更新日： 集計期間:2025年08月20日～2025年09月16日
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光学顕微鏡観察及び極低加速FE-SEMにて観察！詳細な構造の解析や元素分析等が可能
市販の角型Liイオン電池を機械研磨し、光学顕微鏡観察及び極低加速FE-SEMにて 観察することにより、詳細な構造の解析や元素分析等が行えます。 資料では、Liイオン電池の全体構造及びSEM観察や極低加速FE-SEMによる Liイオン電池の詳細構造観察を写真を用いてご紹介しております。 【解析概要】 ■Liイオン電池の全体構造及びSEM観察 ■極低加速FE-SEMによるLiイオン電池の詳細構造観察 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
ナノ領域の構造解析、形態観察を受託しております。
ナノチューブなどナノ材料などを、TEM、SEM、EDSによるナノ領域の構造解析・形態観察を受託します。
技術情報誌The TRC Newsは、研究開発、生産トラブルの解決、品質管理等のお役に立つ分析技術の最新情報です。
【要旨】 CNFを扱う研究開発のうち、ほぼすべての材料分野、研究フェーズで電子顕微鏡を用いた観察は必要な評価となっている。特にポリマー中に分散するCNFをTEM観察するためには、これまで高分子材料のTEM試料作製を実施する上で不可欠であった「電子染色」の技法を駆使する必要がある。今回、CNFを用いた複合材料の形態観察事例を紹介すると共に、CNF自体の観察事例、構造解析例として13C核 固体NMR法による結晶化度、および酸加水分解HPLC-蛍光検出法による構成糖分析の例を示す。 【目次】 １．はじめに ２．形態観察の概要 ３．CNFおよびCNF／ポリマーの観察事例 ４．CNFの結晶化度の評価 ５．CNFの構成糖分析（HPLC-蛍光検出法） ６．まとめ
不良解析の実績多数！現象の確認から不良発生メカニズムの推測など、詳細な解析が可能
当社では、「海外製ディスプレイの不良解析」を行っております。 現象の確認から、不良発生メカニズムの推測、原因となった 生産工程の絞り込みなど、詳細な解析が可能です。 点灯観察、パネル解体、光学顕微鏡観察を不良症状に合わせて実施。 不具合箇所を絞り込み、詳細解析が必要な場合は適切な手法を提案させていただきます。 【詳細解析例(一部)】 ■配線の断面観察 ■異物分析 ■液晶成分分析 ■電気特性測定 ※別途費用が発生いたします ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
STEMでめっきされたコネクタ端子表面の付着物層(20nm程度)の”表面を保護するサンプリング法”により損失なしで確認可能です
STEM(走査型透過電子顕微鏡 )とEDS(エネルギー分散型Ｘ線分析装置)では細く絞った電子線を試料上で走査することで、試料の組成に関する情報（原子番号を反映したコントラスト像）が取得できます。 以下の特長もあります。 ・電子線の入射角度を変えることで、回折コントラストの変化を観察 ・観察対象が結晶質であるかの判断 ・結晶内にある結晶欠陥（転位、双晶等）の情報の獲得 本事例では 「STEMによるAuめっきされたコネクタ端子接点不良解析」 を紹介します。 ぜひPDF資料をご一読ください。 また、弊社では本STEMに加えTEM、SEM各種断面解析を行っております。 お気軽にご相談いただければ幸いです。 セイコーフューチャークリエーション 公式HP https://www.seiko-sfc.co.jp/ ※その他の資料もあります。問い合わせボタンからご用命いただければ送付いたします。
技術情報誌The TRC Newsは、研究開発、生産トラブルの解決、品質管理等のお役に立つ分析技術の最新情報です。
【要旨】 酸化ガリウム（Ga2O3）は次世代パワー半導体材料として注目を集めており、近年研究が盛んになってきている。半導体デバイスの信頼性、特性改善にはプロセス技術の最適化が必要であり、その評価方法が重要となる。本稿ではエピタキシャル膜の品質評価に必要な結晶構造解析と、デバイス特性への影響が大きいイオン注入プロセスにおける不純物、欠陥、キャリア濃度解析を行った事例を紹介する。 【目次】 １．はじめに ２．断面TEM、平面STEMによる結晶構造解析 ３ イオン注入プロセス評価 ４．まとめ
