ※詳細はPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
Csコレクタ付STEMにより原子レベルでの観察が可能です
パワーデバイス・光デバイスとして実用化されているGaNは六方晶ウルツ鉱構造をとり、c軸方向に結晶学的な非対称性（Ga極性とN極性）が存在します。Ga極性とN極性ではエピタキシャル膜の成長プロセスが異なるほか、結晶の表面物性・化学反応性も異なります。 本資料では、GaNの極性を環状明視野(ABF)-STEM観察により評価しました。その結果、Gaサイト・Nサイトの位置を特定することができ、視覚的にGa極性、N極性の様子を明らかにすることができました。 測定法：TEM 製品分野：パワーデバイス・光デバイス 分析目的：形状評価・構造評価・膜厚評価 詳しくは資料をダウンロード、またはお問い合わせください。
技術情報誌The TRC Newsは、研究開発、生産トラブルの解決、品質管理等のお役に立つ分析技術の最新情報です。
【要旨】 LIB正極活物質LiCoO2について、TPD-MSによるガス分析とin-situ 昇温TEM法の2つのin-situ 昇温手法を用いて、昇温時におけるLiCoO2粒子の発生ガスと形態・組織・構造変化の関係性を調査した。その結果、ガス発生は構造変化と密接な関係にあることが示された。充放電挙動と酷似した変化も認められ、温度をパラメータにした一連の測定結果は、実材料を解析する上でも重要な知見になること、また、高分解能（40nm角程度の視野）でないと検出できない微視的構造変化（ドメイン構造の形成など）について、ASTAR＊（＊ASTARはNanoMEGAS社の登録商標）を用いることで1μm角以上の視野で可視化でき、定量的に解析できることを示した。 【目次】 １．はじめに ２．実験方法 ３．TPD-MSを用いたガス発生挙動の観測 ４． in-situ昇温TEM法による組織変化の観察 ４-１． STEM像における形態・組織変化の観測 ４-２． HRSTEM像における結晶構造変化の観測 ４-３． 650℃以上の形態・組織・構造変化の観測 ５． まとめ
高倍率観察(30万倍程度まで)が可能
SEMは、電子線を試料に当てた際に試料から出てくる電子の情報を基に、試料の凹凸や組成の違いによるコントラストを得ることができる手法です。 ・簡単な操作で高倍率観察(50万倍程度まで)が可能 ・二次電子（Secondary Electron;SE）像、反射電子（BackScattered Electron;BSE）像、透過電子（Transmitted Electron;TE）像の観察が可能 ・加速電圧0.1～30kVの範囲で観察が可能 ・最大6インチまで装置に搬入可能（装置による） ・SEMにオプションを組み合わせることにより、様々な情報を得ることが可能 EDX検出器による元素分析が可能 電子線誘起電流（EBIC）を測定し、半導体の接合位置・形状を評価 電子後方散乱回折（EBSD)法により、結晶情報を取得可能 FIB加工とSEM観察の繰り返しにより、立体的な構造情報を取得可能（Slice & View） 冷却観察・雰囲気制御観察
走査型電子顕微鏡（SEM） ■業界：自動車（試作）／半導体／ロボット
単結晶ダイヤモンドチップの刃先表面を走査型電子顕微鏡（SEM）で観察しました。 PCD（ダイヤモンド焼結体）の刃先表面も観察し、比較しました。 表面の微細な凹凸の違いがはっきりと確認できました。 この違いが加工にどのように影響するか。 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
高機能材料などの解析シミュレーション はじめ、さまざまなタイプの材料に対応した材料開発シミュレーションソフトウェア
