更新日： 集計期間:2025年03月26日～2025年04月22日
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幅広くカスタマイズ可能なCMPスラリー
CMP（ケミカル・メカニカル・ポリッシング：化学的機械研磨）スラリーは、半導体の製造工程で、基板表面を研磨するために用いるスラリーです。化学的エッチングが、材料を柔らかくし、機械的摩耗によりマテリアルが除去されるため、元々の立体的形状が平坦化されます。これがCMPのメカニズムです。 当社のCMPスラリーは半導体回路微細化と高速化を実現するための銅配線用、低温でスパッタリングでき、ローコストなアルミ配線用、高速信号処理に優れた化合物用、様々な用途で実績があります。化学反応溶液とナノサイズの研磨粒子で構成されており、粗大粒子の発生や粒子の沈殿が少なく、安定した品質が特徴です。 ※お気軽にお問い合わせ下さい。
CMPスラリー
特徴 ◆粒子径の均一性（シャープな粒子径分布、真球状の粒子）。 ◆高能率（独自な配合、pHが変動しない）。 ◆高平坦度（表面品質：Ra＜0.2nm、TTV＜3μ）。 ◆循環使用回数が多い。 ◆低温ポリッシュ加工可能（35℃以下）。 ◆SICウェハー加工用に特殊配合したスラリーをご提案。 ◆窒化アルミニウム加工用に中性・弱酸性のスラリーを対応可能。
砥粒技術＋ケミカル配合技術により設計！ハイレートかつ面品質/面品位を両立できるCMPスラリー
当社が取り扱うCMPスラリー『ClasSiC/GaiNシリーズ』のご紹介です。 「ClasSiC」は、特にパワーデバイスに使用されるSiC基板の化学機械的 平坦化用に特別に配合されたハイレートスラリーです。 「GaiN」は、ナノアルミナ砥粒、ケミカル配合技術で研磨プロセスを 最適化するために特別に設計されており、研磨レートと平坦化性能を 大幅に向上させます。 【特長】 ■コロイダルシリカベースのCMPよりハイレートを実現 ■研磨時間の短縮が可能 ■トータルコストダウンが可能 ■砥粒技術＋ケミカル配合技術により設計されたCMP ■研磨レートと平坦化性能を大幅に向上 ■スクラッチ、潜傷のない優れた表面仕上げを実現 ※詳しくは関連リンクページをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
CMPスラリー
CMPスラリーはサファイア、SICウェハー、窒化アルミニウム、セラミック、金属材料などのポリッシュ加工専用に最適化されたシリカスラリーです、粒子径の均一性に優れ、分散安定性が高く、均一でかつ良好な仕上げ面が得られます。
安定した品質が特長！「アルミナ」「シリカ」の特性や研磨対象物をご紹介！
当社は創業より培ってきた経験に基づきスラリー開発・製造を行っております。 『CMPスラリー』は、ケミカル溶液とナノサイズの研磨粒子で構成されており、 粗大粒子の発生が少なく、粒子の分散性の良い、安定した品質が特長。 洗浄性が良く、速い研磨レートが得られる「アルミナ」と、ダメージフリーで 高い面粗度が得られる「シリカ」をご用意しております。 【特長】 ＜アルミナ＞ ■特性：洗浄性が良く、速い研磨レートが得られる ■研磨対象物：樹脂、化合物セラミックス ＜シリカ＞ ■特性：ダメージフリーで高い面粗度が得られる ■研磨対象物：酸化膜、金属膜樹脂、ガラス ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
異種材料が混在する半導体基板の平坦化について、お客様のニーズに対応したCMPスラリーをご提供することが可能です。
当社はCMPスラリーを開発・製造しております。CMPとはChemical Mechanical Polishingの略で、化学的に溶解させながら機械的な除去、研磨を行います。付与する化学的作用は削りたい物質の化学的な性質に依存します。 半導体銅配線用CMPスラリーは、先端デバイスの銅配線用として量産しており、大手エレクトロニクスメーカー様からパートナーとしての認定をいただくなど、高い信頼を得ている製品です。 また、最先端デバイス用CMPスラリーの開発も進めています。 【当社は各種スラリー／塗料の製造受託を行っております】 製造でのお困りごとがありましたら、ぜひお気軽にお問い合わせください。