技術情報誌The TRC Newsは、研究開発、生産トラブルの解決、品質管理等のお役に立つ分析技術の最新情報です。
【要旨】 金属チップ先端などに局在化する近接場光を利用した分光分析技術はナノメートル領域の化学構造の解析を可能にする手法として強く期待されている。チップ増強ラマン分光法や近接場ラマン分光法はその代表的な手法であり、原理解明や応用に関する様々な研究が行われてきた。本稿ではそれらの材料分析への適用例を示し、材料解析に対する実用性について言及する。 【目次】 １．はじめに ２．TERSによるCNTの結晶構造解析 ３．SNOM-RamanによるSiO2/SiC界面応力解析 ４．まとめ
微生物群集構造解析の結果や、主座標分析、レアファクションカーブなどをご紹介！※解析事例集進呈中
土壌サンプルの自社データをご紹介します。 当データは、4地点について各4サンプル解析した結果です。 MiSeqでの取得データについては各サンプルおよそ10万リード程度 得られています。 納品データはhtml形式のファイルが含まれており、グラフ等は webブラウザでの閲覧が可能なので、ぜひ関連リンクよりご覧ください。 【概要】 ■16SrRNAのV4領域のデータを用いた微生物群集構造解析の結果 （門レベルの分類） ■OTU heatmap ■主座標分析（PCoA） ※オプション ■レアファクションカーブ ※オプション ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
多様な解析手法と適宜対応で製品の品質向上に役立つサービスをご紹介
当社では、他社の製品サンプルを含め、様々な不良に対する詳細な不良解析サービスを行っております。 広範囲に及ぶ多様な解析手法を用いて、不良の原因を詳細に調査します。 FTIR（フーリエ変換赤外分光法）などの専門的な材料解析技術を利用し、材料自体の問題や不具合を特定することも可能です。 また、必要に応じて工業試験所などの外部設備を利用し、社内設備で対応できない特殊な解析も可能です。 依頼内容や製品の状況を詳細に伺った上で、特に不良が発生しやすいと予測される部分を集中的に解析します。 【サービス事例】 ■LED製品解析 ■ワイヤーボンド接合部解析 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
不良モードに適した様々な手法を組み合わせることで、不良ノードの特定から物理解析までを一貫して対応
株式会社アイテスの『ICの不良解析』についてご紹介します。 当社では、ICに対して、不良モードに適した手法を組み合わせることで、 不良ノードの特定から物理解析までを一貫して対応致します。 Layout Viewerによるレイアウト確認が可能な「発光解析/OBIRCH解析」を はじめ、「層剥離/サンプル加工」や「PVC解析」、「拡散層エッチング」、 「sMIM解析」等、様々な解析手法があります。 【手法】 ■発光解析/OBIRCH解析 ■層剥離/サンプル加工 ■マイクロプローブ ■PVC解析 ■EBAC解析 ■物理解析（FIB-SEM, TEM） ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
良品と静電気（ESD）破壊品の輝度・特性の比較、EMS顕微鏡による発光解析事例をご紹介します！
当社では、静電破壊した橙色LEDの不良解析を行っております。 ESD試験にて破壊され、発光強度の低下したLEDはエミッション発光と IR-OBIRCH法を用いて解析し、不良現象を明らかにすることが可能です。 「良品と静電気（ESD）破壊品の輝度と特性比較」や「エミッション 顕微鏡による発光解析」などの事例がございます。 【解析例】 ■良品と静電気（ESD）破壊品の輝度と特性⽐較 ・砲弾型LEDのレンズ部を研磨にて平坦化し、輝度比較を行ったところ、 ダークエリアが観察された ■エミッション顕微鏡による発光解析 ・ESD破壊品は順バイアスでダークエリアが観察され、逆バイアスで 破壊箇所のみが発光した ■IR-OBIRCHおよびSEI解析 ・ESD破壊品のIR-OBIRCH解析により詳細な破壊箇所が特定できた ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
パナソニックReRAM搭載MN101LR05D 8bitマイクロコントローラ
