更新日： 集計期間:2026年02月18日～2026年03月17日
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パネル構造解析、EMC対策等パネルモジュールの品質、分析などをトータルサポート！
当社では、ディスプレイ製品のトータル・クオリティ・ソリューションを ご提供しております。 信頼性評価のための駆動回路、パネル特性の評価回路を設計し、 海外から調達したパネルの品質不良を解析・分析。 また、パネルモジュールからディスプレイ全般にわたって EMCコンサルティングを行なっております。 【サービス内容】 ■ディスプレイ製品の不良解析、構造解析、信頼性試験 ■EMC評価・対策 ■表示不良解析 ■信頼性試験 ■パネルの評価・解析 ■パネルの構造解析 ※詳しくは関連リンクをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
欠陥部分や歪の傾向などを視覚的に把握する事も可能！形状解析や寸法測定などの解析、評価を代行します
当社は、「形状比較評価」や、「3次元寸法・幾何公差測定」を 行っております。 「形状比較評価」では、3DスキャンしたデータとCADモデルを比較する 事で、形状や加工精度を確認することが可能。 「3次元寸法・幾何公差測定」では、ノギスやマイクロメーターなどの アナログ計測器では出来ない寸法測定、断面解析、形状や姿勢などの 幾何公差を測定する事が可能です。 また、お客様がお持ちの3Dスキャンデータを当社がお預かりし、形状解析や 寸法測定などの解析、評価を代行する「受託解析サービス」も行っております。 【サービス内容】 ■形状比較評価 ■3次元寸法・幾何公差測定 ■受託解析サービス ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
これまでの非破壊解析では困難であった低抵抗ショート不良の解析が可能に！
磁場顕微鏡は、電流により発生する磁場分布を測定対象外から測定し、 測定対象内に流れる電流経路を推定する非破壊の解析技術です。 磁場顕微鏡で特定したショートなどの異常個所を3次元X線顕微鏡(X線CT)で 観察することにより、非破壊で詳細な原因解析が可能。 ご用命の際は、当社へお気軽にお問い合わせください。 【解析フロー】 1.磁場顕微鏡による異常検出 2.3次元X線顕微鏡による観察 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
動的特性についての詳細な構造解析を行うことが可能！クリアなユーザーインターフェイス
『ODS Project』はTPA Projectの構造解析パッケージの一部で、 実測データと測定点ライブラリーを利用することにより振動パターンを 同定し指定した実稼働状態でアニメーション化する実稼働振動形状解析です。 すべての情報を一元的に俯瞰することができ、自動で解析と アニメーション化を行い、すぐに評価を開始することが可能。 また、Time Domain Animation Project(TDA)を利用して非定常的な 構造における振動形状のアニメーション化と解析を行うことが可能です。 【主なフィーチャー】 ■選択したチャンネルをカラーバンドと2Dダイアグラム上に表示し 分析できるオートスペクトル ■追加収録した空気伝搬チャンネルの為のFFTダイアグラム ■アニメーション化する形状の保存と選択の為のShape Table ■MPC値自動計算(モード位相共線性) ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
質量スペクトルを可視化することで、より高精度な解析が可能です
有機EL(OLED)は高精細ディスプレイ向けパネルや照明用など多様な用途に用いられており、層構造解析や劣化解析のニーズが高まってきていますが、様々な有機材料を組み合わせて形成されているため、元素分析だけでは一部の現象しか捉えることができません。 本資料では、TOF-SIMSによりOLEDの深さ方向分析データを取得し、MSDM(Mass Spectra Depth Mapping)により解析した事例をご紹介します。
