『RTA装置』は、減圧プロセスから加圧プロセス（0.9MPaG）まで対応できる 製品です。 基板表面の高速熱酸化、結晶化、アニーリング処理等が可能。 優れた基板温度分布およびガスフロー方式を実現します。 半導体をはじめ、MEMSや電子部品にご利用いただけます。 【特長】 ■減圧プロセスから加圧プロセス（0.9MPaG）まで対応可能 ■基板表面の高速熱酸化、結晶化、アニーリング処理等が可能 ■優れた基板温度分布およびガスフロー方式を実現 ■トレイ搬送にも対応可能 ■マルチチャンバ仕様や各種オーダーメイドも製作可能 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

ジャパンクリエイト株式会社が行なった、『各種真空装置』の オーダーメイド製作実績をご紹介します。 「研究開発用アニール装置」をはじめ、「バッチ式プラズマ処理装置」や 「極低温成膜実験装置」「排ガス切替装置」などの実績を保有。 デモ機にてサンプル処理を実施しております。 ご用命の際はお気軽にお問い合わせください。 【製作実績（抜粋）】 ■研究開発用アニール装置 ■バッチ式プラズマ処理装置 ■ZnS処理装置 ■極低温成膜実験装置 ■分析用超高真空チャンバ ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

『加圧RTA装置』は、減圧プロセスから加圧プロセス（0.9MPaG）まで対応 することができる製品です。 加熱源はハロゲンランプ、昇温レートは最大150℃/secとなっており、 優れた基板温度分布およびガスフロー方式を実現します。 半導体、MEMS、電子部品といった用途に使用できる装置で、基板表面の 高速熱酸化、結晶化、アニーリング処理等が可能です。 【特長】 ■加熱プロセス特有の元素抜けを軽減 ■減圧プロセスから加圧プロセス（0.9MPaG）まで対応可能 ■基板表面の高速熱酸化、結晶化、アニーリング処理等が可能 ■優れた基板温度分布およびガスフロー方式を実現 ■トレイ搬送にも対応可能 ■マルチチャンバ仕様も製作可能 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。