MN101LR05Dはポータブルヘルスケア、セキュリティ装置、センサー処理用と向けに開発された低消費電力の8bitシングルチップマイクロコントローラです。MN101LR05DはCPUコアが10MHz 8bitのAM13Lで６４KBのReRAM容量と４KBのSRAM容量を特徴としています。 MR101LR05Dは世界初の量産化されたReRAM(Resistive RAM:抵抗変化型メモリー）の実用例であり、既存の不揮発性メモリーの後継技術として多く活用されるとみられています。 MN101LR05Dは180nm CMOSプロセスに４層のAIメタライゼーションを使用して製造されています。この金属酸化物のReRAMセルはメタル3から４に接続するスタックWビアの間に形成されます。 レポートの結果は走査型電子顕微鏡（SEM)、透過型電子顕微鏡（TEM)、エネルギー分散型X線分析（TEM-EDS）、電子エネルギー損失分光法（TEM-EEKS）、および拡がり抵抗測定（SRP)のデータによるものです。
GaN Systems製GaNパワートランジスタ「GS61008T-E01-MR」の構造解析・プロセス解析！
当社では、『GaN Systems製100VGaNトランジスタ(GS61008T-E01-MR) 構造解析、プロセス解析レポート』をご提供しております。 構造解析レポートではGaN Systems製GaNパワートランジスタ 「GS61008T-E01-MR」の詳細を明らかにし、プロセスフロー解析 レポートでは構造解析の結果に基づいてチップ製造プロセスの 推定を行っています。 【レポート内容】 ■構造解析レポート ・パッケージ外観、X線観察、チップ平面解析(配線接続、レイアウト確認)、 チップ断面解析(GaNトランジスタ、チップ端部)、GaN-Epi層TEM-EDX分析 ・電気特性測定(Id-Vd、BVdss、容量特性) ■プロセス解析レポート ・製造プロセスフロー抽出・推定、マスク枚数、プロセス・シーケンス断面図 ・電気特性と素子構造の関連解析 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
STEM-EDS観察は半導体のPoly-Si(ポリシリコン)間の絶縁膜形状や層構造を確認でき半導体の不具合原因究明に応用できます
STEM(走査型透過電子顕微鏡 )とEDS(エネルギー分散型Ｘ線分析装置)では細く絞った電子線を試料上で走査することで、試料の組成に関する情報（原子番号を反映したコントラスト像）が取得できます。 加えて以下の特長もあります。 ・電子線の入射角度を変えることで、回折コントラストの変化を観察 ・観察対象が結晶質であるかの判断 ・結晶内にある結晶欠陥（転位、双晶等）の情報の獲得 本事例では 「STEM-EDSによる半導体絶縁膜評価」 を紹介しています。 本事例は問題なしの結果でしたが、異常検出も可能です。 ぜひPDF資料をご一読ください。 また、弊社では本STEMに加えFIBとの併用で、試料のある領域に対して3D構築を行う不良個所特定も得意としております。 実際に紹介いたしますのでお気軽にお声がけいただければ幸いです。 セイコーフューチャークリエーション 公式HP https://www.seiko-sfc.co.jp/ ※その他の資料もあります。問い合わせボタンからご用命いただければ送付いたします。
動的な荷重（加振）を受ける構造物の挙動を扱う、工学の一分野です
構造解析は、動的な荷重（加振）を受ける構造物の挙動を扱う、工学の一分野です。静的な荷重を受ける構造物の挙動を正確に予測するのは可能ですが、動的な荷重については、構造物の減衰のようにモデル化が困難なパラメータが必要となります。そのため、動的な荷重に対する構造物の応答を正確に求めるには、モード試験のような何らかの構造解析試験を行う必要があります。 モード試験によって、構造物のモードパラメータを実験的に求めることが可能となります。モードパラメータには、共振周波数、減衰、モード形状が含まれます。共振周波数は、ある加振力が加わった時に、加振力より大きく増幅された応答が生じるような周波数です。加振力が構造物の共振周波数に近い場合、悪影響を生じることが多いため、共振周波数を知ることは重要です。共振によって過度の振動が発生すると、疲労破壊の原因になったり、構造物のデリケートな部分にダメージを与えたり、また極端な場合には構造物が壊れることもあります。 詳しくはお問い合わせください。