表面の化学組成、結合状態および不純物分布などを詳しく調査！
当社で行う「半導体の表面・薄膜解析」についてご紹介いたします。 半導体デバイスのプロセス開発・工程管理・不良解析において、材料評価・ 故障モードの特定に有効な分析をご提案。 表面の化学組成、結合状態および不純物分布などを詳しく調べ、研究開発 および製造プロセス・不良解析に役立つ情報をご提供します。 ご用命の際は、当社へお気軽にお問合せください。 【最表面】 ■組成：XPS ■結合状態：XPS ■汚染：TOF-SIMS・ICP-MS ■ラフネス：AFM・SEM ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
微小差異解析ワークフローを提案！膨大な成分の中から差の原因となる化合物を特定
材料分析における主な事例として、発生ガス分析、組成分析、分子構造 解析等があります。 当社では、高分子材料の発生ガス分析、熱分解生成物分析、添加剤分析、 劣化解析などに有用なGC-TOFMSを提供。分析目的に合わせた2つのシリーズを ラインアップしております。 お客様の様々なニーズに応じた材料解析手法をご提案しております。 【ラインアップ】 ■Pegasus BT ■Pegasus BT 4D ■Pegasus HRT+ ■Pegasus HRT+4D ※詳しくは関連リンクをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
「分析・解析・評価」を通じた課題解決で様々な製品開発に貢献します。
あらゆる材料分野で蓄積してきた信頼性の高い分析・解析技術と、広範囲な業界のお客様からの課題をもとに専門家の視点での分析調査をご提供しています。 ■事業内容■ ○化学成分分析 ○物理分析(表面解析) ○物理分析(構造解析) ○有機分析 ○試料作製 ○EVモーターの分解調査；部品の取り出しから材料分析まで ○ミクロ・硬さ調査 ○材料分析 ○環境測定・分析 ○労働安全衛生 ○受託調査 ※会社案内ご希望の方は、カタログダウンロードもしくはお問い合わせ下さい。
材料特性に合わせた試料調整技術および測定・解析技術を駆使し、有機・無機ケイ素材料の評価サービスでお客様の課題解決をいたします！
ケイ素材料はシロキサン・シリコーンのような有機ケイ素材料、 シリカ・シリコンのような無機ケイ素材料からなり、 その化学構造により様々な特性を有し、 工業材料として原料から製品まで幅広い分野で活用されています。 一方で、その多様性から広い範囲での評価が必要です。 弊社では、研究開発から品質管理までの各ステージにおいて、 これまでの経験を基に、各種分析をご提案いたします。 有機ケイ素材料：ガス分析、組成分析、構造解析、金属分析、表面分析、 形態観察 無機ケイ素材料：形態観察、構造解析、表面分析
正極活物質の定量分析、結晶構造の精密評価
リチウムイオン二次電池の正極として用いられるLi（NiCoMn)O2（NCM）では、Ni比率を高めることで高容量化が可能となり、高温保存性にも優れることから、車載用として量産されております。一方、NiイオンがLiサイトを占有するカチオンミキシングが二次電池の劣化の要因の一つであるとされております。正極活物質についてICP-MSによる金属含有量評価、XRDによる結晶構造評価を行い、その結果を用いて、リートベルト解析を行い、カチオンミキシングの割合を評価した事例を紹介いたします。
着目の成膜パラメータ（温度、圧力）にて多分子競合吸着性の評価が可能です
領域選択的原子層堆積（AS-ALD）において、小分子阻害剤（SMI）は基板表面でのプリカーサ吸着の表面選択性を制御します。SMIは、基板の非成長表面への不要な堆積を防止し、成膜プロセス中の薄膜形成に重要な役割を果たします。本事例ではGCMC（グランドカノニカルモンテカルロ）法を用いて、Cu(111)表面におけるSMI（アニリン、ピリジン）とTMA（トリメチルアルミニウム）の単分子および2分子種の競合吸着量の予測をしました。本解析は、分子の立体効果まで含めた吸着特性の評価に有効です。
豊富な装置と知見！化学機器分析で材料全般の分子構造を解明いたします！
