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独自のスポットプラズマ技術で局所加工が可能な卓上プラズマエッチング装置
『TP-50B』は、電波法による設置許可申請も不要の50Ｗ型で、操作も簡単、気軽にプラズマ加工が行える卓上プラズマエッチング装置です。 独自のスポットプラズマ技術で局所加工が可能で、半導体故障解析用試料の前処理（配線の露出）から、各種プラズマ加工に幅広く対応致します。 また小型のため、スペースの限られた研究室で活躍します。 【特長】 ■卓上サイズでコンパクト ■局所的なプラズマ加工が可能（Φ0.5mm～） ■低残渣かつ高速加工を実現（10μm/mim） ■低出力のRF電源（最大出力50W未満） ■試料をステージで移動させた広範囲の加工が可能 ※詳しくはPDFをダウンロードいただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
独自のスポットプラズマ技術で局所加工が可能な卓上プラズマエッチング装置
『TP-50B』は、電波法による設置許可申請も不要の50Ｗ型で、操作も簡単、 気軽にプラズマ加工が行える卓上プラズマエッチング装置です。 独自のスポットプラズマ技術で局所加工が可能で、半導体故障解析用試料の 前処理（配線の露出）から、各種プラズマ加工に幅広く対応致します。 また小型のため、スペースの限られた研究室で活躍します。 【特長】 ■卓上サイズでコンパクト ■局所的なプラズマ加工が可能（Φ0.5mm～） ■低残渣かつ高速加工を実現（10μm/mim） ■低出力のRF電源（最大出力50W未満） ■試料をステージで移動させた広範囲の加工が可能 ※詳しくはPDFをダウンロードいただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
ウェハやガラス・大型基板のエッチング・アッシングに実績豊富なバッチタイプエッチング装置。 半導体製造装置部品・材料にも対応
実績豊富なバッチタイププラズマエッチング装置「ＥＸＡＭ」をベースとし最大Φ６００ｍｍもしくは５００ｍｍ□までステージを拡大。 大型ステージでファインピッチのエッチング・各種有機物のアッシング・表面改質・クリーニングなど幅広いプロセスに対応 「従来機種ＥＸＡＭ」同様にウェハ・ガラス・セラミック基板のエッチングを行なうと共に大型実装基板・カット済みのフィルム基板のエッチング・クリーニング・表面処理にも実績豊富。 電子デバイスだけでな半導体製造装置部品や材料などくクリーンネスと繊細な表面処理が求められる大型製品の処理にも最適な新型ドライプロセスツール
ニッチプな要求に細やかに対応。ライトエッチング・アッシングを薄ウェハや両面処理に、コンパクトタイプＣｔｏＣエッチング装置
薄ウェハ（１００μｍ以下）の自動枚葉搬送を実現したプラズマエッチング装置。マルチモードプラズマとステッププロセスで幅広いプロセスに対応 自然酸化膜除去から厚膜レジストアッシング・クリーニング・ディスカムまで。 ディスクリートＩＣ、パワーデバイス、化合物半導体・ＭＥＭＳなど多くのデバイスの量産現場で多様なプロセスで活躍中
ICの絶縁層を除去！フットプリントが小さく、費用対効果の高いシステム
当社では、半導体故障解析用プラズマ・エッチング装置を 取り扱っております。 電気的な特性を維持するために金属層を侵食させない、マルチレベルの デプロセッシングから、金属エッチングを含む、高い選択比で損傷のない プロセスまで、RIE、ICP-RIE FAソリューションは、最大200 mmまでの ダイ、パッケージダイおよびウェハーのサンプルでご使用可能。 ご用命の際は、お気軽にお問い合わせください。 【特長】 ■ダイ、パッケージダイ、200mmウェーハのプロセス可能 ■蓄積されたプロセスノウハウは、オーバーエッチングを防止 ■フットプリントが小さく、費用対効果の高いシステム ※英語版カタログをダウンロードいただけます。 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
コンパクトなバッチタイプでサブミクロンのエッチングに対応、サンプルテスト対応によるプロセスサポートが特徴のプラズマエッチング装置
バッチタイプでサブミクロンのＳｉ酸化膜のエッチングに対応。 ＳｉＮ、Ｓｉ系薄膜だけでなく高融点金属や難エッチング材にも対応 石英の垂直性エッチング、厚膜レジストの微細加工等ニッチデバイスの加工に最適。 プラズマモード切替によるマルチステッププロセスでアッシングやクリーニングまで幅広い用途に積極対応
新プラズマ源ＨＣＤ（ホローカソード放電）電極搭載、各種メタルやＣｕ薄膜のエッチングに対応。大面積化も容易な新型エッチング装置.
新開発プラズマ源HCｄ（ホローカソード放電）型電極搭載。無磁場・無アンテナのシンプルなk構造で従来型電極より一桁高いプラズマを密度を実現。 独自開発高密度プラズマと独自プロセスで各種メタルだけでなくＣｕ薄膜などの難エッチング材のエッチングに対応。 新開発HCD型ヘッドはスケールアップが容易で矩形基板や大型基板の高精度エッチングが可能。 ３００ｍｍウェハや積層基板、最大１ｍ□までの基板のメタルエッチングに対応。 近年ニーズが高まっている半導体周辺部材（フォトマスク、高密度実装基板）をカバーする従来のプラズマエッチングにとらわれない新型エッチング装置
フランスで設計・製造された業界最小、ウエハトレイのみ交換で2～12インチウエハ対応、Corial 300・500シリーズ
当社で取り扱っている、薄膜用PECVD・ドライエッチング装置 「SHUTTLELINE(R)」・バッチプロセス対応コンパクト300＆500シリーズ についてご紹介いたします。 成膜はPECVD。エッチングはRIE ICP ICP-RIE。 ユニークなウエハステージを使用することで、例えば2インチウエハであれば 1枚～最大27枚のバッチ処理可。 開発から量産までお使いいただけます。 【特長】 ■成膜装置PECVDは、チャンバーがコンパクト設計の上、自動クリーニングを 取り入れる事により、スループットを最大にする事が出来る ■エッチング装置は、運用コスト下げられるとの事で、多くのマイクロ LEDメーカーで採用 ■ウエハ片、フルウエハと多様なウエハサイズ・形状に対応 シャトルシステム(ウエハステージ)により、異なるサンプルサイズでも ハードウェアの変更が不要 ※詳しくは、お気軽にお問い合わせください。
