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ファインテック日本株式会社

従業員数3名
住所東京都大田区西蒲田6-23-2 第2春野ビル1階
電話050-3596-2084
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  • 公式サイト
最終更新日:2026/04/08
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【接合技術】熱圧着接合 / 共晶接合 【接合技術】熱圧着接合 / 共晶接合
【接合技術】超音波接合 【接合技術】超音波接合
【接合技術】接着剤接合 / UV硬化 【接合技術】接着剤接合 / UV硬化
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【用途分野】光電融合 / CPO / SiPh 【用途分野】光電融合 / CPO / SiPh
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【接合技術】熱圧着接合

【接合技術】熱圧着接合 / 共晶接合

圧力と高温を同時に印加する熱圧着ボンディング(共晶結合)は、 金スタッドバンプやインジウムバンプを用いたフリップチップ・ダイボンディングにおいて共晶合金を形成し、 優れた機械的強度・電気特性・熱伝導性と高い長期信頼性を実現する接合手法です。 https://finetech-nippon.co.jp/

【接合技術】熱圧着ボンディング

熱圧着実装!フリップチップを確実に接合するための迅速かつ簡単な方法

「熱圧着ボンディング」とは、圧力と高熱を同時に印加することで 信頼性の高い相互接続を形成する接合手法です。 主にフリップチップ・ダイボンディングに用いられます。 ここでの熱圧着ボンディングは、金スタッドバンプやインジウムバンプを 用いたプロセスを指し、高度なエレクトロニクスやフォトニクス・ アプリケーションにおいて、高い機械的強度と安定した電気特性を実現します。 【特長】 ■基板を平坦に保持する荷重を印可可能 ■はんだレジスト不要 ■金属的な物質と物質の結合、耐湿性の高い信頼性 ■物質と物質の金属接触によるきわめて低い接触抵抗 ■シミュレーション可能なHF特性 ■スタッドバンプのシンプルなプロセス ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。

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【技術資料】3Dパッケージングのボンディング技術の評価報告

3Dパッケージング技術に関連する実験手法と用いたパラメータ、およびその結果をご紹介!

当資料は、⾼精度ダイボンディング装置FINEPLACER sigmaを用いた 3Dパッケージング技術の評価報告資料です。 おもに現在3Dパッケージングで用いられる様々な接合方法について紹介。 ⾼範囲な試作研究の結果として、多バンプ数(最大143,000)、狭小ピッチ幅 (最小25μm)、および微小バンプ径(最小13μm)といった各種のチップを、 基板上にFINEPLACER sigmaを用いて実装しました。 【掲載内容(一部)】 ■要旨 ■序論 ■プリ・アンダーフィルを用いた熱圧着接合 ■液化固化拡散接合(SLID) ■熱圧着接合 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。

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【技術資料】有機基板へのフリップチップボンディングの基礎知識

高I/O化CMOSに向けたフリップチップ実装技術の比較評価!

当資料は、異方性接着剤結合、超音波実装、熱併用超音波実装、 ハンダ実装、熱圧着実装のような、市販技術として活用されているマイクロ実装技術の 特性評価について記述しております。 ハンダバンプ技術から着想されたカスタムフリップチップボンディング 技術も実験的に検証。 この評価の目的は、パッドが増加し、ランドパターンが複雑化したCMOS回路に 対して好適なフリップチップボンディング技術を見つけ出すことです。 【掲載内容】 ■序論 ■フリップチップボンディング技術の概要 ■実験結果および考察 ■まとめ ■参考文献 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。

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【実装技術】インジウムバンプボンディング

大判、高密度の赤外線(IR)サーマルイメージング・デバイス、量子プロセッサー、マイクロLEDディスプレイの製造に関する情報を紹介

赤外線(IR)サーマルイメージングセンサー、量子コンピューティング プロセッサー、マイクロLEDディスプレイなどのフォーカルプレーンアレイ (FPA)イメージングおよびディテクターデバイスは、研究開発、軍事、産業、 消費者市場において、これらのコンポーネントを必要とする実用的なアプリ ケーションが増えるにつれて需要が高まっています。 これと相まって、より大型のチップに搭載される画素数やQubit数、相互接続密度 の向上が、これらの技術におけるハイブリッド化とモノリシック集積化を促進しています。 本稿では、課題とそれに対処するための方法をご紹介し、今日の業界要件を満たす ファインピッチ・マイクロ・インジウム・バンプ・インターコネクト(IBI)を使用して、 大判、高密度の赤外線(IR)サーマルイメージング・デバイス、量子プロセッサー、 マイクロLEDディスプレイの製造に関する情報を紹介します。 ※詳しくは関連リンクURL(公式HP)をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせください。

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【実装技術】レーザーアシストダイボンディング

アプリケーションと材料の観点から、2種類のレーザーアシスト技術を提供します!

ファインテック社のレーザーアシストボンディング技術は、C2S又はC2Wの アプリケーションで、局所的加熱、高い位置精度、高速度接合を実現します。 温度のサイクル時間を速く調整する事が可能で、表面の酸化防止と製造工程に 於けるサイクルタイムの最速化を図る事が出来ます。 シーケンスとして、基板レベル又はウェーハーレベルに於いてもチップの 加熱工程は1回のみ実行されます。 エリア領域での加熱処理とは対照的に、ローカル領域でのレーザーアシスト 加熱では熱膨張効果が低減されます。 ボンディング後のチップ間の距離は僅か500μmに制御され、隣接したハンダ ドット箇所に於いては、再溶融から確実に回避されます。 ※詳しくは関連リンクURL(公式HP)をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせください。

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【技術資料】マルチエミッターモジュール アセンブリ

マルチエミッターモジュールのアセンブリ・ボンディングに関する情報を詳しく掲載

切断、溶接、マーキングなどの用途において、ファイバー・レーザー・ソリューションが従来の方法に取って代わることが増えています。近年、半導体レーザーチップの製造コストは継続的に削減されていますが、今現在の唯一にして最大のコスト要因は、組み立て(アセンブリ)とパッケージングにあり、その大きな原因となっているのが、CoSをヒートシンクに取り付けるセカンドレベルパッケージングにおける手作業による工程です。この問題を解決するために、ファインテックは、新しいボンディング技術を利用した、ヒートシンクにCoSをパッケージングするための自動化ソリューションを開発・評価・提供しています。このテクニカルペーパーでは、それについて解説します。 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

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体内インプラント式、脳コンピュータインタフェース

脳インプラントの開発に関する共同研究プロジェクト、「CANDOプロジェクト」

デバイスの小型化・高感度化に加え、材料構成の多様化が進む中、超音波ダイボンディングの重要性はますます高まっています。 その高速性、クリーン性、そして低ストレスな接合プロセスは、次世代デバイスの製造に最適なソリューションです。 最新のBCIの領域でFinetechの技術的優位性が決定的な差を領域です。 精密なアセンブリが要求されるBCI領域とはどういうものなのかぜひご覧ください。 ※ブログの詳細内容は、関連リンクより閲覧いただけます。  詳しくは、お気軽にお問い合わせください。

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