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優れた放熱パッケージ技術を採用し、その除熱回路を解析！
当社では、高度なPSiPで使用されるパッケージング技術を明確にするための 代表的な製品を選択して解析した『ANALOG DEVICES製PSiP(Power Supply in Package) LTM4700 uModuleレギュレータ構造・実装解析レポート』を ご提供しております。 本解析レポートでは、LTM4700製品のパフォーマンスを達成するために 使用される技術を明らかにしています。 【レポート内容】 ■大電流スイッチングMOSFETの構造とパッケージ配置 ■HS/LSハーフブリッジ、ソースダウン配置のLS FET ■シールドダブルポリSiトレンチMOSFET構造で面積効率が高い ■両面Cuリードフレームパッケージを解析 ■コントローラーICを特定 など ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
INVユニットの分解工程やIGBT制御基板の搭載部品リストを解析！
当社では、『Jaguar_I-Pace搭載Continental製インバーターIGBT制御基板 回路解析レポート』をご提供しております。 レポートは、製品分解、搭載IGBT制御基板の部品回路解析となります。 ご要望の際はお気軽にお問い合わせください。 【解析内容】 ■INVユニットの分解工程 ■IGBT制御基板の搭載部品リスト ■システム構成図および詳細回路図 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
製造プロセスフロー概要およびGaNトランジスタ、抵抗と静電容量の構造を明確にします
当社では、『Navitas GaN Power IC(NV6117&NV6115)構造解析レポート』を ご提供しております。 NV6117とNV6115の低耐圧トランジスタ、抵抗素子、静電容量素子および GaNエピ層の構造は、同構造と推測されるため、サンプルを使い分けて 解析しています。 【レポート内容】 ■600V GaN製品の比較(NAVITAS、GaN Systems、Panasonic) ■PKG観察、X線観察、チップ観察 ■チップ平面観察 ■高耐圧/低耐圧GaNトランジスタ、抵抗素子、静電容量素子の断面SEM解析 ■GaNエピ層TEM-EDX材料分析 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
STMicroがどのように高温(Tj=200℃)連続動作を実現したのかを解析！
当社では、『高温動作パワートランジスタの解析レポート』を ご提供しております。 本レポートは、SiC系のSTMicro製のパワーMOSFET(SCT30N120)が どのようにして高温(Tj=200℃)での動作を実現したのかについて 着目して解析を行った技術レポートです。 【解析技術】 ■半導体チップ構造/材料(デバイス材料、熱膨張に対する技術について) ■ボンディングワイヤ(熱サイクルにより発生するクラックや剥離に 対する技術について) ■ダイアタッチ材の構造、材料(温度耐性に対する工夫について) ■モールド封止樹脂(特殊材料添加による温度耐性強化について) ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
富士電機製EV、HEV用IGBTモジュール(6MBI800XV-075V-01)について解析！
当社では、『富士電機製EV、HEV用IGBTモジュール(6MBI800XV-075V-01) 構造解析、プロセス、デバイス特性解析レポート』をご提供しております。 RC-IGBTのIce-Vce特性、オフ状態コレクタリーク電流及びブレーダウン電圧を それぞれ測定し、オフリーク電流の温度依存性から活性化エネルギーを算出。 インフィニオン社製IGBT7と比較しています。 【解析のポイント】 ■モジュール解析レポートでは、モジュールの内部構成を確認し、RC-IGBTの 配置及びレイアウトを明らかにしている ■チップ構造解析レポートでは、RC-IGBTのIGBT、FWD領域の平面レイアウト 及び断面構造を明らかにしている ■プロセス解析レポートでは、RC-IGBTのプロセス技術に関する考察、 マスク枚数及び製造プロセスフローを推定している など ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
短絡耐量性を測定し、故障メカニズムを明らかにします！
株式会社エルテックは『短絡耐量評価・解析レポート』を販売しています。 短絡故障の瞬間に爆発する他のSiC MOSFETと比較して、 INFINEON CoolSiC MOSFETは爆発することなくソフトに故障します。 このレポートでは、短絡耐量性を測定し、故障メカニズムを明らかにしています。 【特長】 ■試験測定データの結果と先端SiCトランジスタの短絡耐量を制限する 物理的メカニズムを特定するための解析評価 ■破壊までの臨界温度および破壊エネルギーが抽出される ■破壊モードとの物解析を行う ■INFINEONと他社の1200Vトランジスタの短絡耐量を比較する ■短絡耐性を高めるためのトランジスタ構造とプロセスの変化を明らかにする ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
セル電圧監視基板の搭載部品リスト、ブロック図、詳細回路図を解析！
当社では、『BYD元 EV360搭載 BYD内製バッテリー制御基板 (セル電圧監視基板)回路解析レポート』をご提供しております。 電池制御基板一式(電池ECU、セル電圧監視、通信用Gateway)の 解析を行っております。 【解析内容】 ■セル電圧監視基板の搭載部品リスト ■ブロック図 ■詳細回路図 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
インバータに加え、豊田自動織機製DCDCコンバータを内蔵したPCUを解析！
当社では、『TOYOTA Yaris(HV)搭載PCU(DCDCコンバータ：豊田自動織機製) 基板回路解析レポート』をご提供しております。 TOYOTAのYarisは従来方式(プリウスに搭載)であるTHS II(Toyota Hybrid System II)を 進化させたシステムを搭載しており、本レポートではその制御ユニットを 解析対象としています。 【レポート内容】 ■PCU分解(PCU裏面側からのDCDCコンバータモジュール取り出しのみ) ■DCDCコンバータモジュール分解 ■DCDCコンバータ基板の基板各層レイアウト、機能ブロック図、 詳細回路図、部品表 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
東芝デバイス&ストレージ SiC MOSFET(TW070J120B)について解析！
当社では、『東芝デバイス&ストレージ SiC MOSFET(TW070J120B) 構造解析、プロセス、デバイス特性解析レポート』をご提供しております。 プロセス・デバイス特性解析レポートでは、構造解析結果に基づき、 製造プロセスフローの推定、フォト/マスキングのプロセス工程数の見積、 N-エピ層(ドリフト層)のドーピング濃度分析、オン抵抗解析やブレークダウン 電圧の解析を行っています。 【解析のポイント】 ■構造解析レポート ・SiC-MOSFETの平面レイアウトおよび断面構造を明らかにしている ・本製品の特長であるSBD領域についての断面構造とSBDメタルのEDX分析を実施 ■プロセス・デバイス特性解析レポート ・Schottkyダイオード特性の測定を行い、他社SiC-MOSFET製品の 内蔵Bodyダイオード特性と比較している など ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