『Materials Studio』 量子力学(密度汎関数法)、古典力学(分子動力学計算)、 メソスケール(散逸粒子動力学計算など)、統計、分析/結晶化ツールを備えた 次世代材料開発向け分子モデリング/シミュレーションツール群。 【特長】 ■材料開発を効率化するシュミレーションソフト 業界・分野を問わず、研究、開発、設計、製造に従事される方にご利用いただけます ■さまざまなタイプの材料に対応 ■一つのGUI画面上で、結晶構造の作成、計算条件設定、計算結果表示の 全てを行うことが可能 【事例】 トライボケミカル(潤滑)反応 CFRP(炭素系素材)などの解析 結晶成長や薄膜形成、燃料電池、潤滑剤などの研究開発 触媒、ポリマーや混合物、金属や合金、電池や燃料電池など ※詳しくはお気軽にお問い合わせ下さい。
SEM-ECCI法を用いると容易な前処理で観察可能に！単結晶GaNの測定事例もご紹介
当社では、SEM-ECCI法によるGaNの転位観察を行っております。 窒化ガリウム（GaN）等のパワー半導体において、製造時に含まれる転位は デバイス性能の低下や短寿命化の要因とされています。 半導体の転位観察は主に透過電子顕微鏡（TEM）やエッチピット法が用いられますが、 SEM-ECCI法を用いると容易な前処理で観察可能となります。 【測定事例】 ■供試材：単結晶GaN（サファイア基板上にGaNを成膜したウェハ） ■面方位：C面（0001）±0.5° ■GaN膜厚：4.5±0.5μm ■測定条件：後方散乱モード ※詳しくは関連リンクをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
イオンミリング法によるCP加工でダレのない断面試料を作製します。
イオンミリング法による断面加工で、高倍率の観察に必要な精密試料調整を実施致します。 従来の研磨紙・研磨剤を用いた機械研磨では、研磨時の応力によりダレが発生したり、ボイドが潰れたり、割れが発生することがありました。 そういった現象が起きやすい試料でも、非常に弱いイオンビームで研磨加工を行うことにより、微小領域の高倍率観察・分析や結晶方位解析(EBSD)が実施可能な断面試料を作製するとができます。
GaNなどのパワー半導体の転位やステップ(微小な段差)、微小方位差が観察可能です。
GaNなどのパワー半導体において、原子レベルの欠陥は性能の劣化に影響を及ぼします。EBSD検出器を用いた前方散乱電子の評価により、転位に加えてステップ(微小な段差)や微小方位差の観察が可能となります。
最大200nAの照射電流は、各種マイクロアナリシスに対応！分析能力も強化
広視野全体像から表面微細構造まで、短い時間で多くの情報を取得できる 「FE-SEM」を導入した事例をご紹介いたします。 表面微細構造、組成、結晶学的情報、形状情報など多彩な イメージング能力を装備。 複数の二次電子信号や反射電子信号が同時に取得でき、これまでより 短い時間で多くの情報を得られるようになりました。 【事例概要(抜粋)】 ■導入製品：HITACHI製SU7000 ・電子源：ZrO/Wショットキータイプエミッター ・二次電子分解能：0.8nm(加速電圧 15kV)、0.9 nm(加速電圧 1kV) ・加速電圧：0.1～30kV ・倍率：20～2,000,000倍(装置スペック) ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
ご要望に応じた分析用・観察用の断面サンプルを作製致します。
はんだ接合部断面・溶接部断面の観察や、異物断面の分析、ASSY品の内部の確認などに必要な試料の前処理加工、「対象物の切断→樹脂包埋→研磨」までの試料調整を実施致します。 試料調整だけのご依頼はもちろん、調整後の観察や分析まで一括で承ります。 ・ポリエステル樹脂 大きい製品を埋めるときに使用 樹脂中に塩素を含まない ・アクリル樹脂 透明度が高い 傷が付きにくい ・エポキシ樹脂 硬化収縮率が小さく、ヒビが入りにくい（カタログ値0.5％） 耐熱／耐水／耐薬品／耐候性に優れている 非着体に対し、接着力が優れている 樹脂中に微量に塩素が含まれている ・ポリッシャー 断面サンプル作製時間が短い。（鏡面研磨までの工程が少ない） 主に樹脂材／鋼材などの研磨に使用。 ・精密ポリッシャー 研磨圧力、研磨時間を設定することが可能。 超硬・セラミックなどの硬質材を研磨してもダレを抑えることが可能。