液晶材料には様々な種類があり、LCDパネルに使用する低分子もあれば、 プリント基板や電装部品などに使用される高分子もあります。 それら低分子液晶、高分子液晶（LCP）の分子構造を解析した事例をご紹介。 当社では、豊富な装置と知見で、液晶材料のみならず、様々な素材の 信頼性試験、分析解析にご対応いたします。海外輸入品・素材の分子構造の 把握や不具合解明など、お気軽にご相談ください。 【事例内容】 ■FT-IR分析による分子構造解析 ■XPS（ESCA）分析による表面官能基（分子団）の把握 ■GC-MSによるLCD用液晶材料分析例 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
SiCウェーハに形成されたエッチピットを3次元X線顕微鏡(X線CT)で観察した事例を紹介！
パワー半導体の普及に向け、低欠陥のSiCウェーハの開発が 進められています。 X線CTは非破壊で物質の形状を3次元的に可視化し、定量評価できる手法です。 PDF資料にて、SiCウェーハに形成されたエッチピットを3次元X線顕微鏡 (X線CT)で観察した際のCT像をご覧いただけます。 【概要】 ■X線CTによるエッチピットの形状解析 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
材料と目的に応じた分析手法をご提案！液晶・封止材など部材毎の化学分析例をご紹介
液晶ディスプレイは、液晶の他、シール材や封止材、偏光板など、 様々な有機材料が使用されています。 それぞれの部材の材料特性や材料劣化メカニズムを化学的な視点から 考察する事は、製品評価や製品不良解析において重要となります。 本資料では、液晶ディスプレイの部材ごとの化学分析例をご紹介しています。 【化学分析例】 ■FT-IR：主成分分析 ■EDX：元素分析 ■GCMS: 液晶成分分析 ■HS-GCMS︓アウトガス分析（劣化解析）ほか ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
複合解析で活性化率に関する評価が可能
SIMSによる不純物濃度分布とSRAによるキャリア濃度分布を比較することで、ドーパントの活性化状態がわかるだけでなく、整合しない領域には未知の不純物の存在、構造的な問題の内在が示唆されます。 Profile Viewerを用いれば、お手元でSIMSのデータとSRAのデータを重ね、解析することが可能です。 一例として、市販のダイオードチップについて、パッケージ開封後のダイオードチップ表面中央部と外周部（図1）および裏面について、SIMSとSRAを行った事例をご紹介します。
高分子、プラスチック、複合材料等を主な対象とした各種の分析を行います。
高分子の構造解析、分子量測定、組成分析の他、熱分析、レオロジー等の熱的特性、重金属をはじめとする各種元素分析、溶出試験、その他の各種分析試験を行うサービスです。また、長年のノウハウを活かし、各種配合材料 (コンパウンド、電子材料、塗料、接着剤等) の成分分析・全組成分析を行います。
エリプソメトリによる、PVA膜スピンコート直後の経時変化とシリコン絶縁膜の傾斜エッチング評価について解析例を紹介する。
技術情報誌The TRC Newsは、研究開発、生産トラブルの解決、品質管理等のお役に立つ分析技術の最新情報です。 【要旨】 分光エリプソメトリーは光の偏光状態の変化を測定し、光学定数（屈折率・消衰係数）や膜厚を評価する手法として知られている。2021年に導入した高速分光エリプソメトリーM-2000UIによる、PVA膜スピンコート直後の経時変化とシリコン絶縁膜の傾斜エッチング評価について解析例を紹介する。 【目次】 １. はじめに ２. エリプソメトリーについて ３. PVA膜スピンコート直後の経時変化 ４. シリコン絶縁膜の傾斜エッチング評価 ５. おわりに
製品・材料に係る規制に適合しているか否かの分析・評価も実施します。 材料分析を行うことによって不具合の原因を特定します。
