【仕様】 ■基板サイズ：最大φ12インチ ■反応ガス：O2、N2、H2O（オプション） ■基板加熱温度：最高1000℃（基板表面） ■加熱源：ハロゲンランプ ■昇温レート：最大150℃/sec ■真空排気：DP ■制御操作 　・制御：PLC 　・操作：タッチパネルまたはPC ■データロギング：外部メモリまたはPC ■基板搬送：大気搬送ロボット・冷却ステージ ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

【その他の製作実績】 ■排ガス切替装置 ■フィルム巾390mm対応R to Rプラズマ処理装置 ■低温グロープラズマ実験装置 ■HW式表面改質装置（CAT） ■排気セット（TMP+RP） ■ロードロック室プラズマCVD装置（当社デモ機） ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

【仕様】 ■基板サイズ：最大φ12インチ ■反応ガス：O2 、N2 、 H2O（オプション） ■基板加熱温度：最高1000 ℃（基板表面） ■加熱源：ハロゲンランプ ■昇温レート：最大150 ℃/sec ■真空排気：DP ■制御操作 　・制御：PLC 　・操作：タッチパネルまたはPC ■データロギング：外部メモリまたはPC ■基板搬送：大気搬送ロボット、冷却ステージ ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。