【仕様（抜粋）】 ■基板サイズ：最大φ12インチ ■プラズマソース：CCP型 ■真空排気 　・低真空プロセス：MBP+DP 　・高真空プロセス：TMP+DP ■圧力制御：APC制御 ■プロセスガス：F系、Cl2、Ar、O2、他 ■制御操作 　・制御：PLC 　・操作：タッチパネルまたはPC ■データロギング：外部メモリまたはPC ■基板搬送：大気または真空搬送ロボット ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

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【仕様】 ■基板サイズ：最大φ12インチ ■プラズマソース：CCP型 ■真空排気 ・低真空プロセス：MBP+DP ・高真空プロセス：TMP+DP ■圧力制御：APC制御 ■プロセスガス：F系、Cl2、Ar、O2、他 ※PDF資料も合わせてご覧ください。 ※お気軽にお問い合わせ下さい。