「モノづくり」を追求するためには、最も上流に位置する材料の品質確保が重要な要素となります。弊社では、製品における環境負荷物質(フタル酸エステル類、重金属、ハロゲン類など)の分析および製品の付着物、異物、腐食、劣化、変色などを調べ、製品の不具合・不良の原因解析など、樹脂・金属材料の組成分析による品質評価を行っています。また、製品・材料に係る規制(RoHS指令など)に適合しているか否かの分析、評価も行います。 【特長】 ・電線材料の分析で培ったノウハウ、経験を礎にした有機・無機材料の分析および解析技術を駆使することで多様なニーズに対応します。 ・RoHS分析の他、物性評価(引火点、粘度など)や不良解析(異物、変色、腐食、劣化など)など、様々な分析品目に対応します。 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
他元素を波形解析することでLiの結合状態別存在比を算出出来ます
リチウムイオン二次電池において、SEI層(固体電解質界面)は電池の寿命に大きく関わる要素であり、そこに含まれるLiの化学種を知ることは重要です。Li自身はケミカルシフトが小さく直接の評価が困難ですが、結合相手元素（C、O、F、P）を波形解析で状態分離することにより、Liの結合状態別存在比を算出することが出来ます。サイクル試験前後のLiの状態評価をしたところ、試験後では試験前に比べて、Li2CO3、 Li-POxFyの存在比が増加することが判りました。
Slice and Viewによる充填度・ボイドの観察
リチウムイオン二次電池の電極は、正極・負極ともに活物質・導電助剤・バインダから構成されています。 電池の容量や信頼性等の特性には、材料の組合せや配合比・活物質の充填度・ボイド等が大きく影響していますが、このうち、充填度やボイドを観察する方法として完全ドライ雰囲気で加工・観察が出来るFIB-SEM観察が非常に有効です。更に三次元的な観察(Slice & View)を行うことで電極の様子を直接的に評価することが出来ます。
レーザーブレイクダウン分光分析システム
■ どこへでも持ち運び可能なポータブル型 ■ 豊富なデータベースにより、正確で迅速な解析 ■ ASCII、Binary、Excel(CSV)形式、WMFとWPG形式で出力可能
材料由来の不具合の原因分析、材料開発。ナノレベルの構造／表面分析によりサポートします
故障や製造不良の原因が原子数個の大きさであっても、ユーロフィンFQLはそれを追求します。 透過型電子顕微鏡をはじめ、原子数個の大きさを調べる分析装置と材料そのものに対する知見をもとに、製品の品質向上を支援。 “製品や部品に付着した異物の正体を特定したいが、方法がわからない”などのお悩みがありましたら、是非お問い合わせください。 【特長】 ■故障や製造不良の原因が原子数個の大きさであってもそれを追求 ■透過型電子顕微鏡をはじめ原子数個の大きさを調べる分析装置と 材料そのものに対する知見をもとに、製品の品質向上を支援
金属との接合状態や樹脂材料成分の分散状態を明確に観察可能！
当社で行う「金属表面のコーティング膜解析」についてご紹介します。 金属表面に腐食防止などを目的に形成されたコーティング膜(樹脂や セラミックス)を評価する際には、イオンミリングによる断面加工を施す ことで、金属との接合状態や樹脂材料成分の分散状態を明確に観察可能。 イオンミリングは、SEMなどの断面観察用の試料作製に用います。Arイオンを 試料の加工該当部に照射し、そのスパッタ効果を用いて加工します。 【イオンミリング加工のメリット】 ■介在物を脱粒させずに、そのままの状態で確認できる ■空隙が確認された場合は、脱粒によるものではないことが特定できる ■元素分布確認(EDS分析)にて、白色樹脂内の粒子、金属との界面、 金属表面のメッキ層の積層が明確に確認可能 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
X線ロッキングカーブ法では、反りなどの形状変化がない結晶のひずみを検出することが可能！
