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幅広くカスタマイズ可能なCMPスラリー
CMP（ケミカル・メカニカル・ポリッシング：化学的機械研磨）スラリーは、半導体の製造工程で、基板表面を研磨するために用いるスラリーです。化学的エッチングが、材料を柔らかくし、機械的摩耗によりマテリアルが除去されるため、元々の立体的形状が平坦化されます。これがCMPのメカニズムです。 当社のCMPスラリーは半導体回路微細化と高速化を実現するための銅配線用、低温でスパッタリングでき、ローコストなアルミ配線用、高速信号処理に優れた化合物用、様々な用途で実績があります。化学反応溶液とナノサイズの研磨粒子で構成されており、粗大粒子の発生や粒子の沈殿が少なく、安定した品質が特徴です。 ※お気軽にお問い合わせ下さい。
CMPスラリー
特徴 ◆粒子径の均一性（シャープな粒子径分布、真球状の粒子）。 ◆高能率（独自な配合、pHが変動しない）。 ◆高平坦度（表面品質：Ra＜0.2nm、TTV＜3μ）。 ◆循環使用回数が多い。 ◆低温ポリッシュ加工可能（35℃以下）。 ◆SICウェハー加工用に特殊配合したスラリーをご提案。 ◆窒化アルミニウム加工用に中性・弱酸性のスラリーを対応可能。
CMPスラリー
CMPスラリーはサファイア、SICウェハー、窒化アルミニウム、セラミック、金属材料などのポリッシュ加工専用に最適化されたシリカスラリーです、粒子径の均一性に優れ、分散安定性が高く、均一でかつ良好な仕上げ面が得られます。
矢野経済研究所の半導体用CMPスラリー市場に関するマーケットレポートです。
■ポイント ●半導体市場の回復はCMPスラリー市場成長に直結 メモリの需要回復やAI、HMB・データーセンター向け需要が半導体市場を牽引 ●先端ファウンドリーやメモリ半導体需要が牽引した結果、CMPスラリーの需要が増加中 2024年は二桁成長を遂げたほか、ハイブリットボンディングや微細化加工などにより、CMPプロセスの工程数は増加傾向にあるため、今後も安定した市場成長を見込む ●半導体市場では先端ロジックを手掛けるファウンドリー最大手TSMCの成長著しく 地域別では米国政府支援等によりIntel、Micron、TSCM（アリゾナ）が有利な展開 SAMSUNGは在庫捌きの影響やメモリ分野での成長鈍化が響いたが、25年より回復へ ●注目すべき市場は中国政府支援をバックに国内半導体需要を取り組む中国半導体マーケット CMPスラリーメーカーにとっては新規の成長市場で中国新規顧客向けの獲得に専念 発刊日：2025/07/31 体裁：A4 / 104頁 価格（税込）：319,000円（本体価格：290,000円）
異種材料が混在する半導体基板の平坦化について、お客様のニーズに対応したCMPスラリーをご提供することが可能です。
当社はCMPスラリーを開発・製造しております。CMPとはChemical Mechanical Polishingの略で、化学的に溶解させながら機械的な除去、研磨を行います。付与する化学的作用は削りたい物質の化学的な性質に依存します。 半導体銅配線用CMPスラリーは、先端デバイスの銅配線用として量産しており、大手エレクトロニクスメーカー様からパートナーとしての認定をいただくなど、高い信頼を得ている製品です。 また、最先端デバイス用CMPスラリーの開発も進めています。 【当社は各種スラリー／塗料の製造受託を行っております】 製造でのお困りごとがありましたら、ぜひお気軽にお問い合わせください。
安定した品質が特長！「アルミナ」「シリカ」の特性や研磨対象物をご紹介！
当社は創業より培ってきた経験に基づきスラリー開発・製造を行っております。 『CMPスラリー』は、ケミカル溶液とナノサイズの研磨粒子で構成されており、 粗大粒子の発生が少なく、粒子の分散性の良い、安定した品質が特長。 洗浄性が良く、速い研磨レートが得られる「アルミナ」と、ダメージフリーで 高い面粗度が得られる「シリカ」をご用意しております。 【特長】 ＜アルミナ＞ ■特性：洗浄性が良く、速い研磨レートが得られる ■研磨対象物：樹脂、化合物セラミックス ＜シリカ＞ ■特性：ダメージフリーで高い面粗度が得られる ■研磨対象物：酸化膜、金属膜樹脂、ガラス ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