当社で行う「Siウェーハのひずみ解析」についてご紹介いたします。 半導体デバイスの製造工程においては、ウェーハ薄研削加工の際に生じる 残留応力によって、製品の故障・不良・劣化につながる可能性があります。 今回、Siウェーハに対して機械研磨を行うことで表面の結晶性を低下した 状態にし、研磨前後の結晶性変化をX線ロッキングカーブ測定で評価。 X線ロッキングカーブ法では、反りなどの形状変化がない結晶のひずみを 検出することができます。 【技術概要】 ■ロッキングカーブ測定 ・回折が起こる角度位置に検出器を固定し、試料のみ回転させることで、 回折条件を満たす回転の角度分布が測定できる。 ・角度分布(ロッキングカーブ)のピーク幅・強度は、結晶ひずみなど 結晶面の傾きのばらつきを反映し、結晶性の評価指標となる ・単結晶では、高角度分解能測定により、微小なひずみを評価できる ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
より良い観察の提案が可能！高い透過力と解像度を併せ持つX線CTを導入
自動車の電装化が進むにつれ、部品の採用車種や一台当たりの搭載部品点数が 飛躍的に増大し、開発段階においては、試作品の評価工数の短縮が、ますます 要求されています。 試作品の製造品質確認や信頼性評価は、破壊解析によるものが主流でしたが、 工数もかかるうえに、問題が無かったとしても、一度破壊してしまった試作品や 市場不良・工程不良品を元に戻す事は出来ません。 そこで、非破壊のままでも多くの有益なデータを得たい、直接目視できない モジュール内部の出来栄えを確認したい、信頼性試験による劣化調査を行いたい、 といった要望が高まっています。 ”クオルテック 名古屋品質技術センター”では、高い透過力と解像度を併せ持つ X線CT「FF35」を導入。より良い観察の提案が可能です。 【特長】 ■内部構図を立体的に把握でき、任意箇所の断面画像を得られる ■二つのX線管を併せ持つCTシステム ■150nmまでの微細構造を認識できる高解像度観察が可能 ■積層物のCTに適したヘリカルスキャン機能も搭載 ※詳しくは関連リンクをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
太陽電池モジュールや太陽光発電設備でのお困りごとの解決策を、故障検出の知見を活かしご提案いたします。
●太陽電池モジュールの評価／分析 太陽電池モジュールの故障解析や性能評価を実施します。 ・非破壊検査：製品出荷検査と同等のEL測定や出力測定にて、故障状態を顕在化します。 ・破壊検査：不具合部分の断面成分解析等にて、故障原因を特定します。 ●現地調査 自然災害等による太陽光パネルの被害状況や、発電低下部分の原因追及を行います。 ・ソラメンテによる測定をはじめ適切な方法をご提案し、故障状況や原因を調査します。 ・調査結果より、保険会社向けの調査報告書をご提出します。
湿度を制御しながら“その場”で観察 ― 安定性と転移挙動をラマンで解析
調湿制御装置は，試料を非接触で観察できるプローブ型ラマンと組み合わせることで，温湿度変化に伴う結晶転移や吸湿挙動をリアルタイムで評価できます．原薬の安定性評価，包装材の影響解析，保存条件の最適化などに応用可能で，非破壊での“環境再現型”測定を実現します．
LEDの解体から蛍光体・LEDチップなど各材料の分析まで行います
省エネルギー化のキーデバイス照明用LEDについて、市販品を解体し、各材料の組成分析・不具合箇所特定・物理解析・不純物分析など実施します。
構造把握・材料評価・劣化原因特定など各種手法を組み合わせて評価します
有機ELは、自発発光するフレキシブルな次世代ディスプレイ、照明パネルとして期待されておりますが、更なる信頼性の向上が望まれています。各種手法を組み合わせることにより、構造解析や状態分析および劣化原因の特定などの総合評価が可能です。
電池セルの作製から充放電サイクル試験から解体、劣化成分量の調査まで
二次電池の劣化のメカニズムを調べる際に、電極表面の付着物を解析することが重要となっています。MSTではサンプルを雰囲気制御下でTOF-SIMS測定を行いますので、電極最表面の化学状態を大気暴露による変質無く評価することが可能です。 また、充放電サイクル試験から電極表面の測定まで一貫して行うことで、充放電の状態と電極表面の付着物の状態の相関を調べることができます。
